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Nr.Nombre de la parteDescripciónFabricante
8101IRHNB8160el solo N-Canal TID de 100V 1000kRad hi-Rel-Rel endureció el MOSFET en un paquete Smd-3International Rectifier
8102IRHNB8260el solo N-Canal TID de 200V 1000kRad hi-Rel-Rel endureció el MOSFET en un paquete Smd-3International Rectifier
8103IRHNB8Z60el solo N-Canal TID de 30V 1000kRad hi-Rel-Rel endureció el MOSFET en un paquete Smd-3International Rectifier
8104IRHNJ3130TECNOLOGÍA RAD-Dura del Mosfet De 100V, N-CHANNEL HEXFETInternational Rectifier
8105IRHNJ4130TECNOLOGÍA RAD-Dura del Mosfet De 100V, N-CHANNEL HEXFETInternational Rectifier
8106IRHNJ53034LA RADIACIÓN ENDURECIÓ EL MONTAJE DE LA SUPERFICIE DEL MOSFET DE LA ENERGÍA (SMD-0.5)International Rectifier
8107IRHNJ53130el solo N-Canal TID de 100V 100kRad hi-Rel-Rel endureció el MOSFET en un paquete Smd-0.5International Rectifier
8108IRHNJ53230LA RADIACIÓN ENDURECIÓ EL MONTAJE DE LA SUPERFICIE DEL MOSFET DE LA ENERGÍA (SMD-0.5)International Rectifier
8109IRHNJ53Z30LA RADIACIÓN ENDURECIÓ EL MONTAJE DE LA SUPERFICIE DEL MOSFET DE LA ENERGÍA (SMD-0.5)International Rectifier
8110IRHNJ54034LA RADIACIÓN ENDURECIÓ EL MONTAJE DE LA SUPERFICIE DEL MOSFET DE LA ENERGÍA (SMD-0.5)International Rectifier
8111IRHNJ54130el solo N-Canal TID de 100V 100kRad hi-Rel-Rel endureció el MOSFET en un paquete Smd-0.5International Rectifier
8112IRHNJ54230LA RADIACIÓN ENDURECIÓ EL MONTAJE DE LA SUPERFICIE DEL MOSFET DE LA ENERGÍA (SMD-0.5)International Rectifier
8113IRHNJ54Z30LA RADIACIÓN ENDURECIÓ EL MONTAJE DE LA SUPERFICIE DEL MOSFET DE LA ENERGÍA (SMD-0.5)International Rectifier
8114IRHNJ57034el solo N-Canal TID de 60V 100kRad hi-Rel-Rel endureció el MOSFET en un paquete Smd-0.5International Rectifier
8115IRHNJ57130el solo N-Canal TID de 100V 100kRad hi-Rel-Rel endureció el MOSFET en un paquete Smd-0.5International Rectifier
8116IRHNJ57133SEel solo N-Canal de 130V 100kRad hi-Rel-Rel CONSIDERA EL MOSFET endurecido en un paquete Smd-0.5International Rectifier
8117IRHNJ57230el solo N-Canal TID de 200V 100kRad hi-Rel-Rel endureció el MOSFET en un paquete Smd-0.5International Rectifier
8118IRHNJ57230SEel solo N-Canal de 200V 100kRad hi-Rel-Rel CONSIDERA EL MOSFET endurecido en un paquete Smd-0.5International Rectifier
8119IRHNJ57234SEel solo N-Canal de 250V 100kRad hi-Rel-Rel CONSIDERA EL MOSFET endurecido en un paquete Smd-0.5International Rectifier
8120IRHNJ57Z30el solo N-Canal TID de 30V 100kRad hi-Rel-Rel endureció el MOSFET en un paquete Smd-0.5International Rectifier
8121IRHNJ58034el solo N-Canal TID de 60V 1000kRad hi-Rel-Rel endureció el MOSFET en un paquete Smd-0.5International Rectifier
8122IRHNJ58130el solo N-Canal TID de 100V 1000kRad hi-Rel-Rel endureció el MOSFET en un paquete Smd-0.5International Rectifier
8123IRHNJ58230el solo N-Canal TID de 200V 1000kRad hi-Rel-Rel endureció el MOSFET en un paquete Smd-0.5International Rectifier
8124IRHNJ58Z30el solo N-Canal TID de 30V 1000kRad hi-Rel-Rel endureció el MOSFET en un paquete Smd-0.5International Rectifier
8125IRHNJ591303el solo P-Canal TID de -100V 1000kRad hi-Rel-Rel endureció el MOSFET en un paquete Smd-0.5International Rectifier
8126IRHNJ592303el solo P-Canal TID de -200V 1000kRad hi-Rel-Rel endureció el MOSFET en un paquete Smd-0.5International Rectifier
