Nr. | Nombre de la parte | Descripción | Fabricante |
101 | 7531 GROUP | Microordenador 8-Bit De la Sola Viruta Cmos | Mitsubishi Electric Corporation |
102 | 7531 GROUP | MICROORDENADOR 8-bit Monopastilla del Cmos | Mitsubishi Electric Corporation |
103 | BA01202 | IC del HÍBRIDO Del GaAs HBT | Mitsubishi Electric Corporation |
104 | BA01203 | IC del HÍBRIDO Del GaAs HBT | Mitsubishi Electric Corporation |
105 | BA01207 | IC del HÍBRIDO Del GaAs HBT | Mitsubishi Electric Corporation |
106 | BA01207 | IC del HÍBRIDO Del GaAs HBT | Mitsubishi Electric Corporation |
107 | BCR08AM-14 | Módulos Bipolares Integrados Del Transistor De la Puerta (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
108 | BCR08AM-14 | TIPO PLANAR DE LA PASIVACIÓN DEL USO BAJO DE LA ENERGÍA DEL SEMICONDUCTOR DE MITSUBISHI (TRIAC) | Mitsubishi Electric Corporation |
109 | BCR08AS-8 | Módulos Bipolares Integrados Del Transistor De la Puerta (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
110 | BCR08AS-8 | El USO BAJO de la ENERGÍA del SEMICONDUCTOR de MITSUBISHI (TRIAC) No-aislo' el TIPO, TIPO PLANAR de la PASIVACIÓN | Mitsubishi Electric Corporation |
111 | BCR10CM | El USO MEDIO de la ENERGÍA del SEMICONDUCTOR de MITSUBISHI (TRIAC) No-aislo' el TIPO, TIPO PLANAR de la PASIVACIÓN | Mitsubishi Electric Corporation |
112 | BCR10CM-12 | Módulos Bipolares Integrados Del Transistor De la Puerta (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
113 | BCR10CM-8 | Módulos Bipolares Integrados Del Transistor De la Puerta (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
114 | BCR10CS | El USO MEDIO de la ENERGÍA del SEMICONDUCTOR de MITSUBISHI (TRIAC) No-aislo' el TIPO, TIPO PLANAR de la PASIVACIÓN | Mitsubishi Electric Corporation |
115 | BCR10CS | Módulos Bipolares Integrados Del Transistor De la Puerta (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
116 | BCR10PM | Módulos Bipolares Integrados Del Transistor De la Puerta (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
117 | BCR10PM | TIPO AISLADO USO MEDIO DE LA ENERGÍA DEL SEMICONDUCTOR DE MITSUBISHI (TRIAC), TIPO PLANAR DE LA PASIVACIÓN | Mitsubishi Electric Corporation |
118 | BCR10UM | TIPO AISLADO USO MEDIO DE LA ENERGÍA DEL SEMICONDUCTOR DE MITSUBISHI (TRIAC), TIPO DE CRISTAL DE LA PASIVACIÓN | Mitsubishi Electric Corporation |
119 | BCR12 | El USO MEDIO de la ENERGÍA No-aislo' el TIPO/el TIPO PLANAR de la PASIVACIÓN | Mitsubishi Electric Corporation |
120 | BCR12CM | El USO MEDIO de la ENERGÍA del SEMICONDUCTOR de MITSUBISHI (TRIAC) No-aislo' el TIPO, TIPO PLANAR de la PASIVACIÓN | Mitsubishi Electric Corporation |
121 | BCR12CM-12 | Módulos Bipolares Integrados Del Transistor De la Puerta (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
122 | BCR12CM-8 | Módulos Bipolares Integrados Del Transistor De la Puerta (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
123 | BCR12CS | El USO MEDIO de la ENERGÍA del SEMICONDUCTOR de MITSUBISHI (TRIAC) No-aislo' el TIPO, TIPO PLANAR de la PASIVACIÓN | Mitsubishi Electric Corporation |
124 | BCR12CS-12 | Módulos Bipolares Integrados Del Transistor De la Puerta (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
125 | BCR12CS-8 | Módulos Bipolares Integrados Del Transistor De la Puerta (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
126 | BCR12KM-14 | TIPO AISLADO USO MEDIO DE LA ENERGÍA DEL SEMICONDUCTOR DE MITSUBISHI (TRIAC), TIPO PLANAR DE LA PASIVACIÓN | Mitsubishi Electric Corporation |
