| Nr. | Nombre de la parte | Descripción | Fabricante |
| 35101 | NDF06N60Z | MOSFET de potencia, canal N, 600 V, 1,2 O | ON Semiconductor |
| 35102 | NDF06N62Z | Potencia MOSFET 620V 1.2 Ohm Single N-Channel | ON Semiconductor |
| 35103 | NDF08N50Z | Potencia MOSFET 500V 0.850 Ohm Single N-Channel | ON Semiconductor |
| 35104 | NDF08N60Z | Potencia MOSFET 600V 0.95 Ohm Single N-Channel | ON Semiconductor |
| 35105 | NDF10N60Z | MOSFET de potencia, canal N, 600 V, 0,75 O | ON Semiconductor |
| 35106 | NDF10N62Z | Potencia MOSFET 620V 0.750 Ohm Single N-Channel | ON Semiconductor |
| 35107 | NDF11N50Z | Potencia MOSFET 500V 0.52 Ohm Single N-Channel | ON Semiconductor |
| 35108 | NDF60N360U1 | Energía del canal N MOSFET, 600 V, 360 mOhm | ON Semiconductor |
| 35109 | NE521 | De alta velocidad, Dual-diferenciado comparador / Sense Amp | ON Semiconductor |
| 35110 | NE5230 | Amplificador Operacional, de Baja Tensión | ON Semiconductor |
| 35111 | NE5517 | Dual amplificador operacional de transconductancia | ON Semiconductor |
| 35112 | NE5532 | Amplificador Operacional, Internamente Compensada, bajo ruido, Dual | ON Semiconductor |
| 35113 | NE5534 | Amplificador Operacional, bajo ruido, Individual | ON Semiconductor |
| 35114 | NE570 | Compandor | ON Semiconductor |
| 35115 | NE592 | Amplificador vídeo | ON Semiconductor |
| 35116 | NGB15N41CLT4 | Ignición IGBT DPAK 15 Amperios, 410 Voltios, 2,1 V(max) | ON Semiconductor |
| 35117 | NGB18N40CLB | Ignición IGBT en Dàk (Gen3) con energía mejorada y Vce(on) de SCIS | ON Semiconductor |
| 35118 | NGB18N40CLBT4 | Ignición IGBT en Dàk (Gen3) con energía mejorada y Vce(on) de SCIS | ON Semiconductor |
| 35119 | NGB8202N | Ignición IGBT 20 A, 400 V, N-Canal D<sup>2</sup>PAK | ON Semiconductor |
| 35120 | NGB8202NT4 | Ignición IGBT 20 A, 400 V, N-Canal D<sup>2</sup>PAK | ON Semiconductor |
| 35121 | NGB8204N | Encendido IGBT, 18 A, 400 V, N-Canal D 2 PAK | ON Semiconductor |
| 35122 | NGB8206N | Encendido IGBT, canal N, 20 A, 350 V, D 2 PAK | ON Semiconductor |
| 35123 | NGB8207AN | Encendido IGBT, canal N, 20 A, 365 V, D2PAK | ON Semiconductor |
| 35124 | NGB8207N | Encendido IGBT, canal N, 20 A, 365 V, D2PAK | ON Semiconductor |
| 35125 | NGB8245N | Encendido IGBT, canal N, 20 A, 450 V, D2PAK | ON Semiconductor |
| 35126 | NGD15N41CL | Ignición IGBT 15 Amperios, 410 Voltios | ON Semiconductor |
| 35127 | NGD15N41CL-D | Ignición IGBT 15 amperios, 410 voltios de N-Canal DPAK, D2PAK y To-220 | ON Semiconductor |
| 35128 | NGD15N41CLT4 | Ignición IGBT DPAK 15 Amperios, 410 Voltios, 2,1 V(max) | ON Semiconductor |
| 35129 | NGD18N40CLB | Ignición IGBT 18 A, 400 V, N-N-Ch DPak con energía mejorada de SCIS y Vce(on) | ON Semiconductor |
| 35130 | NGD18N40CLBT4 | Ignición IGBT 18 A, 400 V, N-N-Ch DPak con energía mejorada de SCIS y Vce(on) | ON Semiconductor |
| 35131 | NGD18N45CLB | Encendido IGBT, canal N, 18 A, 450 V, DPAK | ON Semiconductor |
| 35132 | NGD8201N | Ignición IGBT 20 A, 400 V, N-Canal DPAK | ON Semiconductor |
| 35133 | NGD8201NT4 | Ignición IGBT 20 A, 400 V, N-Canal DPAK | ON Semiconductor |
| 35134 | NGD8205N | Encendido IGBT, canal N, 20 A, 350 V, DPAK | ON Semiconductor |
