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| 2N6759 Fabricado cerca: | 
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 | N-canal de energía en modo de enriquecimiento de efecto de campo transistor. Drenaje-sourge 350V de tensión. Corriente continua de drenaje (a Tc 25deg) 4,5 A. Otros con el mismo archivo para el datasheet: 2N6760, |
Transferencia Directa 2N6759 datasheet de General Electric Solid State |
pdf 119 kb |
 | MOSFETs/5.Ä/350V/400V De la Energía Del N-Canal | Transferencia Directa 2N6759 datasheet de Fairchild Semiconductor |
pdf 143 kb |
| 2N6758 | Vista 2N6759 a nuestro catálogo | 2N6760 |