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IRF332 Fabricado cerca: |
N-canal de energía en modo de enriquecimiento de efecto de campo transistor. Drenaje-sourge 400V de tensión. Corriente continua de drenaje (a Tc 25deg) 4,5 A. Otros con el mismo archivo para el datasheet: IRF330, IRF333, IRF331, |
Transferencia Directa IRF332 datasheet de General Electric Solid State |
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MOSFETS de la ENERGÍA Del N-canal | Transferencia Directa IRF332 datasheet de Samsung Electronic |
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4,5 A y 5.5A, 350V y 400V, 1,0 y 1,5 ohmios, N-Channel MOSFET de potencia | Transferencia Directa IRF332 datasheet de Intersil |
pdf 63 kb |
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MOSFETs/5.Ä/350 V/400V De la Energía Del N-Canal Otros con el mismo archivo para el datasheet: IRF731, IRF733, IRF330-333, IRF732, |
Transferencia Directa IRF332 datasheet de Fairchild Semiconductor |
pdf 182 kb |
IRF3315STRR | Vista IRF332 a nuestro catálogo | IRF333 |