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| | Primera página | Todos los fabricantes | Por la función | |
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| IRF350 Fabricado cerca: | 
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 | MOSFETS de la ENERGÍA Del N-canal Otros con el mismo archivo para el datasheet: IRF353, IRF352, IRF351, |
Transferencia Directa IRF350 datasheet de Samsung Electronic |
pdf 217 kb |
 | N-canal de energía en modo de enriquecimiento de efecto de campo transistor. Drenaje-sourge 400V de tensión. Corriente continua de drenaje (a Tc 25deg) 15A. | Transferencia Directa IRF350 datasheet de General Electric Solid State |
pdf 197 kb |
 | MOSFETs/1Ä/350V/400V De la Energía Del N-Canal Otros con el mismo archivo para el datasheet: IRF350-353, |
Transferencia Directa IRF350 datasheet de Fairchild Semiconductor |
pdf 122 kb |
 | 400V escogen el MOSFET del N-Canal hi-Rel-Rel en un paquete de To-20âe Otros con el mismo archivo para el datasheet: JANTXV2N6768, JANTX2N6768, 2N6768, |
Transferencia Directa IRF350 datasheet de International Rectifier |
pdf 150 kb |
 | Mosfet De la Energía Del 1Ä/400V/0,300 Ohmios/N-Canal | Transferencia Directa IRF350 datasheet de Intersil |
pdf 64 kb |
| IRF343 | Vista IRF350 a nuestro catálogo | IRF350-353 |