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IRF610 Fabricado cerca: |
N-canal de energía en modo de enriquecimiento de efecto de campo transistor. Drenaje-sourge 200V de tensión. Corriente continua de drenaje (a Tc 25deg) 2.5A. Otros con el mismo archivo para el datasheet: IRF611, IRF613, IRF612, |
Transferencia Directa IRF610 datasheet de General Electric Solid State |
pdf 170 kb |
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Mosfet De la Energía De 3.Á/De 200V/1,500 Ohmios/N-Canal | Transferencia Directa IRF610 datasheet de Intersil |
pdf 60 kb |
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3.Á, 200V, 1,500 Ohmios, Mosfet De la Energía Del N-Canal | Transferencia Directa IRF610 datasheet de Fairchild Semiconductor |
pdf 96 kb |
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200V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete de To-220ab Otros con el mismo archivo para el datasheet: IRF610PBF, |
Transferencia Directa IRF610 datasheet de International Rectifier |
pdf 180 kb |
IRF5YZ48CM | Vista IRF610 a nuestro catálogo | IRF610-613 |