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Opinión todos los datasheets de Fairchild SemiconductorMOSFETs/1À/150-200 V De la Energía Del N-Canal

Otros con el mismo archivo para el datasheet:
IRF633, IRF632, IRF631, IRF230-233, IRF231,
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Fairchild Semiconductor
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Opinión todos los datasheets de Intersil8.0A y 9.0A/150V y 200V/mOSFETs de la energía de 0,4 y 0,6 ohmios/N-Canal

Otros con el mismo archivo para el datasheet:
IRF233, IRF232,
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Intersil
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Opinión todos los datasheets de General Electric Solid StateN-canal de energía en modo de enriquecimiento de efecto de campo transistor. Drenaje-sourge 200V de tensión. Corriente continua de drenaje (a Tc 25deg) 9.0a. Transferencia Directa IRF230 datasheet de
General Electric Solid State
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Opinión todos los datasheets de Samsung ElectronicMOSFETS de la ENERGÍA Del N-canal Transferencia Directa IRF230 datasheet de
Samsung Electronic
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Opinión todos los datasheets de International Rectifier200V escogen el MOSFET del N-Canal hi-Rel-Rel en un paquete de To-20âa

Otros con el mismo archivo para el datasheet:
2N6758, JANTX2N6758, JANTXV2N6758,
Transferencia Directa IRF230 datasheet de
International Rectifier
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153 kb
Opinión todos los datasheets de SemeLABMosfet DE ALTO VOLTAJE de la ENERGÍA del MODO del REALCE Del N-canal Transferencia Directa IRF230 datasheet de
SemeLAB
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IRF224Vista IRF230 a nuestro catálogoIRF230-233



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