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Opinión todos los datasheets de ON SemiconductorN-Canal Del Realce-Modo de Silicon Puerta Transferencia Directa IRF530 datasheet de
ON Semiconductor
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Opinión todos los datasheets de SGS Thomson MicroelectronicsN - TRANSISTOR Del MOS De la ENERGÍA Del MODO Del REALCE Del CANAL

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Motorola
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Opinión todos los datasheets de TRSYSPUERTA de SILICIO Del Realce-modo Del N-canal Transferencia Directa IRF530 datasheet de
TRSYS
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Opinión todos los datasheets de SGS Thomson MicroelectronicsTRANSISTORES del MOS de la ENERGÍA del MODO del REALCE Del N-canal Transferencia Directa IRF530 datasheet de
SGS Thomson Microelectronics
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Opinión todos los datasheets de Samsung ElectronicMOSFETS de la ENERGÍA Del N-canal Transferencia Directa IRF530 datasheet de
Samsung Electronic
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Opinión todos los datasheets de Fairchild Semiconductor1Â, 100V, 0,160 Ohmios, MOSFETs De la Energía Del N-Canal Transferencia Directa IRF530 datasheet de
Fairchild Semiconductor
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Opinión todos los datasheets de International Rectifier100V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete de To-220ab

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International Rectifier
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Opinión todos los datasheets de General Electric Solid StateN-canal de energía en modo de enriquecimiento de efecto de campo transistor. Drenaje-sourge 100V de tensión. Corriente continua de drenaje (a Tc 25deg) 14A. Transferencia Directa IRF530 datasheet de
General Electric Solid State
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Opinión todos los datasheets de TRANSYS Electronics Limited100 V, potencia transistor de efecto de campo Transferencia Directa IRF530 datasheet de
TRANSYS Electronics Limited
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Opinión todos los datasheets de ST MicroelectronicsN-canal 100V - 0,115 OHMIOS - Mosfet BAJO de la ENERGÍA de la CARGA STRIPFET II de la PUERTA Del 1Â To-220 Transferencia Directa IRF530 datasheet de
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IRF523Vista IRF530 a nuestro catálogoIRF530-D



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