| Nr. | Nombre de la parte | Descripción | Fabricante |
| 36501 | NTHS4166N | NTHS4166N | ON Semiconductor |
| 36502 | NTHS4501N | MOSFET de potencia 30 V, 6,7 A, Single N-Channel CHIPFET Package ™ | ON Semiconductor |
| 36503 | NTHS5402 | Mosfet 20 V, 4,9 A, N-Canal ChipFET™ De la Energía; | ON Semiconductor |
| 36504 | NTHS5402 | Mosfet 20 V, 4,9 A, N-Canal ChipFET™ De la Energía; | ON Semiconductor |
| 36505 | NTHS5402T1 | OBSOLETO - Power MOSFET canal N CHIPFET ™ | ON Semiconductor |
| 36506 | NTHS5402T1-D | N-Canal ChipFET del Mosfet De la Energía 4,9 Amperios, 30 Voltios | ON Semiconductor |
| 36507 | NTHS5404 | Accione Mosfet 20V, 5.À, N-Canal ChipFET™ | ON Semiconductor |
| 36508 | NTHS5404 | Accione Mosfet 20V, 5.À, N-Canal ChipFET™ | ON Semiconductor |
| 36509 | NTHS5404T1 | Accione Mosfet 20V, 5.À, N-Canal ChipFET™ | ON Semiconductor |
| 36510 | NTHS5404T1 | Accione Mosfet 20V, 5.À, N-Canal ChipFET™ | ON Semiconductor |
| 36511 | NTHS5404T1-D | N-Canal ChipFET del Mosfet De la Energía 5,2 Amperios, 20 Voltios | ON Semiconductor |
| 36512 | NTHS5404T1G | Accione Mosfet 20V, 5.À, N-Canal ChipFET™ | ON Semiconductor |
| 36513 | NTHS5404T1G | Accione Mosfet 20V, 5.À, N-Canal ChipFET™ | ON Semiconductor |
| 36514 | NTHS5441 | −20 V, −5.3 A, P−Channel ChipFET | ON Semiconductor |
| 36515 | NTHS5441T1 | P-Canal ChipFET™ del Mosfet De la Energía; -3,9 A, -20 V | ON Semiconductor |
| 36516 | NTHS5441T1 | P-Canal ChipFET™ del Mosfet De la Energía; -3,9 A, -20 V | ON Semiconductor |
| 36517 | NTHS5441T1-D | P-Canal ChipFET del Mosfet De la Energía 3,9 Amperios, 20 Voltios | ON Semiconductor |
| 36518 | NTHS5441T1G | P-Canal ChipFET™ del Mosfet De la Energía; -3,9 A, -20 V | ON Semiconductor |
| 36519 | NTHS5441T1G | P-Canal ChipFET™ del Mosfet De la Energía; -3,9 A, -20 V | ON Semiconductor |
| 36520 | NTHS5443 | Accione Mosfet 20V, 3.Ã, P-Canal ChipFET™ | ON Semiconductor |
| 36521 | NTHS5443 | Accione Mosfet 20V, 3.Ã, P-Canal ChipFET™ | ON Semiconductor |
| 36522 | NTHS5443T1 | Accione Mosfet 20V, 3.Ã, P-Canal ChipFET™ | ON Semiconductor |
| 36523 | NTHS5443T1 | Accione Mosfet 20V, 3.Ã, P-Canal ChipFET™ | ON Semiconductor |
| 36524 | NTHS5443T1-D | P-Canal ChipFET del Mosfet De la Energía 3,6 Amperios, 20 Voltios | ON Semiconductor |
| 36525 | NTHS5443T1G | Accione Mosfet 20V, 3.Ã, P-Canal ChipFET™ | ON Semiconductor |
| 36526 | NTHS5443T1G | Accione Mosfet 20V, 3.Ã, P-Canal ChipFET™ | ON Semiconductor |
| 36527 | NTHS5445 | Mosfet 8 V, 5,2 A, P-Canal ChipFET™ De la Energía; | ON Semiconductor |
| 36528 | NTHS5445 | Mosfet 8 V, 5,2 A, P-Canal ChipFET™ De la Energía; | ON Semiconductor |
