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Opinión todos los datasheets de General Electric Solid StateN-canal de energía en modo de enriquecimiento de efecto de campo transistor. Drenaje-sourge 400V de tensión. Corriente continua de drenaje (a Tc 25deg) 5.5A.

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2N6759, 		Transferencia Directa 2N6760 datasheet de
General Electric Solid State		 pdf
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Opinión todos los datasheets de Fairchild SemiconductorMOSFETs/5.Ä/350V/400V De la Energía Del N-Canal Transferencia Directa 2N6760 datasheet de
Fairchild Semiconductor		 pdf
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Opinión todos los datasheets de International Rectifier400V escogen el MOSFET del N-Canal hi-Rel-Rel en un paquete de To-20âa

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IRF330, JANTX2N6760, JANTXV2N6760, 		Transferencia Directa 2N6760 datasheet de
International Rectifier		 pdf
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2N6759Vista 2N6760 a nuestro catálogo2N6761



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