|   Primera página   |   Todos los fabricantes   |   Por la función   |  

Número de pieza, la descripción o el fabricante contener:  
Salto rápido a:   1N  2N  2SA  2SC  74  AD  BA  BC  BD  BF  BU  CXA  HCF  IRF  KA  KIA  LA  LM  MC  NE  ST  STK  TDA  TL  UA  



IRF610 Fabricado cerca:English Version for this page Version française pour cette page Deutsche Version für diese Seite Versione italiana per questa pagina Versão portuguese para esta página Russian Version Romanian Version
Opinión todos los datasheets de General Electric Solid StateN-canal de energía en modo de enriquecimiento de efecto de campo transistor. Drenaje-sourge 200V de tensión. Corriente continua de drenaje (a Tc 25deg) 2.5A.

Otros con el mismo archivo para el datasheet:
IRF611, IRF613, IRF612,
Transferencia Directa IRF610 datasheet de
General Electric Solid State
pdf
170 kb
Opinión todos los datasheets de IntersilMosfet De la Energía De 3.Á/De 200V/1,500 Ohmios/N-Canal Transferencia Directa IRF610 datasheet de
Intersil
pdf
60 kb
Opinión todos los datasheets de Fairchild Semiconductor3.Á, 200V, 1,500 Ohmios, Mosfet De la Energía Del N-Canal Transferencia Directa IRF610 datasheet de
Fairchild Semiconductor
pdf
96 kb
Opinión todos los datasheets de International Rectifier200V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete de To-220ab

Otros con el mismo archivo para el datasheet:
IRF610PBF,
Transferencia Directa IRF610 datasheet de
International Rectifier
pdf
180 kb
IRF5YZ48CMVista IRF610 a nuestro catálogoIRF610-613



© 2024 - www.DatasheetCatalog.com