| 36529 | NTHS5445T1 | OBSOLETO - Power MOSFET Canal P CHIPFET ™ | ON Semiconductor |
| 36530 | NTHS5445T1-D | P-Canal ChipFET del Mosfet De la Energía 5,2 Amperios, 8 Voltios | ON Semiconductor |
| 36531 | NTJD1155L | MOSFET Power 8 V, ± 1.3 A, Interruptor de nivel alto de carga con el Nivel-Shift Canal P, SC-88 | ON Semiconductor |
| 36532 | NTJD2152P | El Mosfet Pequeño 8 V De la Señal Del Foso Se dobla P-Canal, Protección de ESD | ON Semiconductor |
| 36533 | NTJD2152PT1 | El Mosfet Pequeño 8 V De la Señal Del Foso Se dobla P-Canal, Protección de ESD | ON Semiconductor |
| 36534 | NTJD2152PT1G | El Mosfet Pequeño 8 V De la Señal Del Foso Se dobla P-Canal, Protección de ESD | ON Semiconductor |
| 36535 | NTJD2152PT2 | El Mosfet Pequeño 8 V De la Señal Del Foso Se dobla P-Canal, Protección de ESD | ON Semiconductor |
| 36536 | NTJD2152PT2G | El Mosfet Pequeño 8 V De la Señal Del Foso Se dobla P-Canal, Protección de ESD | ON Semiconductor |
| 36537 | NTJD2152PT4 | El Mosfet Pequeño 8 V De la Señal Del Foso Se dobla P-Canal, Protección de ESD | ON Semiconductor |
| 36538 | NTJD2152PT4G | El Mosfet Pequeño 8 V De la Señal Del Foso Se dobla P-Canal, Protección de ESD | ON Semiconductor |
| 36539 | NTJD3158C | MOSFET de potencia complementarias | ON Semiconductor |
| 36540 | NTJD4001N | Mosfet pequeño 30 V, 250 mA, N dual - canal, SC de la señal - 88 | ON Semiconductor |
| 36541 | NTJD4001NT1 | Mosfet pequeño 30 V, 250 mA, N dual - canal, SC de la señal - 88 | ON Semiconductor |
| 36542 | NTJD4001NT1G | Mosfet pequeño 30 V, 250 mA, N dual - canal, SC de la señal - 88 | ON Semiconductor |
| 36543 | NTJD4105C | Mosfet Pequeño 20v/-8v, +0.6á/-0.77ä Elogioso Sc-88 De la Señal | ON Semiconductor |
| 36544 | NTJD4105CT1 | Mosfet Pequeño 20v/-8v, +0.6á/-0.77ä Elogioso Sc-88 De la Señal | ON Semiconductor |
| 36545 | NTJD4105CT1G | Mosfet Pequeño 20v/-8v, +0.6á/-0.77ä Elogioso Sc-88 De la Señal | ON Semiconductor |
| 36546 | NTJD4105CT2 | Mosfet Pequeño 20v/-8v, +0.6á/-0.77ä Elogioso Sc-88 De la Señal | ON Semiconductor |
| 36547 | NTJD4105CT2G | Mosfet Pequeño 20v/-8v, +0.6á/-0.77ä Elogioso Sc-88 De la Señal | ON Semiconductor |
| 36548 | NTJD4105CT4 | Mosfet Pequeño 20v/-8v, +0.6á/-0.77ä Elogioso Sc-88 De la Señal | ON Semiconductor |
| 36549 | NTJD4105CT4G | Mosfet Pequeño 20v/-8v, +0.6á/-0.77ä Elogioso Sc-88 De la Señal | ON Semiconductor |
| 36550 | NTJD4152P | Señal pequeña MOSFET, 20 V, 0,88 A, Dual P-Channel, con protección ESD | ON Semiconductor |
| 36551 | NTJD4158C | Señal pequeña MOSFET 30 V / -20 V, 0,25 / -0,88 A, Complementaria, SC-88 | ON Semiconductor |
