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Opinión todos los datasheets de ST MicroelectronicsN-canal 500V - 1,35 OHMIOS - 4.Ä - Mosfet De To-220 POWERMESH Transferencia Directa IRF830 datasheet de
ST Microelectronics
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Opinión todos los datasheets de SGS Thomson MicroelectronicsN - CANAL 500V - 1.35W - 4.Ä - Mosfet De To-220 PowerMESH Transferencia Directa IRF830 datasheet de
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Opinión todos los datasheets de TRANSYS Electronics Limited500 V, potencia transistor de efecto de campo Transferencia Directa IRF830 datasheet de
TRANSYS Electronics Limited
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Opinión todos los datasheets de BayLinearMOSFET DE LA ENERGÍA Transferencia Directa IRF830 datasheet de
BayLinear
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Opinión todos los datasheets de Fairchild Semiconductor4.Ä, 500V, 1,500 Ohmios, Mosfet De la Energía Del N-Canal Transferencia Directa IRF830 datasheet de
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Opinión todos los datasheets de ON SemiconductorPoder transistor de efecto campo Transferencia Directa IRF830 datasheet de
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Opinión todos los datasheets de International Rectifier500V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete de To-220ab

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International Rectifier
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Opinión todos los datasheets de PhilipsEnergía de la avalancha del transistor de PowerMOS clasificada Transferencia Directa IRF830 datasheet de
Philips
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Opinión todos los datasheets de General Electric Solid StateN-canal de energía en modo de enriquecimiento de efecto de campo transistor. Drenaje-sourge 500V de tensión. Corriente continua de drenaje (a Tc 25deg) 4,5 A.

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General Electric Solid State
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Opinión todos los datasheets de IntersilMosfet De la Energía De 4.Ä/De 500V/1,500 Ohmios/N-Canal Transferencia Directa IRF830 datasheet de
Intersil
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Opinión todos los datasheets de TRSYSMODO del REALCE Del N-canal Transferencia Directa IRF830 datasheet de
TRSYS
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IRF82FIVista IRF830 a nuestro catálogoIRF830-D



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