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IRF731 Fabricado cerca: |
N-canal de energía en modo de enriquecimiento de efecto de campo transistor. Drenaje-sourge 350V de tensión. Corriente continua de drenaje (a Tc 25deg) 5.5A. Otros con el mismo archivo para el datasheet: IRF733, IRF730, IRF732, |
Transferencia Directa IRF731 datasheet de General Electric Solid State |
pdf 166 kb |
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MOSFETs/5.Ä/350 V/400V De la Energía Del N-Canal Otros con el mismo archivo para el datasheet: IRF330, IRF330-333, IRF331, IRF332, IRF333, |
Transferencia Directa IRF731 datasheet de Fairchild Semiconductor |
pdf 182 kb |
IRF730STRR | Vista IRF731 a nuestro catálogo | IRF7311 |