127 | BCR12PM | TIPO AISLADO USO MEDIO DE LA ENERGÍA DEL SEMICONDUCTOR DE MITSUBISHI (TRIAC), TIPO PLANAR DE LA PASIVACIÓN | Mitsubishi Electric Corporation |
128 | BCR12PM-12 | Módulos Bipolares Integrados Del Transistor De la Puerta (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
129 | BCR12PM-14 | TIPO AISLADO USO MEDIO DE LA ENERGÍA DEL SEMICONDUCTOR DE MITSUBISHI (TRIAC), TIPO PLANAR DE LA PASIVACIÓN | Mitsubishi Electric Corporation |
130 | BCR12PM-14 | Módulos Bipolares Integrados Del Transistor De la Puerta (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
131 | BCR12PM-8 | Módulos Bipolares Integrados Del Transistor De la Puerta (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
132 | BCR12UM | TIPO AISLADO USO MEDIO DE LA ENERGÍA DEL SEMICONDUCTOR DE MITSUBISHI (TRIAC), TIPO DE CRISTAL DE LA PASIVACIÓN | Mitsubishi Electric Corporation |
133 | BCR16A | USO MEDIO A, B, C De la ENERGÍA Del SEMICONDUCTOR De MITSUBISHI (TRIAC): TIPO No-aislado E: TIPO AISLADO | Mitsubishi Electric Corporation |
134 | BCR16B | USO MEDIO A, B, C De la ENERGÍA Del SEMICONDUCTOR De MITSUBISHI (TRIAC): TIPO No-aislado E: TIPO AISLADO | Mitsubishi Electric Corporation |
135 | BCR16C | USO MEDIO A, B, C De la ENERGÍA Del SEMICONDUCTOR De MITSUBISHI (TRIAC): TIPO No-aislado E: TIPO AISLADO | Mitsubishi Electric Corporation |
136 | BCR16CM | Módulos Bipolares Integrados Del Transistor De la Puerta (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
137 | BCR16CM | El USO MEDIO de la ENERGÍA del SEMICONDUCTOR de MITSUBISHI (TRIAC) No-aislo' el TIPO, TIPO PLANAR de la PASIVACIÓN | Mitsubishi Electric Corporation |
138 | BCR16CS | El USO MEDIO de la ENERGÍA del SEMICONDUCTOR de MITSUBISHI (TRIAC) No-aislo' el TIPO, TIPO PLANAR de la PASIVACIÓN | Mitsubishi Electric Corporation |
139 | BCR16CS | Módulos Bipolares Integrados Del Transistor De la Puerta (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
140 | BCR16E | USO MEDIO A, B, C De la ENERGÍA Del SEMICONDUCTOR De MITSUBISHI (TRIAC): TIPO No-aislado E: TIPO AISLADO | Mitsubishi Electric Corporation |
141 | BCR16HM | TIPO AISLADO USO MEDIO DE LA ENERGÍA DEL SEMICONDUCTOR DE MITSUBISHI (TRIAC), TIPO DE CRISTAL DE LA PASIVACIÓN | Mitsubishi Electric Corporation |
142 | BCR16PM | TIPO AISLADO USO MEDIO DE LA ENERGÍA DEL SEMICONDUCTOR DE MITSUBISHI (TRIAC), TIPO PLANAR DE LA PASIVACIÓN | Mitsubishi Electric Corporation |
143 | BCR16PM-12 | Módulos Bipolares Integrados Del Transistor De la Puerta (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
144 | BCR16PM-8 | Módulos Bipolares Integrados Del Transistor De la Puerta (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
145 | BCR16UM | TIPO AISLADO USO MEDIO DE LA ENERGÍA DEL SEMICONDUCTOR DE MITSUBISHI (TRIAC), TIPO DE CRISTAL DE LA PASIVACIÓN | Mitsubishi Electric Corporation |
146 | BCR1AM-12 | TIPO DE CRISTAL DE LA PASIVACIÓN DEL USO BAJO DE LA ENERGÍA DEL SEMICONDUCTOR DE MITSUBISHI (TRIAC) | Mitsubishi Electric Corporation |
147 | BCR1AM-12 | Módulos Bipolares Integrados Del Transistor De la Puerta (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
148 | BCR1AM-8 | TIPO PLANAR DE LA PASIVACIÓN DEL USO BAJO DE LA ENERGÍA DEL SEMICONDUCTOR DE MITSUBISHI (TRIAC) | Mitsubishi Electric Corporation |
149 | BCR20A | USO MEDIO DE LA ENERGÍA DEL SEMICONDUCTOR DE MITSUBISHI (TRIAC) | Mitsubishi Electric Corporation |
150 | BCR20AM | El USO MEDIO de la ENERGÍA del SEMICONDUCTOR de MITSUBISHI (TRIAC) No-aislo' el TIPO, TIPO PLANAR de la PASIVACIÓN | Mitsubishi Electric Corporation |
