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| TC55257BTRL-85L Fabricado cerca: | 
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 | 85ns; V (dd / in): -0,3 a + 7.0V; El silicio CMOS estropeado: 32.768 palabra x 8 bits STAIC RAM Otros con el mismo archivo para el datasheet: TC55257BTRL-10L, TC55257BSPL-85L, TC55257BSPL-10L, TC55257BPL-85L, |
Transferencia Directa TC55257BTRL-85L datasheet de TOSHIBA |
pdf 429 kb |
| TC55257BTRL-10L | Vista TC55257BTRL-85L a nuestro catálogo | TC55257CPI-10L |