8127IRHNJ593034el solo P-Canal TID de -60V 300kRad hi-Rel-Rel endureció el MOSFET en un paquete Smd-0.5International Rectifier
8128IRHNJ593130el solo P-Canal TID de -100V 1000kRad hi-Rel-Rel endureció el MOSFET en un paquete Smd-0.5International Rectifier
8129IRHNJ593230el solo P-Canal TID de -200V 1000kRad hi-Rel-Rel endureció el MOSFET en un paquete Smd-0.5International Rectifier
8130IRHNJ597034el solo P-Canal TID de -60V 100kRad hi-Rel-Rel endureció el MOSFET en un paquete Smd-0.5International Rectifier
8131IRHNJ597130el solo P-Canal TID de -100V 100kRad hi-Rel-Rel endureció el MOSFET en un paquete Smd-0.5International Rectifier
8132IRHNJ597230el solo P-Canal TID de -200V 100kRad hi-Rel-Rel endureció el MOSFET en un paquete Smd-0.5International Rectifier
8133IRHNJ598130el solo P-Canal TID de -100V 1000kRad hi-Rel-Rel endureció el MOSFET en un paquete Smd-0.5International Rectifier
8134IRHNJ598230el solo P-Canal TID de -200V 1000kRad hi-Rel-Rel endureció el MOSFET en un paquete Smd-0.5International Rectifier
8135IRHNJ7130el solo N-Canal TID de 100V 100kRad hi-Rel-Rel endureció el MOSFET en un paquete Smd-0.5International Rectifier
8136IRHNJ7230el solo N-Canal TID de 200V 100kRad hi-Rel-Rel endureció el MOSFET en un paquete Smd-0.5International Rectifier
8137IRHNJ7330SEel solo N-Canal de 400V 100kRad hi-Rel-Rel CONSIDERA EL MOSFET endurecido en un paquete Smd-0.5International Rectifier
8138IRHNJ7430SEel solo N-Canal de 500V 100kRad hi-Rel-Rel CONSIDERA EL MOSFET endurecido en un paquete Smd-0.5International Rectifier
8139IRHNJ8130el solo N-Canal TID de 100V 1000kRad hi-Rel-Rel endureció el MOSFET en un paquete Smd-0.5International Rectifier
8140IRHNJ8230el solo N-Canal TID de 200V 1000kRad hi-Rel-Rel endureció el MOSFET en un paquete Smd-0.5International Rectifier
8141IRHNJ9130el solo P-Canal TID de -100V 100kRad hi-Rel-Rel endureció el MOSFET en un paquete Smd-0.5International Rectifier
8142IRHNJ93130el solo P-Canal TID de -100V 300kRad hi-Rel-Rel endureció el MOSFET en un paquete Smd-0.5International Rectifier
8143IRHQ3110LA RADIACIÓN ENDURECIÓ EL MONTAJE DE LA SUPERFICIE DEL MOSFET DE LA ENERGÍA (LCC-28)International Rectifier
8144IRHQ4110LA RADIACIÓN ENDURECIÓ EL MONTAJE DE LA SUPERFICIE DEL MOSFET DE LA ENERGÍA (LCC-28)International Rectifier
8145IRHQ563110100V se doblan 2N- y MOSFET del canal 2P- en un paquete de los 28-pernos LCCInternational Rectifier
8146IRHQ563110(N)100V 300kRad hi-Rel-Rel 2N y 2P duales - el canal TID endureció el MOSFET en un paquete de los 28-pernos LCCInternational Rectifier
8147IRHQ563110(P)100V 300kRad hi-Rel-Rel 2N y 2P duales - el canal TID endureció el MOSFET en un paquete de los 28-pernos LCCInternational Rectifier
8148IRHQ567110100V se doblan 2N- y MOSFET del canal 2P- en un paquete de los 28-pernos LCCInternational Rectifier
8149IRHQ567110(N)100V 100kRad hi-Rel-Rel 2N y 2P duales - el canal TID endureció el MOSFET en un paquete de los 28-pernos LCCInternational Rectifier
8150IRHQ567110(P)100V 100kRad hi-Rel-Rel 2N y 2P duales - el canal TID endureció el MOSFET en un paquete de los 28-pernos LCCInternational Rectifier
8151IRHQ57110MOSFET del N-Canal del cuadrángulo 100V en un paquete de los 28-pernos LCCInternational Rectifier
