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Opinión todos los datasheets de SGS Thomson MicroelectronicsMOSFET de canal N, 450V, 2.2A

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SGS Thomson Microelectronics
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Opinión todos los datasheets de General Electric Solid StateN-canal de energía en modo de enriquecimiento de efecto de campo transistor. Drenaje-sourge 450V de tensión. Corriente continua de drenaje (a Tc 25deg) 2.0A.

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Opinión todos los datasheets de Fairchild SemiconductorEnergía Del N-Canal A MOSFETs/3,0/450 V/500 V

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Opinión todos los datasheets de MotorolaPuerta De Silicio Del Realce-Modo Del N-canal TMOS Transferencia Directa IRF823 datasheet de
Motorola
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Opinión todos los datasheets de Samsung ElectronicMOSFETS de la ENERGÍA Del N-canal Transferencia Directa IRF823 datasheet de
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IRF822FIVista IRF823 a nuestro catálogoIRF823FI



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