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| | Primera página | Todos los fabricantes | Por la función | |
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| IRF330 Fabricado cerca: | 
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 | MOSFETs/5.Ä/350 V/400V De la Energía Del N-Canal Otros con el mismo archivo para el datasheet: IRF731, IRF733, IRF330-333, IRF331, IRF732, |
Transferencia Directa IRF330 datasheet de Fairchild Semiconductor |
pdf 182 kb |
 | Mosfet De la Energía De 5.Ä/De 400V/1,000 Ohmios/N-Canal | Transferencia Directa IRF330 datasheet de Intersil |
pdf 62 kb |
 | MOSFETS de la ENERGÍA Del N-canal Otros con el mismo archivo para el datasheet: IRF332, IRF333, |
Transferencia Directa IRF330 datasheet de Samsung Electronic |
pdf 213 kb |
 | 400V escogen el MOSFET del N-Canal hi-Rel-Rel en un paquete de To-20âa Otros con el mismo archivo para el datasheet: 2N6760, JANTX2N6760, JANTXV2N6760, |
Transferencia Directa IRF330 datasheet de International Rectifier |
pdf 152 kb |
 | N-canal de energía en modo de enriquecimiento de efecto de campo transistor. Drenaje-sourge 400V de tensión. Corriente continua de drenaje (a Tc 25deg) 5.5A. | Transferencia Directa IRF330 datasheet de General Electric Solid State |
pdf 167 kb |
| IRF323 | Vista IRF330 a nuestro catálogo | IRF330-333 |