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Opinión todos los datasheets de ON SemiconductorOBSOLETO - Power transistor de efecto campo Transferencia Directa IRF640 datasheet de
ON Semiconductor
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Opinión todos los datasheets de ST MicroelectronicsN-canal 200V - 0,150 OHMIOS - Mosfet del RECUBRIMIENTO del ACOPLAMIENTO De 1Å To-220/to-220fp

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ST Microelectronics
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Opinión todos los datasheets de Intersil18A, 200V, 0,180 Ohmios, N-Channel MOSFET de potencia

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RF1S640SM,
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Intersil
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Opinión todos los datasheets de International Rectifier200V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete de To-220ab

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International Rectifier
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Opinión todos los datasheets de SGS Thomson MicroelectronicsN-canal 200V - 0,150 OHMIOS - Mosfet del RECUBRIMIENTO del ACOPLAMIENTO De 1Å To-220/to-220fp Transferencia Directa IRF640 datasheet de
SGS Thomson Microelectronics
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Opinión todos los datasheets de SGS Thomson MicroelectronicsN - CANAL 200V - Los 0.150Ohm - Mosfet del RECUBRIMIENTO del ACOPLAMIENTO De 1Å To-220/to-220fp Transferencia Directa IRF640 datasheet de
SGS Thomson Microelectronics
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Opinión todos los datasheets de Philipstransistor de TrenchMOS(tm) del N-canal Transferencia Directa IRF640 datasheet de
Philips
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Opinión todos los datasheets de Fairchild Semiconductor1Å, 200V, 0,180 Ohmios, MOSFETs De la Energía Del N-Canal Transferencia Directa IRF640 datasheet de
Fairchild Semiconductor
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IRF634STRRVista IRF640 a nuestro catálogoIRF640-D



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