151 | BCR20AM-12 | Módulos Bipolares Integrados Del Transistor De la Puerta (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
152 | BCR20AM-8 | Módulos Bipolares Integrados Del Transistor De la Puerta (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
153 | BCR20B | USO MEDIO DE LA ENERGÍA DEL SEMICONDUCTOR DE MITSUBISHI (TRIAC) | Mitsubishi Electric Corporation |
154 | BCR20B-10 | Módulos Bipolares Integrados Del Transistor De la Puerta (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
155 | BCR20B-8 | Módulos Bipolares Integrados Del Transistor De la Puerta (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
156 | BCR20C | USO MEDIO DE LA ENERGÍA DEL SEMICONDUCTOR DE MITSUBISHI (TRIAC) | Mitsubishi Electric Corporation |
157 | BCR20C-10 | Módulos Bipolares Integrados Del Transistor De la Puerta (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
158 | BCR20C-8 | Módulos Bipolares Integrados Del Transistor De la Puerta (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
159 | BCR20E | USO MEDIO DE LA ENERGÍA DEL SEMICONDUCTOR DE MITSUBISHI (TRIAC) | Mitsubishi Electric Corporation |
160 | BCR20KM | Módulos Bipolares Integrados Del Transistor De la Puerta (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
161 | BCR25A | El USO MEDIO de la ENERGÍA del SEMICONDUCTOR de MITSUBISHI (TRIAC) No-aislo' el TIPO, TIPO DE CRISTAL de la PASIVACIÓN | Mitsubishi Electric Corporation |
162 | BCR25B | El USO MEDIO de la ENERGÍA del SEMICONDUCTOR de MITSUBISHI (TRIAC) No-aislo' el TIPO, TIPO DE CRISTAL de la PASIVACIÓN | Mitsubishi Electric Corporation |
163 | BCR2PM | TIPO AISLADO USO BAJO DE LA ENERGÍA DEL SEMICONDUCTOR DE MITSUBISHI (TRIAC), TIPO PLANAR DE LA PASIVACIÓN | Mitsubishi Electric Corporation |
164 | BCR2PM-12 | Módulos Bipolares Integrados Del Transistor De la Puerta (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
165 | BCR2PM-8 | Módulos Bipolares Integrados Del Transistor De la Puerta (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
166 | BCR3 | EL USO BAJO DE LA ENERGÍA AISLÓ EL TIPO/EL TIPO PLANAR DE LA PASIVACIÓN | Mitsubishi Electric Corporation |
167 | BCR30 | EL USO MEDIO DE LA ENERGÍA AISLÓ EL TIPO/EL TIPO DE CRISTAL DE LA PASIVACIÓN | Mitsubishi Electric Corporation |
168 | BCR30AM | El USO MEDIO de la ENERGÍA del SEMICONDUCTOR de MITSUBISHI (TRIAC) No-aislo' el TIPO, TIPO PLANAR de la PASIVACIÓN | Mitsubishi Electric Corporation |
169 | BCR30AM-12 | Módulos Bipolares Integrados Del Transistor De la Puerta (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
170 | BCR30AM-8 | Módulos Bipolares Integrados Del Transistor De la Puerta (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
171 | BCR30GM | TIPO AISLADO USO MEDIO DE LA ENERGÍA DEL SEMICONDUCTOR DE MITSUBISHI (TRIAC), TIPO DE CRISTAL DE LA PASIVACIÓN | Mitsubishi Electric Corporation |
172 | BCR3AM | El USO BAJO de la ENERGÍA del SEMICONDUCTOR de MITSUBISHI (TRIAC) No-aislo' el TIPO, TIPO PLANAR de la PASIVACIÓN | Mitsubishi Electric Corporation |
173 | BCR3AS | El USO BAJO de la ENERGÍA del SEMICONDUCTOR de MITSUBISHI (TRIAC) No-aislo' el TIPO, TIPO PLANAR de la PASIVACIÓN | Mitsubishi Electric Corporation |
174 | BCR3AS-12 | Módulos Bipolares Integrados Del Transistor De la Puerta (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
175 | BCR3AS-8 | Módulos Bipolares Integrados Del Transistor De la Puerta (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
