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Nr.Nombre de la ParteDescripciónFabricante
912921MTP29N15E-DMosfet De la Energía 29 Amperios, 150 Voltios De N-Canal To-220ON Semiconductor
912922MTP2N20TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO DE LA ENERGÍA, PUERTA DESILICIO DE N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODEMotorola
912923MTP2N35MOSFETs De la Energía Del N-Canal, 2.25A, 350-400VFairchild Semiconductor
912924MTP2N40MOSFETs De la Energía Del N-Canal, 2.25A, 350-400VFairchild Semiconductor
912925MTP2N40EFet de la ENERGÍA de TMOS 2,0 AMPERIOS 400 VOLTIOS De RDS(on) = 3,5 OHMIOSMotorola
912926MTP2N40E2 Amp TO-220AB, canal N, el VDSS 400ON Semiconductor
912927MTP2N40E-DRealce Del N-Canal Del Transistor De Efecto De Campo De la Energía Del E-E-fet de TMOS - Puerta De Silicio Del ModoON Semiconductor
912928MTP2N45MOSFETs De la Energía Del N-Canal, 3.0 A, 450 V/500 VFairchild Semiconductor
912929MTP2N50MOSFETs De la Energía Del N-Canal, 3.0 A, 450 V/500 VFairchild Semiconductor
912930MTP2N50EFet de la ENERGÍA de TMOS 2,0 AMPERIOS 500 VOLTIOS De RDS(on) = 3,6 OHMIOSMotorola
912931MTP2N60Fet de la ENERGÍA de TMOS 2,0 AMPERIOS 600 VOLTIOS De RDS(on) = 3,8 OHMIOSMotorola
912932MTP2N60EFet de la ENERGÍA de TMOS 2,0 AMPERIOS 600 VOLTIOS De RDS(on) = 3,8 OHMIOSMotorola
912933MTP2N60EN-Canal Del Realce-Modo de Silicon PuertaON Semiconductor
912934MTP2N60E-DRealce Del N-Canal Del Transistor De Efecto De Campo De la Energía Del E-E-fet de TMOS - Puerta De Silicio Del ModoON Semiconductor
912935MTP2P50Fet de la ENERGÍA de TMOS 2,0 AMPERIOS 500 VOLTIOS De RDS(on) = 6,0 OHMIOSMotorola
912936MTP2P50EFet de la ENERGÍA de TMOS 2,0 AMPERIOS 500 VOLTIOS De RDS(on) = 6,0 OHMIOSMotorola
912937MTP2P50EMosfet De la Energía 2 Amperios, 500 VoltiosON Semiconductor
912938MTP2P50E-DMosfet De la Energía 2 Amperios, 500 Voltios De P-Canal To-220ON Semiconductor
912939MTP2P50EGMosfet De la Energía 2 Amperios, 500 VoltiosON Semiconductor



912940MTP3055Fet de la ENERGÍA de TMOS 12 AMPERIOS 60 VOLTIOS De RDS(on) = 0,15 OHMIOSMotorola
912941MTP3055N - CANAL 60V - Los 0.1ohm - Mosfet Del 1À To-220 STripFETST Microelectronics
912942MTP3055EN-canal 60V - 0,1 OHMIOS - Mosfet de la ENERGÍA Del 1À To-220 STRIPFETST Microelectronics
912943MTP3055EN - CANAL 60V - Los 0.1Ohm - Mosfet Del 1À To-220 STripFETSGS Thomson Microelectronics
912944MTP3055EN-canal FET de potencia TMOS. 60 V, 12 A, RDS (on) 0.15 Ohm.Motorola
912945MTP3055ELN-canal TMOS nivel lógico FET de potencia. 60 V, 12 A, RDS (on) 0.18 Ohm.Motorola
912946MTP3055VTransistor De Efecto De Campo Del Modo Del Realce Del N-CanalFairchild Semiconductor
912947MTP3055VFet de la ENERGÍA de TMOS 12 AMPERIOS 60 VOLTIOS De RDS(on) = 0,15 OHMIOSMotorola
912948MTP3055VFet 60V, Los 0.1Öhm De la Energía de TMOSON Semiconductor
912949MTP3055V-DMosfet De la Energía 12 Amperios, 60 Voltios De N-Canal To-220ON Semiconductor
912950MTP3055VLFet de la ENERGÍA de TMOS 12 AMPERIOS 60 VOLTIOS De RDS(on) = 0,18 OHMIOSMotorola
912951MTP3055VL60V, SOLO, To-220, N-CanalFairchild Semiconductor
912952MTP3055VLMosfet De la Energía 12 Amperios, 60 Voltios, Nivel De la LógicaON Semiconductor
912953MTP3055VLMosfet De la Energía 12 Amperios, 60 Voltios, Nivel De la LógicaON Semiconductor
912954MTP3055VL-DMosfet De la Energía 12 Amperios, 60 Voltios, N-Canal Llano To-220 De la LógicaON Semiconductor
912955MTP30N06VLFet de la ENERGÍA de TMOS 30 AMPERIOS 60 VOLTIOS De RDS(on) = 0,050 OHMIOSMotorola
912956MTP30N06VLMosfet De la Energía 30 Amperios, 60 Voltios, de nivel lógicoON Semiconductor
912957MTP30N06VL-DMosfet De la Energía 30 Amperios, 60 Voltios, N-Canal Llano To-220 De la LógicaON Semiconductor
912958MTP30N08MTRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO DE LA ENERGÍAMotorola
912959MTP30P06Fet de la ENERGÍA de TMOS 30 AMPERIOS 60 VOLTIOS De RDS(on) = 0,080 OHMIOSMotorola
912960MTP30P06VFet de la ENERGÍA de TMOS 30 AMPERIOS 60 VOLTIOS De RDS(on) = 0,080 OHMIOSMotorola
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