|
| Primera página | Todos los fabricantes | Por la función | |
|
Salto rápido a: 1N 2N 2SA 2SC 74 AD BA BC BD BF BU CXA HCF IRF KA KIA LA LM MC NE ST STK TDA TL UA |
2SK1297 Fabricado cerca: |
V (DSS): 60V; I (d): 40A; 100W; silicio N-MOS FET de canal. Para conmutación de potencia de alta velocidad | Transferencia Directa 2SK1297 datasheet de Hitachi Semiconductor |
pdf 58 kb |
2SK1296 | Vista 2SK1297 a nuestro catálogo | 2SK1298 |