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Nr.Nombre de la parteDescripciónFabricante
39501MNDS26F32MW/883QUAD LA LÍNEA DIFERENCIADA DISPONIBLE de los RECEPTORES TAMBIÉNGARANTIZADO A 100K RAD(Si) PROBADO A MIL-STD-883, MÉTODO 1019.5,CONDICIONE ANational Semiconductor
39502MNDS26F32MWG/883QUAD LA LÍNEA DIFERENCIADA DISPONIBLE de los RECEPTORES TAMBIÉNGARANTIZADO A 100K RAD(Si) PROBADO A MIL-STD-883, MÉTODO 1019.5,CONDICIONE ANational Semiconductor
39503MNDS26F32MWGRQMLVQUAD LA LÍNEA DIFERENCIADA DISPONIBLE de los RECEPTORES TAMBIÉNGARANTIZADO A 100K RAD(Si) PROBADO A MIL-STD-883, MÉTODO 1019.5,CONDICIONE ANational Semiconductor
39504MNDS26F32MWR-QMLQUAD LA LÍNEA DIFERENCIADA DISPONIBLE de los RECEPTORES TAMBIÉNGARANTIZADO A 100K RAD(Si) PROBADO A MIL-STD-883, MÉTODO 1019.5,CONDICIONE ANational Semiconductor
39505MNDS26F32MWRQMLVQUAD LA LÍNEA DIFERENCIADA DISPONIBLE de los RECEPTORES TAMBIÉNGARANTIZADO A 100K RAD(Si) PROBADO A MIL-STD-883, MÉTODO 1019.5,CONDICIONE ANational Semiconductor
39506MNDS7820ARevolución 0A0 de MNDS7820A-XNational Semiconductor
39507MNLM111Tensión total de suministro: 36V; comparador de voltajeNational Semiconductor
39508MNLM129A-XREFERENCIA DE LA PRECISIÓNNational Semiconductor
39509MNLM136ADIODO de la REFERENCIA 2.5V, GARANTIZADO A 100K RAD(Si)PROBADO A MIL-STD-883, MÉTODO 1019.5National Semiconductor
39510MNLM136A-2.5-XDIODO de la REFERENCIA 2.5V, GARANTIZADO A 100K RAD(Si)PROBADO A MIL-STD-883, MÉTODO 1019.5National Semiconductor
39511MNLM136A-2.5-X-RHDIODO de la REFERENCIA 2.5V, GARANTIZADO A 100K RAD(Si)PROBADO A MIL-STD-883, MÉTODO 1019.5National Semiconductor
39512MNLM193A-XCOMPARADORES DUALES DE LA ENERGÍA DEL VOLTAJE COMPENSADOBAJO DEL PUNTO BAJONational Semiconductor
39513MNLM711AM-XCOMPARADOR DIFERENCIADO DE ALTA VELOCIDAD DUALNational Semiconductor
39514MNLMH6628-X-RHEl WIDEBAND DUAL, LOW-NOISE, REGENERACIÓN amperio DE OP. SYS. del VOLTAJE, GARANTIZÓ a 300k rd (silicio) PROBADO A MIL-STD-883, MÉTODO 1019National Semiconductor
39515MNMM54C151MULTIPLEXOR DE 8-CHANNEL DIGITALNational Semiconductor
39516MP-16A/500DControl del MOS/de la LSI y unidad de la memoria sólo para leerNational Semiconductor
39517MPS8050Amplificador De los Fines generales de NPNNational Semiconductor
39518MPS8550Amplificador De los Fines generales de PNPNational Semiconductor
39519MPSA06Amplificador De los Fines generales de NPNNational Semiconductor
39520MPSA14Transistor de NPN DarlingtonNational Semiconductor
39521MPSA28Transistor de NPN DarlingtonNational Semiconductor
39522MPSA42Amplificador Del Alto voltaje de NPNNational Semiconductor
39523MPSA56Amplificador De los Fines generales de PNPNational Semiconductor
39524MPSA92Amplificador Del Alto voltaje de PNPNational Semiconductor
39525MPSH10Transistor de NPN RfNational Semiconductor
39526MQA2020 plomos (0,150 adentro. De par en par) Paquete Pequeño Moldeado Del Contorno Del Encogimiento, JEDECNational Semiconductor
39527MQA2424 plomos (0,150 adentro. De par en par) Paquete Pequeño Moldeado Del Contorno Del Encogimiento, JEDECNational Semiconductor
39528MRLM111Tensión total de suministro: 36V; V .: negativo -30V; positiveV: + 30V; comparador de tensión: también disponible garantizada a 30k rd (Si) a prueba de MIL-STD-883, método 1019National Semiconductor
39529MS40APaquete Pequeño Moldeado 40 Plomos Del Contorno Del Encogimiento, EIAJ, Tipo IIINational Semiconductor
