| Nr. | Nombre de la Parte | Descripción | Fabricante |
| 912161 | MTD3N25E | Fet de la ENERGÍA de TMOS 3 AMPERIOS 250 VOLTIOS De RDS(on) = 1,4 OHMIOS | Motorola |
| 912162 | MTD3N25E | 3 Amp DPAK Montaje Superficial Productos, canal N, el VDSS 250 | ON Semiconductor |
| 912163 | MTD3N25E-D | Transistor de efecto de campo de la energía del E-e-fet de TMOS DPAK para la puerta de silicio superficial del Realce-Modo del N-Canal del montaje | ON Semiconductor |
| 912164 | MTD48 | Paquete Pequeño Moldeado 48 Plomos Del Contorno Del Encogimiento Fino, JEDEC | National Semiconductor |
| 912165 | MTD492 | Interfaz Coaxial Del Transmisor-receptor | MYSON TECHNOLOGY |
| 912166 | MTD492N | Interfaz de transceptor coaxial | MYSON TECHNOLOGY |
| 912167 | MTD492V | Interfaz de transceptor coaxial | MYSON TECHNOLOGY |
| 912168 | MTD4N20E | Fet de la ENERGÍA de TMOS 4,0 AMPERIOS 200 VOLTIOS De RDS(on) = 1,2 OHMIOS | Motorola |
| 912169 | MTD4N20E | OBSOLETOS - Mosfet De la Energía 4 Amperios, 200 Voltios | ON Semiconductor |
| 912170 | MTD4N20E-D | Mosfet De la Energía 4 Amperios, 200 Voltios De N-Canal DPAK | ON Semiconductor |
| 912171 | MTD4P05 | TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO DE LA ENERGÍA | Motorola |
| 912172 | MTD4P06 | TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO DE LA ENERGÍA | Motorola |
| 912173 | MTD5010M | Diodo Ultra De alta velocidad De la Foto | Marktech Optoelectronics |
| 912174 | MTD502EF | 2 Puerto 10M interruptor / 100M con memoria build_in | MYSON TECHNOLOGY |
| 912175 | MTD502EG | 2 Puerto 10M interruptor / 100M con memoria build_in | MYSON TECHNOLOGY |
| 912176 | MTD505 | 5 puertos switch Ethernet 10M / 100M | MYSON TECHNOLOGY |
| 912177 | MTD508 | 8 puertos de conmutación Ethernet 10M / 100M | MYSON TECHNOLOGY |
| 912178 | MTD516 | 16 10M puerto del switch Ethernet / 100M | MYSON TECHNOLOGY |
| 912179 | MTD56 | Paquete Pequeño Moldeado 56 Plomos Del Contorno Del Encogimiento Fino, JEDEC | National Semiconductor |
| 912180 | MTD5N25E | Fet de la ENERGÍA de TMOS 5,0 AMPERIOS 250 VOLTIOS De RDS(on) = 1,0 OHMIOS | Motorola |
| 912181 | MTD5N25E | 5 Amp DPAK Montaje Superficial Productos, canal N, el VDSS 250 | ON Semiconductor |
| 912182 | MTD5N25E-D | Transistor de efecto de campo de la energía del E-e-fet de TMOS DPAK para la puerta de silicio superficial del Realce-Modo del N-Canal del montaje | ON Semiconductor |
| 912183 | MTD5P06E | Fet de la ENERGÍA de TMOS 5,0 AMPERIOS 60 VOLTIOS De RDS(on) = 0,55 OHMIOS | Motorola |
| 912184 | MTD5P06V | Fet de la ENERGÍA de TMOS 5 AMPERIOS 60 VOLTIOS De RDS(on) = 0,450 OHMIOS | Motorola |
| 912185 | MTD5P06V | Mosfet De la Energía 5 Amperios, 60 Voltios | ON Semiconductor |
| 912186 | MTD5P06V-D | Mosfet De la Energía 5 Amperios, 60 Voltios De P-Canal DPAK | ON Semiconductor |
| 912187 | MTD5P06VT4 | Mosfet De la Energía 5 Amperios, 60 Voltios | ON Semiconductor |
| 912188 | MTD5P06VT4G | Mosfet De la Energía 5 Amperios, 60 Voltios | ON Semiconductor |
| 912189 | MTD6000PT | Transistor De la Foto | Marktech Optoelectronics |
| 912190 | MTD6010A | TRANSISTOR DE LA FOTO | Marktech Optoelectronics |
| 912191 | MTD6040 | TRANSISTOR DE LA FOTO | Marktech Optoelectronics |
| 912192 | MTD6060 | TRANSISTOR DE LA FOTO | Marktech Optoelectronics |
| 912193 | MTD6100 | TRANSISTOR DE LA FOTO | Marktech Optoelectronics |
| 912194 | MTD6140 | TRANSISTOR DE LA FOTO | Marktech Optoelectronics |
| 912195 | MTD6160 | TRANSISTOR DE LA FOTO | Marktech Optoelectronics |
| 912196 | MTD6170 | FOTO DARLINGTON | Marktech Optoelectronics |
| 912197 | MTD6180 | TRANSISTOR DE LA FOTO | Marktech Optoelectronics |
| 912198 | MTD655 | 5 puerto hub 10M / 100M con interruptor de 2 puertos | MYSON TECHNOLOGY |
| 912199 | MTD658 | 8 puerto hub 10M / 100M con interruptor de 2 puertos | MYSON TECHNOLOGY |
| 912200 | MTD658E | Puerto 5/8 10/100 hub puente build_in y la memoria | MYSON TECHNOLOGY |
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