| 36552 | NTJD4401N | Señal pequeña MOSFET 20 V, Dual N-Channel, SC-88 Protección ESD | ON Semiconductor |
| 36553 | NTJD5121N | Hoja de Datos NTJD5121N | ON Semiconductor |
| 36554 | NTJS3151P | MOSFET Trench alimentación 12 V, 3,3 A, Soltero P-Channel ESD protegido SC-88 | ON Semiconductor |
| 36555 | NTJS3157N | Trench MOSFET de la energía, 20 V, 4,0 A, Single N-Channel | ON Semiconductor |
| 36556 | NTJS4151P | Trench MOSFET de la energía -20 V, -4.2 A, solo P-Canal, SC-88 | ON Semiconductor |
| 36557 | NTJS4160N | MOSFET de potencia 30 V, 3,2 A, Single N-Channel SC-88 | ON Semiconductor |
| 36558 | NTJS4405N | Señal pequeña MOSFET 25 V, 1,2 A Single N-Channel SC-88 | ON Semiconductor |
| 36559 | NTK3043N | MOSFET de potencia 20 V, 285 mA, N-Channel con protección ESD, SOT-723 | ON Semiconductor |
| 36560 | NTK3134N | MOSFET de potencia, 20 V, 890 mA, Soltero canal N, SOT-723 Paquete, con protección ESD | ON Semiconductor |
| 36561 | NTK3139P | MOSFET de potencia 20 V, 780 mA, solo P-Canal | ON Semiconductor |
| 36562 | NTK3142P | Señal pequeña MOSFET de la energía -20 V, -280 mA, P-Channel con protección ESD, SOT-723 | ON Semiconductor |
| 36563 | NTL4502N | Cuadrángulo PInPAK Del N-Canal del Mosfet 24V De la Energía | ON Semiconductor |
| 36564 | NTL4502NT1 | Cuadrángulo PInPAK Del N-Canal del Mosfet 24V De la Energía | ON Semiconductor |
| 36565 | NTLGD3502N | MOSFET de potencia, 20 V, Dual N-Channel | ON Semiconductor |
| 36566 | NTLGF3402P | Potencia MOSFET y de Schottky, -20 V, -3.9 A, P-Canal | ON Semiconductor |
| 36567 | NTLJD2104P | MOSFET de potencia, 12V, 4.3A, 90mOhm Dual Channel P WDFN2x2 | ON Semiconductor |
| 36568 | NTLJD2105L | MOSFET de potencia, 8 V, 4,3 A, µCool ™ Interruptor de nivel alto de carga con el cambio en nivel | ON Semiconductor |
| 36569 | NTLJD3115P | MOSFET de potencia -20 V, -4.1 A, µCool ¿Dual P-Channel, 2x2 mm Paquete WDFN | ON Semiconductor |
| 36570 | NTLJD3119C | Potencia MOSFET µCool ¿20 V, 4,6 A | ON Semiconductor |
| 36571 | NTLJD3181PZ | MOSFET de potencia, -20 V, -4.0 A, uCool ™, Dual P-Channel, ESD, 2x2 mm Paquete WDFN | ON Semiconductor |
| 36572 | NTLJD3182FZ | Potencia MOSFET y de Schottky, -20 V, -4.0 A, uCool ¿, solo P-Canal y diodos de barrera Schottky, ESD | ON Semiconductor |
| 36573 | NTLJD3183CZ | MOSFET de potencia, 20 V/-20 V, 4,7 A/-4.0 A, uCool ¿, Complementaria, mm 2x2, Paquete WDFN | ON Semiconductor |
| 36574 | NTLJD4116N | MOSFET de potencia, 30 V, 4,6 A, Dual N-Channel | ON Semiconductor |
| 36575 | NTLJD4150P | MOSFET de potencia 30 V, 3,4 A, µCool ™ Dual P-Channel | ON Semiconductor |