176 | BCR3KM | TIPO AISLADO USO BAJO DE LA ENERGÍA DEL SEMICONDUCTOR DE MITSUBISHI (TRIAC), TIPO PLANAR DE LA PASIVACIÓN | Mitsubishi Electric Corporation |
177 | BCR3KM-12 | Módulos Bipolares Integrados Del Transistor De la Puerta (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
178 | BCR3KM-14 | TIPO AISLADO USO BAJO DE LA ENERGÍA DEL SEMICONDUCTOR DE MITSUBISHI (TRIAC), TIPO PLANAR DE LA PASIVACIÓN | Mitsubishi Electric Corporation |
179 | BCR3KM-14 | Módulos Bipolares Integrados Del Transistor De la Puerta (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
180 | BCR3KM-8 | Módulos Bipolares Integrados Del Transistor De la Puerta (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
181 | BCR3PM | TIPO AISLADO USO BAJO DE LA ENERGÍA DEL SEMICONDUCTOR DE MITSUBISHI (TRIAC), TIPO PLANAR DE LA PASIVACIÓN | Mitsubishi Electric Corporation |
182 | BCR3PM-12 | Módulos Bipolares Integrados Del Transistor De la Puerta (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
183 | BCR3PM-8 | Módulos Bipolares Integrados Del Transistor De la Puerta (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
184 | BCR5 | EL USO MEDIO DE LA ENERGÍA AISLÓ EL TIPO/EL TIPO PLANAR DE LA PASIVACIÓN | Mitsubishi Electric Corporation |
185 | BCR5AM | El USO MEDIO de la ENERGÍA del SEMICONDUCTOR de MITSUBISHI (TRIAC) No-aislo' el TIPO, TIPO PLANAR de la PASIVACIÓN | Mitsubishi Electric Corporation |
186 | BCR5AM-12 | Módulos Bipolares Integrados Del Transistor De la Puerta (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
187 | BCR5AM-8 | Módulos Bipolares Integrados Del Transistor De la Puerta (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
188 | BCR5AS | El USO MEDIO de la ENERGÍA del SEMICONDUCTOR de MITSUBISHI (TRIAC) No-aislo' el TIPO, TIPO PLANAR de la PASIVACIÓN | Mitsubishi Electric Corporation |
189 | BCR5AS-12 | Módulos Bipolares Integrados Del Transistor De la Puerta (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
190 | BCR5AS-8 | Módulos Bipolares Integrados Del Transistor De la Puerta (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
191 | BCR5KM | Módulos Bipolares Integrados Del Transistor De la Puerta (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
192 | BCR5KM | TIPO AISLADO USO MEDIO DE LA ENERGÍA DEL SEMICONDUCTOR DE MITSUBISHI (TRIAC), TIPO PLANAR DE LA PASIVACIÓN | Mitsubishi Electric Corporation |
193 | BCR5PM | TIPO AISLADO USO BAJO DE LA ENERGÍA DEL SEMICONDUCTOR DE MITSUBISHI (TRIAC), TIPO PLANAR DE LA PASIVACIÓN | Mitsubishi Electric Corporation |
194 | BCR5PM-12 | Módulos Bipolares Integrados Del Transistor De la Puerta (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
195 | BCR5PM-14 | Módulos Bipolares Integrados Del Transistor De la Puerta (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
196 | BCR5PM-8 | Módulos Bipolares Integrados Del Transistor De la Puerta (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
197 | BCR6 | El USO MEDIO de la ENERGÍA No-aislo' el TIPO/el TIPO PLANAR de la PASIVACIÓN | Mitsubishi Electric Corporation |
198 | BCR6AM | El USO MEDIO de la ENERGÍA del SEMICONDUCTOR de MITSUBISHI (TRIAC) No-aislo' el TIPO, TIPO PLANAR de la PASIVACIÓN | Mitsubishi Electric Corporation |
199 | BCR6AM-12 | Módulos Bipolares Integrados Del Transistor De la Puerta (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
200 | BCR6AM-8 | Módulos Bipolares Integrados Del Transistor De la Puerta (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
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