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 | 16M x 4 bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera. 3.3V, 8K refrescar ciclo. Otros con el mismo archivo para el datasheet: K4E660412D-JC_L, K4E640412D-TC_L, K4E640412D-JC_L, |
Transferencia Directa K4E660412D-TC_L datasheet de Samsung Electronic |
pdf 420 kb |
| K4E660412D-JC_L | Vista K4E660412D-TC_L a nuestro catálogo | K4E660412E, K4E640412E |