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| | Primera página | Todos los fabricantes | Por la función | |
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| IRF430 Fabricado cerca: | 
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 | N-canal de energía en modo de enriquecimiento de efecto de campo transistor. Drenaje-sourge 500V de tensión. Corriente continua de drenaje (a Tc 25deg) 4,5 A. Otros con el mismo archivo para el datasheet: IRF431, IRF433, IRF432, |
Transferencia Directa IRF430 datasheet de General Electric Solid State |
pdf 167 kb |
 | Energía A MOSFETs/4,5/450V/500V Del N-Canal Otros con el mismo archivo para el datasheet: IRF833, IRF831, IRF832, IRF430-433, |
Transferencia Directa IRF430 datasheet de Fairchild Semiconductor |
pdf 146 kb |
 | MOSFETS de la ENERGÍA Del N-canal | Transferencia Directa IRF430 datasheet de Samsung Electronic |
pdf 216 kb |
 | Mosfet De la Energía De 4.Ä/De 500V/1,500 Ohmios/N-Canal | Transferencia Directa IRF430 datasheet de Intersil |
pdf 61 kb |
 | 500V escogen el MOSFET del N-Canal hi-Rel-Rel en un paquete de To-20âa Otros con el mismo archivo para el datasheet: JANTX2N6762, JANTXV2N6762, 2N6762, |
Transferencia Directa IRF430 datasheet de International Rectifier |
pdf 151 kb |
 | Mosfet de la ENERGÍA Del N-canal | Transferencia Directa IRF430 datasheet de SemeLAB |
pdf 27 kb |
| IRF423 | Vista IRF430 a nuestro catálogo | IRF430-433 |