| 35135 | NGD8209N | IGBT de encendido | ON Semiconductor |
| 35136 | NGP15N41CL | Ignición IGBT 15 Amperios, 410 Voltios | ON Semiconductor |
| 35137 | NGP8203N | Encendido IGBT 20 A, 400 V, N-Channel TO-220 | ON Semiconductor |
| 35138 | NGTB15N120FLW | IGBT 1200V 15A FS1 Solar / UPS | ON Semiconductor |
| 35139 | NGTB15N120IHL | IGBT 1200V 15A FS1 de calentamiento por inducción | ON Semiconductor |
| 35140 | NGTB15N120IHR | IGBT con Monolithic diodo que rueda libre | ON Semiconductor |
| 35141 | NGTB15N120L | IGBT 1200V 15A FS1 Gen Mkt | ON Semiconductor |
| 35142 | NGTB15N135IHR | IGBT con Monolithic diodo que rueda libre | ON Semiconductor |
| 35143 | NGTB15N60E | IGBT - cortocircuito Calificación | ON Semiconductor |
| 35144 | NGTB15N60S1E | IGBT - cortocircuito Calificación | ON Semiconductor |
| 35145 | NGTB20N120IHL | IGBT 1200V 20A FS1 de calentamiento por inducción | ON Semiconductor |
| 35146 | NGTB20N120IHR | IGBT 1200V 20A FS2-RC de calentamiento por inducción | ON Semiconductor |
| 35147 | NGTB20N120IHS | IGBT 1200V 20A FS1 de calentamiento por inducción | ON Semiconductor |
| 35148 | NGTB20N120L | IGBT 1200V 20A FS1 Gen Mkt | ON Semiconductor |
| 35149 | NGTB20N135IHR | IGBT con Monolithic diodo que rueda libre | ON Semiconductor |
| 35150 | NGTB25N120FLW | IGBT 1200V 25A FS1 Solar / UPS | ON Semiconductor |
| 35151 | NGTB25N120IHLW | IGBT 1200V 25A FS1 de calentamiento por inducción | ON Semiconductor |
| 35152 | NGTB25N120L | IGBT 1200V 25A FS1 Gen Mkt | ON Semiconductor |
| 35153 | NGTB30N120FL2W | IGBT - Campo Stop II | ON Semiconductor |
| 35154 | NGTB30N120IHL | IGBT 1200V 30A FS1 de calentamiento por inducción | ON Semiconductor |
| 35155 | NGTB30N120IHR | IGBT con Monolithic diodo que rueda libre | ON Semiconductor |
| 35156 | NGTB30N120IHSW | IGBT 1200V 30A FS1 de calentamiento por inducción | ON Semiconductor |
| 35157 | NGTB30N120L | IGBT 1200V 30A FS1 Gen Mkt | ON Semiconductor |
| 35158 | NGTB30N120L2W | IGBT - Campo Stop II | ON Semiconductor |
| 35159 | NGTB30N135IHR | IGBT 1350V 30A FS2-RC de calentamiento por inducción | ON Semiconductor |
| 35160 | NGTB30N60FLW | IGBT 600V 30A FS1 Solar / UPS | ON Semiconductor |
| 35161 | NGTB30N60FW | IGBT 600V 30A Gen Mkt | ON Semiconductor |
| 35162 | NGTB30N60IHLW | IGBT 600V 30A FS1 de calentamiento por inducción | ON Semiconductor |
| 35163 | NGTB40N120FL2W | IGBT - Campo Stop II | ON Semiconductor |
| 35164 | NGTB40N120FLW | IGBT 1200V 40A FS1 Solar / UPS | ON Semiconductor |
| 35165 | NGTB40N120IHLW | IGBT 1200V 40A FS1 de calentamiento por inducción | ON Semiconductor |
| 35166 | NGTB40N120IHR | IGBT con Monolithic diodo que rueda libre | ON Semiconductor |
| 35167 | NGTB40N120L | IGBT 1200V 40A FS1 Gen Mkt | ON Semiconductor |
| 35168 | NGTB40N135IHR | IGBT con Monolithic diodo que rueda libre | ON Semiconductor |
| 35169 | NGTB40N60FLW | IGBT 600V 40A FS1 Solar / UPS | ON Semiconductor |
| 35170 | NGTB40N60IHLW | IGBT 600V 40A FS1 de calentamiento por inducción | ON Semiconductor |
| 35171 | NGTB50N120FL2W | IGBT - Campo Stop II | ON Semiconductor |
| 35172 | NGTB50N60FLW | IGBT 600V 50A FS1 Solar / UPS | ON Semiconductor |
