 |
|
| | Primera página | Todos los fabricantes | Por la función | |
|
| Salto rápido a: 1N 2N 2SA 2SC 74 AD BA BC BD BF BU CXA HCF IRF KA KIA LA LM MC NE ST STK TDA TL UA |  |  |
| IRF533 Fabricado cerca: | 
|
 | TRANSISTOR de EFECTO de CAMPO de la ENERGÍA de la PUERTA de SILICIO Del Realce-modo Del N-canal TMOS Otros con el mismo archivo para el datasheet: IRF530, IRF531, IRF532, |
Transferencia Directa IRF533 datasheet de Motorola |
pdf 163 kb |
 | MOSFETS de la ENERGÍA Del N-canal | Transferencia Directa IRF533 datasheet de Samsung Electronic |
pdf 358 kb |
 | Energía Del N-Canal A MOSFETs/20/60-100 V Otros con el mismo archivo para el datasheet: IRF130, IRF132, IRF131, IRF133, IRF130-133, |
Transferencia Directa IRF533 datasheet de Fairchild Semiconductor |
pdf 185 kb |
 | N-canal de energía en modo de enriquecimiento de efecto de campo transistor. Drenaje-sourge 60V de tensión. Corriente continua de drenaje (a Tc 25deg) 12A. | Transferencia Directa IRF533 datasheet de General Electric Solid State |
pdf 168 kb |
 | MOSFET de canal N, 80V, 12A Otros con el mismo archivo para el datasheet: IRF531F1, IRF532F1, IRF533F1, IRF530F1, |
Transferencia Directa IRF533 datasheet de SGS Thomson Microelectronics |
pdf 193 kb |
| IRF532FI | Vista IRF533 a nuestro catálogo | IRF533F1 |