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 | 4M x 4 bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera. 3.3V Tensión de alimentación, ciclo de actualización de 2K. Otros con el mismo archivo para el datasheet: K4E170411D-F, K4E170412D-F, K4E170412D-B, K4E160411D-B, K4E160411D-F, |
Transferencia Directa K4E160412D-F datasheet de Samsung Electronic |
pdf 258 kb |
| K4E160412D-B | Vista K4E160412D-F a nuestro catálogo | K4E160811D |