| 35173 | NGTB50N60FW | IGBT 600V 50A Gen Mkt | ON Semiconductor |
| 35174 | NGTB50N60L2W | IGBT | ON Semiconductor |
| 35175 | NGTB75N60FL2W | IGBT | ON Semiconductor |
| 35176 | NGTB75N65FL2W | IGBT | ON Semiconductor |
| 35177 | NGTG15N60S1E | IGBT - cortocircuito Calificación | ON Semiconductor |
| 35178 | NGTG20N60L2TF1G | N-Canal IGBT 600V, 20A, VCE (sat); 1.45V Individual A-3PF-3L | ON Semiconductor |
| 35179 | NGTG30N60FLW | IGBT 600V 30A sólo PFC de alta frecuencia | ON Semiconductor |
| 35180 | NGTG30N60FW | IGBT 600V 30A sólo PFC | ON Semiconductor |
| 35181 | NGTG50N60FLW | IGBT | ON Semiconductor |
| 35182 | NGTG50N60FW | IGBT 600V 50A sólo PFC | ON Semiconductor |
| 35183 | NHPV08S600 | SWITCHMODE rectificadores de potencia | ON Semiconductor |
| 35184 | NHPV15S600 | Switchmode rectificadores de potencia | ON Semiconductor |
| 35185 | NIB6404-5L-D | HDPlus 52 amperios, 40 voltios de uno mismo protegido con el N-Canal D2PAK del sentido de la temperatura | ON Semiconductor |
| 35186 | NIC9N05TS1 | Protegida MOSFET de potencia 2,6 A, 52 V, N-Canal, Nivel lógico, MOSFET Clamped w / Protección ESD | ON Semiconductor |
| 35187 | NID5001N | SmartDiscrete Uno mismo-protegido, 42V abrazadera, & de la temperatura; Límite Actual, ESD, DPAK | ON Semiconductor |
| 35188 | NID5001NT4 | SmartDiscrete Uno mismo-protegido, 42V abrazadera, & de la temperatura; Límite Actual, ESD, DPAK | ON Semiconductor |
| 35189 | NID5001NT4G | SmartDiscrete Uno mismo-protegido, 42V abrazadera, & de la temperatura; Límite Actual, ESD, DPAK | ON Semiconductor |
| 35190 | NID5003N | Fet Uno mismo-Protegido con la temperatura y el límite actual 42 V, 20 A, solo N-Canal, DPAK | ON Semiconductor |
| 35191 | NID5003NT4 | Fet Uno mismo-Protegido con la temperatura y el límite actual 42 V, 20 A, solo N-Canal, DPAK | ON Semiconductor |
| 35192 | NID5004N | FET autoprotegido con temperatura y límite de corriente de 40 V, 6,5 A, Single N-Channel, DPAK | ON Semiconductor |
| 35193 | NID6002N | FET autoprotegido con temperatura y límite de corriente de 65 V, 6,5 A, Single N-Channel, DPAK | ON Semiconductor |
| 35194 | NID9N05CL | Accione MOSFET 9 A, 52 V, N-Canal, nivel de la lógica, protección afianzada con abrazadera del MOSFET w/ESD en un paquete de DPAK | ON Semiconductor |
| 35195 | NID9N05CLT4 | Accione MOSFET 9 A, 52 V, N-Canal, nivel de la lógica, protección afianzada con abrazadera del MOSFET w/ESD en un paquete de DPAK | ON Semiconductor |
| 35196 | NID9N05CLT4G | Accione MOSFET 9 A, 52 V, N-Canal, nivel de la lógica, protección afianzada con abrazadera del MOSFET w/ESD en un paquete de DPAK | ON Semiconductor |
| 35197 | NIF5002N | Fet Uno mismo-Protegido con la temperatura y el límite actual 42 V 2,0 un solo canal Sot-223 de N | ON Semiconductor |
| 35198 | NIF5002ND | Fet Uno mismo-Protegido con temperatura y límite actual | ON Semiconductor |
| 35199 | NIF5002NT1 | Fet Uno mismo-Protegido con la temperatura y el límite actual 42 V 2,0 un solo canal Sot-223 de N | ON Semiconductor |
| 35200 | NIF5002NT1G | Fet Uno mismo-Protegido con la temperatura y el límite actual 42 V 2,0 un solo canal Sot-223 de N | ON Semiconductor |
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