8152IRHQ57110(N)cuadrángulo N de 100V 100kRad hi-Rel-Rel - el canal TID endureció el MOSFET en un paquete de los 28-pernos LCCInternational Rectifier
8153IRHQ57214SEcuadrángulo N de 250V 100kRad hi-Rel-Rel - el canal CONSIDERA EL MOSFET endurecido en un paquete de los 28-pernos LCCInternational Rectifier
8154IRHQ57214SE(N)MOSFET del N-Canal del cuadrángulo 250V en un paquete de los 28-pernos LCCInternational Rectifier
8155IRHQ58110MOSFET del N-Canal del cuadrángulo 100V en un paquete de los 28-pernos LCCInternational Rectifier
8156IRHQ58110(N)cuadrángulo N de 100V 1000kRad hi-Rel-Rel - el canal TID endureció el MOSFET en un paquete de los 28-pernos LCCInternational Rectifier
8157IRHQ593110MOSFET del P-Canal del cuadrángulo 100V en un paquete de los 28-pernos LCCInternational Rectifier
8158IRHQ593110(P)cuadrángulo P de -100V 300kRad hi-Rel-Rel - el canal TID endureció el MOSFET en un paquete de los 28-pernos LCCInternational Rectifier
8159IRHQ597110MOSFET del P-Canal del cuadrángulo 100V en un paquete de los 28-pernos LCCInternational Rectifier
8160IRHQ597110(P)cuadrángulo P de -100V 100kRad hi-Rel-Rel - el canal TID endureció el MOSFET en un paquete de los 28-pernos LCCInternational Rectifier
8161IRHQ6110100V se doblan 2N- y MOSFET del canal 2P- en un paquete de los 28-pernos LCCInternational Rectifier



8162IRHQ6110(N)100V 100kRad hi-Rel-Rel 2N y 2P duales - el canal TID endureció el MOSFET en un paquete de los 28-pernos LCCInternational Rectifier
8163IRHQ6110(P)-100V 100kRad hi-Rel-Rel 2N y 2P duales - el canal TID endureció el MOSFET en un paquete de los 28-pernos LCCInternational Rectifier
8164IRHQ63110100V se doblan 2N- y MOSFET del canal 2P- en un paquete de los 28-pernos LCCInternational Rectifier
8165IRHQ63110(N)100V 300kRad hi-Rel-Rel 2N y 2P duales - el canal TID endureció el MOSFET en un paquete de los 28-pernos LCCInternational Rectifier
8166IRHQ63110(P)-100V 300kRad hi-Rel-Rel 2N y 2P duales - el canal TID endureció el MOSFET en un paquete de los 28-pernos LCCInternational Rectifier
8167IRHQ7110MOSFET del N-Canal del cuadrángulo 100V en un paquete de los 28-pernos LCCInternational Rectifier
8168IRHQ7110(N)cuadrángulo N de 100V 100kRad hi-Rel-Rel - el canal TID endureció el MOSFET en un paquete de los 28-pernos LCCInternational Rectifier
8169IRHQ7214cuadrángulo N de 250V 100kRad hi-Rel-Rel - el canal TID endureció el MOSFET en un paquete de los 28-pernos LCCInternational Rectifier
8170IRHQ7214(N)MOSFET del N-Canal del cuadrángulo 250V en un paquete de los 28-pernos LCCInternational Rectifier
8171IRHQ8110MOSFET del N-Canal del cuadrángulo 100V en un paquete de los 28-pernos LCCInternational Rectifier
8172IRHQ8110(N)cuadrángulo N de 100V 1000kRad hi-Rel-Rel - el canal TID endureció el MOSFET en un paquete de los 28-pernos LCCInternational Rectifier
8173IRHQ8214cuadrángulo N de 250V 1000kRad hi-Rel-Rel - el canal TID endureció el MOSFET en un paquete de los 28-pernos LCCInternational Rectifier
8174IRHQ8214(N)MOSFET del N-Canal del cuadrángulo 250V en un paquete de los 28-pernos LCCInternational Rectifier
8175IRHQ9110MOSFET del P-Canal del cuadrángulo 100V en un paquete de los 28-pernos LCCInternational Rectifier
8176IRHQ9110(P)cuadrángulo P de -100V 300kRad hi-Rel-Rel - el canal TID endureció el MOSFET en un paquete de los 28-pernos LCCInternational Rectifier
