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Opinión todos los datasheets de General Electric Solid StateN-canal de energía en modo de enriquecimiento de efecto de campo transistor. Drenaje-sourge 200V de tensión. Corriente continua de drenaje (a Tc 25deg) 8.0A.

Otros con el mismo archivo para el datasheet:
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General Electric Solid State		 pdf
165 kb
Opinión todos los datasheets de Fairchild SemiconductorMOSFETs/1À/150-200 V De la Energía Del N-Canal

Otros con el mismo archivo para el datasheet:
IRF633, IRF632, IRF631, IRF230-233, 		Transferencia Directa IRF232 datasheet de
Fairchild Semiconductor		 pdf
182 kb
Opinión todos los datasheets de Intersil8.0A y 9.0A/150V y 200V/mOSFETs de la energía de 0,4 y 0,6 ohmios/N-Canal Transferencia Directa IRF232 datasheet de
Intersil		 pdf
74 kb
Opinión todos los datasheets de Samsung ElectronicMOSFETS de la ENERGÍA Del N-canal Transferencia Directa IRF232 datasheet de
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IRF231Vista IRF232 a nuestro catálogoIRF233



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