39530MS48A48 plomos (0,300 adentro. De par en par) Paquete Pequeño Moldeado Del Contorno Del Encogimiento, JEDECNational Semiconductor
39531MS56A56 plomos (0,300 adentro. De par en par) Paquete Pequeño Moldeado Del Contorno Del Encogimiento, JEDECNational Semiconductor
39532MSA20Paquete Pequeño Moldeado 20 Plomos Del Contorno Del Encogimiento, EIAJ, Tipo IINational Semiconductor
39533MSA2424 Paquetes Pequeños Moldeados Plomo Del Contorno Del Encogimiento, EIAJ, Tipo IINational Semiconductor
39534MSA2828-Lead Moldeó El Paquete Pequeño Del Contorno Del Encogimiento, EIAJ, Tipo IINational Semiconductor
39535MSC16PAQUETE MOLDEADO SSOP/EIAJNational Semiconductor
39536MTA20Paquete Pequeño Moldeado 20 Plomos Del Contorno Del Encogimiento Fino, EIAJ, Tipo INational Semiconductor
39537MTB24Paquete Pequeño Moldeado 24-Lead Del Contorno Del Encogimiento FinoNational Semiconductor
39538MTC08Paquete Pequeño Moldeado 8-Lead Del Contorno Del Encogimiento Fino, JEDECNational Semiconductor
39539MTC14Paquete Pequeño Moldeado 14 Plomos Del Contorno Del Encogimiento Fino, JEDECNational Semiconductor
39540MTC16Paquete Pequeño Moldeado 20-Lead Del Contorno Del Encogimiento Fino, JEDECNational Semiconductor
39541MTC20Paquete Pequeño Moldeado 20 Plomos Del Contorno Del Encogimiento Fino, JEDECNational Semiconductor
39542MTC2424 Paquetes Pequeños Moldeados Plomo Del Contorno Del Encogimiento Fino, JEDECNational Semiconductor
39543MTD48Paquete Pequeño Moldeado 48 Plomos Del Contorno Del Encogimiento Fino, JEDECNational Semiconductor
39544MTD56Paquete Pequeño Moldeado 56 Plomos Del Contorno Del Encogimiento Fino, JEDECNational Semiconductor
39545MUA08A265mW en el amplificador de energía audio de la fuente 3.3V con modo de la paradaNational Semiconductor
39546MUA08A1W, amplificador audio del Puentear-Condensador-menos con aumento seleccionable internoNational Semiconductor
39547MUA08A265mW en el amplificador de energía audio de la fuente 3.3V con modo de la paradaNational Semiconductor
39548MUB08A1W, amplificador audio del Puentear-Condensador-menos con aumento seleccionable internoNational Semiconductor
39549MXA28ATSSOP MOLDEADO JEDECNational Semiconductor
39550MXF10Aamplificador de energía audio de 2 vatios con el nivel seleccionable de la lógica de la paradaNational Semiconductor
39551N08E8 plomos (0,300 adentro. De par en par) Paquete Dual-in-Line MoldeadoNational Semiconductor
39552N10APaquete Dual-In-Line Moldeado 10-LeadNational Semiconductor
39553N14A14 plomos (0,300 adentro. De par en par) Paquete Dual-in-Line MoldeadoNational Semiconductor
39554N16A16 plomos (0,300 adentro. De par en par) Paquete Dual-in-Line MoldeadoNational Semiconductor
39555N16E16 plomos (0,300 adentro. De par en par) Paquete Dual-in-Line MoldeadoNational Semiconductor
39556N16G16 plomos (0,300 adentro. De par en par) Paquete Dual-in-Line Moldeado, Realzado TermalNational Semiconductor
39557N18A18 plomos (0,300 adentro. De par en par) Paquete Dual-in-Line MoldeadoNational Semiconductor
39558N20A20 plomos (0,300 adentro. De par en par) Paquete Dual-in-Line MoldeadoNational Semiconductor
39559N20B20 Plomos Paquete Dual-In-Line Moldeado Ancho De 0,300 PulgadasNational Semiconductor
39560N22A22 plomos (0,300 adentro. De par en par) Paquete Dual-in-Line MoldeadoNational Semiconductor
