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IRF611 Fabricado cerca: |
N-canal de energía en modo de enriquecimiento de efecto de campo transistor. Drenaje-sourge 150V de tensión. Corriente continua de drenaje (a Tc 25deg) 2.5A. Otros con el mismo archivo para el datasheet: IRF610, IRF613, IRF612, |
Transferencia Directa IRF611 datasheet de General Electric Solid State |
pdf 170 kb |
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MOSFETs/3.Ä/150-200V De la Energía Del N-Canal Otros con el mismo archivo para el datasheet: IRF610-613, |
Transferencia Directa IRF611 datasheet de Fairchild Semiconductor |
pdf 153 kb |
IRF610STRR | Vista IRF611 a nuestro catálogo | IRF612 |