8177IRHQ93110MOSFET del P-Canal del cuadrángulo 100V en un paquete de los 28-pernos LCCInternational Rectifier
8178IRHQ93110(P)cuadrángulo P de -100V 300kRad hi-Rel-Rel - el canal TID endureció el MOSFET en un paquete de los 28-pernos LCCInternational Rectifier
8179IRHSLNA57064hi-Rel-Rel MOSFET síncrono del N-Canal del rectificador 60V en un paquete Smd-2International Rectifier
8180IRHSLNA57Z60hi-Rel-Rel MOSFET síncrono del N-Canal del rectificador 30V en un paquete Smd-2International Rectifier
8181IRHSNA53064SUPERFICIE SÍNCRONA DEL RECTIFICADOR DE RAD-HARD MOUNT(SMD-2)International Rectifier
8182IRHSNA54064SUPERFICIE SÍNCRONA DEL RECTIFICADOR DE RAD-HARD MOUNT(SMD-2)International Rectifier
8183IRHSNA57064hi-Rel-Rel MOSFET síncrono del N-Canal del rectificador 60V en un paquete Smd-2International Rectifier
8184IRHSNA57Z60hi-Rel-Rel MOSFET síncrono del N-Canal del rectificador 30V en un paquete Smd-2International Rectifier
8185IRHSNA58064SUPERFICIE SÍNCRONA DEL RECTIFICADOR DE RAD-HARD MOUNT(SMD-2)International Rectifier
8186IRHY3230CMMOSFET ENDURECIDO RADIACIÓN THRU-HOLE (TO-257AA) DE LAENERGÍAInternational Rectifier
8187IRHY4230CMMOSFET ENDURECIDO RADIACIÓN THRU-HOLE (TO-257AA) DE LAENERGÍAInternational Rectifier
8188IRHY53130CM100V 100kRad JANS certificó hi-Rel-Rel el solo MOSFET endurecido TID del N-Canal en un paquete de To-257aa. También disponible en la radiación nivela hasta 1000KRad.International Rectifier
8189IRHY54130CM100V 100kRad JANS certificó hi-Rel-Rel el solo MOSFET endurecido TID del N-Canal en un paquete de To-257aa. También disponible en la radiación nivela hasta 1000KRad.International Rectifier
8190IRHY57034CMel solo N-Canal TID de 60V 100kRad hi-Rel-Rel endureció el MOSFET en un paquete de To-257aaInternational Rectifier
8191IRHY57130CM100V 100kRad JANS certificó hi-Rel-Rel el solo MOSFET endurecido TID del N-Canal en un paquete de To-257aa. También disponible en la radiación nivela hasta 1000KRad.International Rectifier
8192IRHY57133CMSEel solo N-Canal de 130V 100kRad hi-Rel-Rel CONSIDERA EL MOSFET endurecido en un paquete de To-257aaInternational Rectifier
8193IRHY57230CMel solo N-Canal TID de 200V 100kRad hi-Rel-Rel endureció el MOSFET en un paquete de To-257aaInternational Rectifier
8194IRHY57230CMSEel solo N-Canal de 200V 100kRad hi-Rel-Rel CONSIDERA EL MOSFET endurecido en un paquete de To-257aaInternational Rectifier
8195IRHY57234CMSEel solo N-Canal de 250V 100kRad hi-Rel-Rel CONSIDERA EL MOSFET endurecido en un paquete de To-257aaInternational Rectifier
8196IRHY57Z30CMel solo N-Canal TID de 30V 100kRad hi-Rel-Rel endureció el MOSFET en un paquete de To-257aaInternational Rectifier
8197IRHY58034CMel solo N-Canal TID de 60V 1000kRad hi-Rel-Rel endureció el MOSFET en un paquete de To-257aaInternational Rectifier
8198IRHY58130CMel solo N-Canal TID de 100V 1000kRad hi-Rel-Rel endureció el MOSFET en un paquete de To-257aaInternational Rectifier
8199IRHY58230CMel solo N-Canal TID de 200V 1000kRad hi-Rel-Rel endureció el MOSFET en un paquete de To-257aaInternational Rectifier
8200IRHY58Z30CMel solo N-Canal TID de 30V 1000kRad hi-Rel-Rel endureció el MOSFET en un paquete de To-257aaInternational Rectifier

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