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IRF510 Fabricado cerca: |
MOSFET de potencia de canal N, 100V, 5.6A Otros con el mismo archivo para el datasheet: IRF511, IRF512, IRF513, |
Transferencia Directa IRF510 datasheet de Harris Semiconductor |
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5.Ã, 100V, 0,540 Ohmios, Mosfet De la Energía Del N-Canal | Transferencia Directa IRF510 datasheet de Fairchild Semiconductor |
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100V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete de To-220ab | Transferencia Directa IRF510 datasheet de International Rectifier |
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N-canal de energía en modo de enriquecimiento de efecto de campo transistor. Drenaje-sourge 100V de tensión. Corriente continua de drenaje (a Tc 25deg) 4.0A. | Transferencia Directa IRF510 datasheet de General Electric Solid State |
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FETs Verticales De la Energía Del Realce-Modo DMOS Del N-Canal | Transferencia Directa IRF510 datasheet de Supertex Inc |
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Mosfet De la Energía De 5.Ã/De 100V/0,540 Ohmios/N-Canal | Transferencia Directa IRF510 datasheet de Intersil |
pdf 74 kb |
IRF500C10RJ | Vista IRF510 a nuestro catálogo | IRF510-513 |