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Nr.Nombre de la parteDescripciónFabricante
3012N65338 Un transistor de potencia NPN Darlington. 120 V. 60 W. Ganancia de 1000 a las 3 A.General Electric Solid State
3022N6542De potencia de conmutación de transistor NPN 3A.General Electric Solid State
3032N6544De potencia de conmutación de transistor NPN 5A.General Electric Solid State
3042N6545De potencia de conmutación de transistor NPN 5A.General Electric Solid State
3052N6546De potencia de conmutación de transistor NPN 10A.General Electric Solid State
3062N657615 A NPN Darlington transistor de potencia. 60 V. 120 W. Ganancia de 2000 a las 4 A.General Electric Solid State
3072N657715 A NPN Darlington transistor de potencia. 90 V. 120 W. Ganancia de 2000 a las 4 A.General Electric Solid State
3082N657815 A NPN Darlington transistor de potencia. 120 V. 120 W. Ganancia de 2000 a las 4 A.General Electric Solid State
3092N6609Silicio PNP epitaxial-base del transistor de alta potencia. -160V, 150W.General Electric Solid State
3102N664810 Un transistor de potencia PNP Darlington. -40 V. 70 W. Ganancia de 1000 a las 5 A.General Electric Solid State
3112N664910 Un transistor de potencia PNP Darlington. -60 V. 70 W. Ganancia de 1000 a las 5 A.General Electric Solid State
3122N665010 Un transistor de potencia PNP Darlington. -80 V. 70 W. Ganancia de 1000 a las 5 A.General Electric Solid State
3132N666610 Un transistor de potencia PNP Darlington. -40 V. 65 W. Ganancia de 1000 a las 3 A.General Electric Solid State
3142N666710 Un transistor de potencia PNP Darlington. -60 V. 65 W. Ganancia de 1000 a las 5 A.General Electric Solid State
3152N666810 Un transistor de potencia PNP Darlington. -80 V. 65 W. Ganancia de 1000 a las 5 A.General Electric Solid State
3162N66715 Un transistor de potencia SwitchMax. Alto voltaje tipo NPN.General Electric Solid State
3172N66725 Un transistor de potencia SwitchMax. Alto voltaje tipo NPN.General Electric Solid State
3182N66735 Un transistor de potencia SwitchMax. Alto voltaje tipo NPN.General Electric Solid State
3192N667615 Un transistor de potencia SwitchMax. Alto voltaje tipo NPN.General Electric Solid State
3202N667715 Un transistor de potencia SwitchMax. Alto voltaje tipo NPN.General Electric Solid State
3212N667815 Un transistor de potencia SwitchMax. Alto voltaje tipo NPN.General Electric Solid State
3222N668625 Un transistor de potencia SwitchMax. Tipo NPN.General Electric Solid State
3232N668725 Un transistor de potencia SwitchMax. Tipo NPN.General Electric Solid State
3242N668825 Un transistor de potencia SwitchMax. Tipo NPN.General Electric Solid State
3252N6702De alta corriente de silicio NPN VERSAWATT transistor.General Electric Solid State
3262N6703De alta corriente de silicio NPN VERSAWATT transistor.General Electric Solid State
3272N6704De alta corriente de silicio NPN VERSAWATT transistor.General Electric Solid State



3282N67515 Un transistor de potencia SwitchMax. Alto voltaje tipo NPN.General Electric Solid State
3292N67525 Un transistor de potencia SwitchMax. Alto voltaje tipo NPN.General Electric Solid State
3302N67535 Un transistor de potencia SwitchMax. Alto voltaje tipo NPN.General Electric Solid State
3312N67545 Un transistor de potencia SwitchMax. Alto voltaje tipo NPN.General Electric Solid State
3322N6755N-canal de energía en modo de enriquecimiento de efecto de campo transistor. Drenaje-sourge 60V de tensión. Corriente continua de drenaje (a Tc 25deg) 12A.General Electric Solid State
3332N6756N-canal de energía en modo de enriquecimiento de efecto de campo transistor. Drenaje-sourge 100V de tensión. Corriente continua de drenaje (a Tc 25deg) 14A.General Electric Solid State
3342N6757N-canal de energía en modo de enriquecimiento de efecto de campo transistor. Drenaje-sourge 150V de tensión. Corriente continua de drenaje (a Tc 25deg) 8.0A.General Electric Solid State
3352N6758N-canal de energía en modo de enriquecimiento de efecto de campo transistor. Drenaje-sourge 200V de tensión. Corriente continua de drenaje (a Tc 25deg) 9.0a.General Electric Solid State
3362N6759N-canal de energía en modo de enriquecimiento de efecto de campo transistor. Drenaje-sourge 350V de tensión. Corriente continua de drenaje (a Tc 25deg) 4,5 A.General Electric Solid State
3372N6760N-canal de energía en modo de enriquecimiento de efecto de campo transistor. Drenaje-sourge 400V de tensión. Corriente continua de drenaje (a Tc 25deg) 5.5A.General Electric Solid State
3382N6761N-canal de energía en modo de enriquecimiento de efecto de campo transistor. Drenaje-sourge 450V de tensión. Corriente continua de drenaje (a Tc 25deg) 4.0A.General Electric Solid State
3392N6762N-canal de energía en modo de enriquecimiento de efecto de campo transistor. Drenaje-sourge 500V de tensión. Corriente continua de drenaje (a Tc 25deg) 4,5 A.General Electric Solid State
3402N6764N-canal de energía en modo de enriquecimiento de efecto de campo transistor. Drenaje-sourge 100V de tensión. Corriente continua de drenaje (a Tc 25deg) 38A.General Electric Solid State
3412N6766N-canal de energía en modo de enriquecimiento de efecto de campo transistor. Drenaje-sourge 200V de tensión. Corriente continua de drenaje (a Tc 25deg) 30A.General Electric Solid State
3422N6782N-canal de energía en modo de enriquecimiento de efecto de campo transistor. 3.5 A, 100 V.General Electric Solid State
3432N6788N-canal de energía en modo de enriquecimiento de efecto de campo transistor. 6,0 A, 100 V.General Electric Solid State
3442N6796N-canal de energía en modo de enriquecimiento de efecto de campo transistor. 8,0 A, 100 V.General Electric Solid State
3452N68125A rectificador controlado de silicio. Vrsom 35V.General Electric Solid State
3462N68225A rectificador controlado de silicio. Vrsom 75V.General Electric Solid State
3472N68325A rectificador controlado de silicio. Vrsom 150V.General Electric Solid State
3482N68425A rectificador controlado de silicio. Vrsom 225V.General Electric Solid State
3492N68525A rectificador controlado de silicio. Vrsom 300V.General Electric Solid State
3502N68625A rectificador controlado de silicio. Vrsom 350V.General Electric Solid State

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