39561N22B22 plomos (0,300 adentro. De par en par) Paquete Dual-in-Line MoldeadoNational Semiconductor
39562N24A24 plomos (0,600 adentro. De par en par) Paquete Dual-in-Line MoldeadoNational Semiconductor
39563N24C24 plomos (0,300 adentro. De par en par) Paquete Dual-in-Line MoldeadoNational Semiconductor
39564N24D24 plomos (0,300 adentro. De par en par) Paquete Dual-in-Line MoldeadoNational Semiconductor
39565N24E24 plomos (0,400 adentro. De par en par) Paquete Dual-in-Line MoldeadoNational Semiconductor
39566N28B28 plomos (0,600 adentro. De par en par) Paquete Dual-in-Line MoldeadoNational Semiconductor
39567N32FX164AVLJ-25Procesadores avanzados de la señal de Imaging/Communications [ compra del curso de la vida ]National Semiconductor
39568N40A40 plomos (0,600 adentro. De par en par) Paquete Dual-in-Line MoldeadoNational Semiconductor
39569N48A48 plomos (0,600 adentro. De par en par) Paquete Dual-in-Line MoldeadoNational Semiconductor
39570NA24FPaquete Dual-En li'nea Moldeado 24-Lead, IPS1National Semiconductor
39571NA24GPaquete Dual-In-Line Moldeado 24-LeadNational Semiconductor
39572NA28F28-Lead Moldeados Se doblan Package(s) En líneaNational Semiconductor
39573NB311conductores complementarios de la energía 1.5AmpNational Semiconductor
39574NB311conductores complementarios de la energía 1.5AmpNational Semiconductor
39575NB312conductores complementarios de la energía 1.5AmpNational Semiconductor
39576NB312conductores complementarios de la energía 1.5AmpNational Semiconductor
39577NB3121conductores complementarios de la energía 1.5AmpNational Semiconductor
39578NB3121conductores complementarios de la energía 1.5AmpNational Semiconductor
39579NB313conductores complementarios de la energía 1.5AmpNational Semiconductor



39580NB313conductores complementarios de la energía 1.5AmpNational Semiconductor
39581NB321conductores complementarios de la energía 1.5AmpNational Semiconductor
39582NB321conductores complementarios de la energía 1.5AmpNational Semiconductor
39583NB322conductores complementarios de la energía 1.5AmpNational Semiconductor
39584NB322conductores complementarios de la energía 1.5AmpNational Semiconductor
39585NB3221conductores complementarios de la energía 1.5AmpNational Semiconductor
39586NB3221conductores complementarios de la energía 1.5AmpNational Semiconductor
39587NB323conductores complementarios de la energía 1.5AmpNational Semiconductor
39588NB323conductores complementarios de la energía 1.5AmpNational Semiconductor
39589NBC82851N1 W, controlador de memoria burbuja 256kNational Semiconductor
39590NBM2011100 KHz, 1M x dispositivo de memoria 1 burbuja magnéticaNational Semiconductor
39591NC7S00Puerta Minúscula De 2-Input NANDNational Semiconductor
39592NC7S022-Input Minúsculo NI PuertaNational Semiconductor
39593NC7S04Inversor MinúsculoNational Semiconductor
39594NC7S082-Input Minúsculo Y PuertaNational Semiconductor
39595NC7S14Solo inversor con la entrada del disparador de SchmittNational Semiconductor
39596NC7S322-Input Minúsculo O PuertaNational Semiconductor
39597NC7S862-Input Minúsculo Exclusivo-O PuertaNational Semiconductor
39598NC7SU04Inversor Inseparado MinúsculoNational Semiconductor
39599NC7SZ00Puerta Minúscula de UHS 2-Input NANDNational Semiconductor
39600NC7SZ02UHS Minúsculo 2-Input NI PuertaNational Semiconductor

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