|   Primera página   |   Todos los fabricantes   |   Por la función   |  

Número de pieza, la descripción o el fabricante contener:  
Salto rápido a:   1N  2N  2SA  2SC  74  AD  BA  BC  BD  BF  BU  CXA  HCF  IRF  KA  KIA  LA  LM  MC  NE  ST  STK  TDA  TL  UA  



Hojas de datos encontradas :: 1013 English Version for this page Version française pour cette page Deutsche Version für diese Seite Versione italiana per questa pagina Versão portuguese para esta página Russian Version Romanian Version
Nr.Nombre de la parteDescripciónFabricante
401BD242Epitaxial del silicio de PNP-base VERSAWATT transistor. Vcer -55V, 40W.General Electric Solid State
402BD242AEpitaxial del silicio de PNP-base VERSAWATT transistor. Vcer -70V, 40W.General Electric Solid State
403BD242BEpitaxial del silicio de PNP-base VERSAWATT transistor. Vcer -90V, 40W.General Electric Solid State
404BD242CEpitaxial del silicio de PNP-base VERSAWATT transistor. Vcer -115V, 40W.General Electric Solid State
405BD243Epitaxial del silicio NPN VERSAWATT-base del transistor. Vcer 55V, 65W.General Electric Solid State
406BD243AEpitaxial del silicio NPN VERSAWATT-base del transistor. Vcer 70V, 65W.General Electric Solid State
407BD243BEpitaxial del silicio NPN VERSAWATT-base del transistor. Vcer 90V, 65W.General Electric Solid State
408BD243CEpitaxial del silicio NPN VERSAWATT-base del transistor. Vcer 115V, 65W.General Electric Solid State
409BD244Epitaxial del silicio de PNP-base VERSAWATT transistor. Vcer -55V, 65W.General Electric Solid State
410BD244AEpitaxial del silicio de PNP-base VERSAWATT transistor. Vcer -70V, 65W.General Electric Solid State
411BD244BEpitaxial del silicio de PNP-base VERSAWATT transistor. Vcer -90V, 65W.General Electric Solid State
412BD244CEpitaxial del silicio de PNP-base VERSAWATT transistor. Vcer -115V, 65W.General Electric Solid State
413BD277TRANSISTORES BAJOS EPITAXIAL DEL SILICIO PNP VERSAWATT DE 7-A 70-WGeneral Electric Solid State
414BD277TRANSISTORES BAJOS EPITAXIAL DEL SILICIO PNP VERSAWATT DE 7-A 70-WGeneral Electric Solid State
415BD533Epitaxial del silicio NPN VERSAWATT-base del transistor. 45V, 50W.General Electric Solid State
416BD534Epitaxial del silicio de PNP-base VERSAWATT transistor. -45V, 50W.General Electric Solid State
417BD535Epitaxial del silicio NPN VERSAWATT-base del transistor. 60V, 50W.General Electric Solid State
418BD536Epitaxial del silicio de PNP-base VERSAWATT transistor. -60V, 50W.General Electric Solid State
419BD537Epitaxial del silicio NPN VERSAWATT-base del transistor. 80V, 50W.General Electric Solid State
420BD538Epitaxial del silicio de PNP-base VERSAWATT transistor. -80V, 50W.General Electric Solid State
421BD550TRANSISTOR DEL SILICIO PARA CUASI - LOS AMPLIFICADORES AUDIO DE LA SIMETRÍA COMPLEMENTARIAGeneral Electric Solid State
422BD550TRANSISTOR DEL SILICIO PARA CUASI - LOS AMPLIFICADORES AUDIO DE LA SIMETRÍA COMPLEMENTARIAGeneral Electric Solid State
423BD550BTRANSISTOR DEL SILICIO PARA CUASI - LOS AMPLIFICADORES AUDIO DE LA SIMETRÍA COMPLEMENTARIAGeneral Electric Solid State
424BD550BTRANSISTOR DEL SILICIO PARA CUASI - LOS AMPLIFICADORES AUDIO DE LA SIMETRÍA COMPLEMENTARIAGeneral Electric Solid State
425BD6438 Un transistor de potencia NPN Darlington. 45 V. 70 W. Ganancia de 750 a 3 A.General Electric Solid State
426BD6458 Un transistor de potencia NPN Darlington. 60 V. 70 W. Ganancia de 750 a 3 A.General Electric Solid State



427BD6478 Un transistor de potencia NPN Darlington. 80 V. 70 W. Ganancia de 750 a 3 A.General Electric Solid State
428BD6498 Un transistor de potencia NPN Darlington. 100 V. 70 W. Ganancia de 750 a 3 A.General Electric Solid State
429BD795Epitaxial-base, el silicio NPN VERSAWATT transistor. 45V, 65W.General Electric Solid State
430BD796Epitaxial-base, el silicio PNP VERSAWATT transistor. -45V, 65W.General Electric Solid State
431BD797Epitaxial-base, el silicio NPN VERSAWATT transistor. 60V, 65W.General Electric Solid State
432BD798Epitaxial-base, el silicio PNP VERSAWATT transistor. -60V, 65W.General Electric Solid State
433BD799Epitaxial-base, el silicio NPN VERSAWATT transistor. 80V, 65W.General Electric Solid State
434BD800Epitaxial-base, el silicio PNP VERSAWATT transistor. -80V, 65W.General Electric Solid State
435BD801Epitaxial-base, el silicio NPN VERSAWATT transistor. 100V, 65W.General Electric Solid State
436BD802Epitaxial-base, el silicio PNP VERSAWATT transistor. -100V, 65W.General Electric Solid State
437BD8958 Un transistor de potencia NPN Darlington. 45 V. 70 W.General Electric Solid State
438BD895A8 Un transistor de potencia NPN Darlington. 45 V. 70 W.General Electric Solid State
439BD8978 Un transistor de potencia NPN Darlington. 60 V. 70 W.General Electric Solid State
440BD897A8 Un transistor de potencia NPN Darlington. 60 V. 70 W.General Electric Solid State
441BD8998 Un transistor de potencia NPN Darlington. 80 V. 70 W.General Electric Solid State
442BD899A8 Un transistor de potencia NPN Darlington. 80 V. 70 W.General Electric Solid State
443BD9018 Un transistor de potencia NPN Darlington. 100 V. 70 W.General Electric Solid State
444BDY29TRANSISTOR ACTUAL ALTO DE LA ALTA ENERGÍAGeneral Electric Solid State
445BDY29TRANSISTOR ACTUAL ALTO DE LA ALTA ENERGÍAGeneral Electric Solid State
446BTA22TRIAC DEL SILICIO 10-AGeneral Electric Solid State
447BTA22TRIAC DEL SILICIO 10-AGeneral Electric Solid State
448BTA22BTRIAC DEL SILICIO 10-AGeneral Electric Solid State
449BTA22BTRIAC DEL SILICIO 10-AGeneral Electric Solid State
450BTA22CTRIAC DEL SILICIO 10-AGeneral Electric Solid State

Página: | 1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | 7 | 8 | 9 | 10 | 11 | 12 | 13 | 14 | 15 | 16 | 17 | 18 | 19 | 20 | 21 |


© 2023    www.datasheetcatalog.net/es/generalelectricsolidstate/1/