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IRF721 Fabricado cerca: |
MOSFET de canal N, 350V, 3.3A Otros con el mismo archivo para el datasheet: IRF721F1, IRF722, IRF722F1, IRF723, IRF720F1, |
Transferencia Directa IRF721 datasheet de SGS Thomson Microelectronics |
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N-canal de energía en modo de enriquecimiento de efecto de campo transistor. Drenaje-sourge 350V de tensión. Corriente continua de drenaje (a Tc 25deg) 3.0A. Otros con el mismo archivo para el datasheet: IRF720, |
Transferencia Directa IRF721 datasheet de General Electric Solid State |
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MOSFETS de la ENERGÍA Del N-canal | Transferencia Directa IRF721 datasheet de Samsung Electronic |
pdf 278 kb |
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N-canal de los TRANSISTORES | Transferencia Directa IRF721 datasheet de International Rectifier |
pdf 558 kb |
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Energía Del N-Canal A MOSFETs/3,0/350-400 V Otros con el mismo archivo para el datasheet: IRF322, IRF320-323, IRF321, IRF320, IRF323, |
Transferencia Directa IRF721 datasheet de Fairchild Semiconductor |
pdf 170 kb |
IRF720STRR | Vista IRF721 a nuestro catálogo | IRF7210 |