|   Primera página   |   Todos los fabricantes   |   Por la función   |  

Número de pieza, la descripción o el fabricante contener:  
Salto rápido a:   1N  2N  2SA  2SC  74  AD  BA  BC  BD  BF  BU  CXA  HCF  IRF  KA  KIA  LA  LM  MC  NE  ST  STK  TDA  TL  UA  



Las hojas de datos encontraron :: 1351360Página: << | 22821 | 22822 | 22823 | 22824 | 22825 | 22826 | 22827 | 22828 | 22829 | 22830 | 22831 | >>
Nr.Nombre de la ParteDescripciónFabricante
913001MTP4N40E-DPuerta De Silicio Del Realce-Modo Del N-Canal Del Transistor De Efecto De Campo De la Energía Del E-E-fet de TMOSON Semiconductor
913002MTP4N45MOSFETs De la Energía Del N-Canal, 4.5 A, 450V/500VFairchild Semiconductor
913003MTP4N50MOSFETs De la Energía Del N-Canal, 4.5 A, 450V/500VFairchild Semiconductor
913004MTP4N50EFet de la ENERGÍA de TMOS 4,0 AMPERIOS 500 VOLTIOS De RDSon = 1,5 OHMIOSMotorola
913005MTP4N50E4 Amp TO-220AB, canal N, el VDSS 500ON Semiconductor
913006MTP4N50E-DPuerta De Silicio Del Realce-Modo Del N-Canal del Fet De la Energía De la Alta Energía Del E-E-fet de TMOSON Semiconductor
913007MTP4N80Fet de la ENERGÍA de TMOS 4,0 AMPERIOS 800 VOLTIOS De RDS(on) = 3,0 OHMIOSMotorola
913008MTP4N80EFet de la ENERGÍA de TMOS 4,0 AMPERIOS 800 VOLTIOS De RDS(on) = 3,0 OHMIOSMotorola
913009MTP4N80EOBSOLETO - 4 Amp TO-220AB, canal N, el VDSS 800ON Semiconductor
913010MTP4N80E-DPuerta De Silicio Del Realce-Modo Del N-Canal Del Transistor De Efecto De Campo De la Energía Del E-E-fet de TMOSON Semiconductor
913011MTP50N06Fet de la ENERGÍA de TMOS 42 AMPERIOS 60 VOLTIOS De RDS(on) = 0,028 OHMIOSMotorola
913012MTP50N06Fet de la ENERGÍA de TMOS 50 AMPERIOS 60 VOLTIOS De RDS(on) = 0,028 OHMIOSMotorola
913013MTP50N06Fet de la ENERGÍA de TMOS 42 AMPERIOS 60 VOLTIOS De RDS(on) = 0,032 OHMIOSMotorola
913014MTP50N06ELFet de la ENERGÍA de TMOS 50 AMPERIOS 60 VOLTIOS De RDS(on) = 0,028 OHMIOSMotorola
913015MTP50N06VFet de la ENERGÍA de TMOS 42 AMPERIOS 60 VOLTIOS De RDS(on) = 0,028 OHMIOSMotorola
913016MTP50N06VMOSFET de potencia 60 V, 42 A, canal N, TO-220ON Semiconductor
913017MTP50N06V-DMosfet De la Energía 42 Amperios, 60 Voltios De N-Canal To-220ON Semiconductor
913018MTP50N06VLFet de la ENERGÍA de TMOS 42 AMPERIOS 60 VOLTIOS De RDS(on) = 0,032 OHMIOSMotorola
913019MTP50N06VLMosfet De la Energía 42 Amperios, 60 Voltios, de nivel lógicoON Semiconductor



913020MTP50N06VL-DMosfet De la Energía 42 Amperios, 60 Voltios, N-Canal Llano To-220 De la LógicaON Semiconductor
913021MTP50P03HDLNIVEL de la LÓGICA del Fet de la ENERGÍA de TMOS 50 AMPERIOS 30 VOLTIOS De RDS(on) = 0,025 OHMIOSMotorola
913022MTP50P03HDLMosfet De la Energía 50 Amperios, 30 Voltios, Nivel De la LógicaON Semiconductor
913023MTP50P03HDL-DMosfet De la Energía 50 Amperios, 30 Voltios, P-Canal Llano To-220 De la LógicaON Semiconductor
913024MTP50P03HDLGMosfet De la Energía 50 Amperios, 30 Voltios, Nivel De la LógicaON Semiconductor
913025MTP52N06VFet de la ENERGÍA de TMOS 52 AMPERIOS 60 VOLTIOS De RDS(on) = 0,022 OHMIOSMotorola
913026MTP52N06VMosfet De la Energía 52 Amperios, 60 VoltiosON Semiconductor
913027MTP52N06V-DMosfet De la Energía 52 Amperios, 60 Voltios De N-Canal To-220ON Semiconductor
913028MTP52N06VLFet de la ENERGÍA de TMOS 52 AMPERIOS 60 VOLTIOS De RDS(on) = 0,025 OHMIOSMotorola
913029MTP52N06VLMosfet De la Energía 52 Amperios, 60 Voltios, Nivel De la LógicaON Semiconductor
913030MTP52N06VL-DMosfet De la Energía 52 Amperios, 60 Voltios, N-Canal Llano To-220 De la LógicaON Semiconductor
913031MTP52N06VLGMosfet De la Energía 52 Amperios, 60 Voltios, Nivel De la LógicaON Semiconductor
913032MTP55N06Fet de la ENERGÍA de TMOS 55 AMPERIOS 60 VOLTIOS de RDS(on) = mohm 18Motorola
913033MTP55N06ZFet de la ENERGÍA de TMOS 55 AMPERIOS 60 VOLTIOS de RDS(on) = mohm 18Motorola
913034MTP5N20TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO DE LA ENERGÍAMotorola
913035MTP5N35MOSFETs De la Energía Del N-Canal, 5.5A, 350 V/400VFairchild Semiconductor
913036MTP5N40MOSFETs De la Energía Del N-Canal, 5.5A, 350 V/400VFairchild Semiconductor
913037MTP5N40EFet de la ENERGÍA de TMOS 5,0 AMPERIOS 400 VOLTIOS De RDS(on) = 1,0 OHMIOSMotorola
913038MTP5N40E5 Amp TO-220AB, canal N, el VDSS 400ON Semiconductor
913039MTP5N40E-DPuerta De Silicio Del Realce-Modo Del N-Canal del Fet De la Energía De la Alta Energía Del E-E-fet de TMOSON Semiconductor
913040MTP5P06VFet de la ENERGÍA de TMOS 5 AMPERIOS 60 VOLTIOS De RDS(on) = 0,450 OHMIOSMotorola
Las hojas de datos encontraron :: 1351360Página: << | 22821 | 22822 | 22823 | 22824 | 22825 | 22826 | 22827 | 22828 | 22829 | 22830 | 22831 | >>
English Version for this page Version française pour cette page Deutsche Version für diese Seite Versione italiana Versão portuguese para esta página Russian version Versiunea romaneasca



© 2024 - www.DatasheetCatalog.com