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IRF821 Fabricado cerca: |
MOSFET de canal N, 450V, 2.5A Otros con el mismo archivo para el datasheet: IRF821FI, IRF823, IRF823FI, |
Transferencia Directa IRF821 datasheet de SGS Thomson Microelectronics |
pdf 346 kb |
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Puerta De Silicio Del Realce-Modo Del N-canal TMOS Otros con el mismo archivo para el datasheet: IRF820, |
Transferencia Directa IRF821 datasheet de Motorola |
pdf 146 kb |
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N-canal de energía en modo de enriquecimiento de efecto de campo transistor. Drenaje-sourge 450V de tensión. Corriente continua de drenaje (a Tc 25deg) 2.5A. Otros con el mismo archivo para el datasheet: IRF822, |
Transferencia Directa IRF821 datasheet de General Electric Solid State |
pdf 169 kb |
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Energía Del N-Canal A MOSFETs/3,0/450 V/500 V Otros con el mismo archivo para el datasheet: IRF420, IRF423, IRF422, IRF421, IRF420-423, |
Transferencia Directa IRF821 datasheet de Fairchild Semiconductor |
pdf 162 kb |
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MOSFETS de la ENERGÍA Del N-canal | Transferencia Directa IRF821 datasheet de Samsung Electronic |
pdf 327 kb |
IRF820STRR | Vista IRF821 a nuestro catálogo | IRF821FI |