| 36576 | NTLJF1103P | Potencia MOSFET y de Schottky -8 V, -4.3 A, µCool ¿P-Channel, con 2.0 A Diodo de barrera Schottky, 2 x 2 mm, WDFN | ON Semiconductor |
| 36577 | NTLJF3117P | Potencia MOSFET y de Schottky, -20 V, -4.1 A, P-Canal | ON Semiconductor |
| 36578 | NTLJF3118N | Potencia MOSFET y de Schottky 20 V, 4,6 A, µCool ™ N-Channel, con 2.0 A Diodo de barrera Schottky | ON Semiconductor |
| 36579 | NTLJF4156N | Potencia MOSFET y de Schottky, 30 V, 4,6 A, N-Canal | ON Semiconductor |
| 36580 | NTLJS1102P | Potencia MOSFET 8V 8.1A 36 mOhm Individual P-Canal WDFN2x2 | ON Semiconductor |
| 36581 | NTLJS2103P | NTLJS2103P | ON Semiconductor |
| 36582 | NTLJS3113P | MOSFET de potencia -20 V, -9.5 A, µCool ¿Solo P-Canal | ON Semiconductor |
| 36583 | NTLJS3A18PZ | MOSFET de potencia, -20 V, -8.2 A, uCool, Soltero Canal P, 2.0x2.0x0.8 mm Paquete WDFN | ON Semiconductor |
| 36584 | NTLJS4114N | MOSFET de potencia, 30 V, 7,8 A, Single N-Channel | ON Semiconductor |
| 36585 | NTLJS4149 | NTLJS4149P µCool ™ | ON Semiconductor |
| 36586 | NTLJS4159N | MOSFET de potencia 30 V, 7,8 A, µCool ™ Single N-Channel | ON Semiconductor |
| 36587 | NTLLD4901NF | MOSFET de la energía y el Integrated Diodo Schottky, 30 V, Dual N-Channel | ON Semiconductor |
| 36588 | NTLMS4501N | Mosfet 30 V, 14,7 A, N-Canal, Paquete De la Energía De So-8 Leadless | ON Semiconductor |
| 36589 | NTLMS4507N | Mosfet 30 V, 24 A, N-Canal, Paquete De la Energía De So-8 Leadless | ON Semiconductor |
| 36590 | NTLTD7900N | MOSFET de potencia 8,5 A, 20 V Nivel lógico canal N Micro8 ™ sin cables | ON Semiconductor |
| 36591 | NTLTD7900Z | 9A, 20V, Los 26mOhm, Protección De la Puerta De Zener, 4000V HBM | ON Semiconductor |
| 36592 | NTLTD7900Z-D | Mosfet De la Energía 9 Amperios, 20 Voltios, N-Canal Llano Micro-8 Leadless De la Lógica | ON Semiconductor |
| 36593 | NTLTD7900ZR2 | 9A, 20V, Los 26mOhm, Protección De la Puerta De Zener, 4000V HBM | ON Semiconductor |
| 36594 | NTLTS3107P | MOSFET de potencia -20 V, -8.3 A, solo P-Canal Micro-8 sin cables Paquete | ON Semiconductor |
| 36595 | NTLUD3191PZ | Dual P-Channel 20 V MOSFET | ON Semiconductor |
| 36596 | NTLUD3A260PZ | Individual P-Channel 20 V MOSFET | ON Semiconductor |
| 36597 | NTLUD3A50PZ | MOSFET de potencia, Dual P-Channel, -20 V, -5.6 A, 2.0x2.0x0.55 mm Paquete UDFN | ON Semiconductor |
| 36598 | NTLUF4189NZ | Single N-Channel 30 V MOSFET plus Diodo de barrera Schottky | ON Semiconductor |
| 36599 | NTLUS3192PZ | Individual P-Channel 20 V MOSFET | ON Semiconductor |
| 36600 | NTLUS3A18PZ | MOSFET de potencia, -20 V, A -8.2, Soltero Pch, ESD, 2.0x2.0x0.55 mm, uCool, Paquete UDFN | ON Semiconductor |
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