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Nr.Nombre de la parteDescripciónFabricante
1901TFMBJ150SUPRESOR TRANSITORIO DEL VOLTAJE DE GPP (ENERGÍA MÁXIMA DE 600 VATIOS ESTADO CONSTANTE DE 1,0 VATIOS)Rectron Semiconductor
1902TFMBJ150ASUPRESOR TRANSITORIO DEL VOLTAJE DE GPP (ENERGÍA MÁXIMA DE 600 VATIOS ESTADO CONSTANTE DE 1,0 VATIOS)Rectron Semiconductor
1903TFMBJ15ASUPRESOR TRANSITORIO DEL VOLTAJE DE GPP (ENERGÍA MÁXIMA DE 600 VATIOS ESTADO CONSTANTE DE 1,0 VATIOS)Rectron Semiconductor
1904TFMBJ16SUPRESOR TRANSITORIO DEL VOLTAJE DE GPP (ENERGÍA MÁXIMA DE 600 VATIOS ESTADO CONSTANTE DE 1,0 VATIOS)Rectron Semiconductor
1905TFMBJ160SUPRESOR TRANSITORIO DEL VOLTAJE DE GPP (ENERGÍA MÁXIMA DE 600 VATIOS ESTADO CONSTANTE DE 1,0 VATIOS)Rectron Semiconductor
1906TFMBJ160ASUPRESOR TRANSITORIO DEL VOLTAJE DE GPP (ENERGÍA MÁXIMA DE 600 VATIOS ESTADO CONSTANTE DE 1,0 VATIOS)Rectron Semiconductor
1907TFMBJ16ASUPRESOR TRANSITORIO DEL VOLTAJE DE GPP (ENERGÍA MÁXIMA DE 600 VATIOS ESTADO CONSTANTE DE 1,0 VATIOS)Rectron Semiconductor
1908TFMBJ17SUPRESOR TRANSITORIO DEL VOLTAJE DE GPP (ENERGÍA MÁXIMA DE 600 VATIOS ESTADO CONSTANTE DE 1,0 VATIOS)Rectron Semiconductor
1909TFMBJ170SUPRESOR TRANSITORIO DEL VOLTAJE DE GPP (ENERGÍA MÁXIMA DE 600 VATIOS ESTADO CONSTANTE DE 1,0 VATIOS)Rectron Semiconductor
1910TFMBJ170ASUPRESOR TRANSITORIO DEL VOLTAJE DE GPP (ENERGÍA MÁXIMA DE 600 VATIOS ESTADO CONSTANTE DE 1,0 VATIOS)Rectron Semiconductor
1911TFMBJ17ASUPRESOR TRANSITORIO DEL VOLTAJE DE GPP (ENERGÍA MÁXIMA DE 600 VATIOS ESTADO CONSTANTE DE 1,0 VATIOS)Rectron Semiconductor
1912TFMBJ18SUPRESOR TRANSITORIO DEL VOLTAJE DE GPP (ENERGÍA MÁXIMA DE 600 VATIOS ESTADO CONSTANTE DE 1,0 VATIOS)Rectron Semiconductor
1913TFMBJ18ASUPRESOR TRANSITORIO DEL VOLTAJE DE GPP (ENERGÍA MÁXIMA DE 600 VATIOS ESTADO CONSTANTE DE 1,0 VATIOS)Rectron Semiconductor
1914TFMBJ20SUPRESOR TRANSITORIO DEL VOLTAJE DE GPP (ENERGÍA MÁXIMA DE 600 VATIOS ESTADO CONSTANTE DE 1,0 VATIOS)Rectron Semiconductor
1915TFMBJ20ASUPRESOR TRANSITORIO DEL VOLTAJE DE GPP (ENERGÍA MÁXIMA DE 600 VATIOS ESTADO CONSTANTE DE 1,0 VATIOS)Rectron Semiconductor
1916TFMBJ22SUPRESOR TRANSITORIO DEL VOLTAJE DE GPP (ENERGÍA MÁXIMA DE 600 VATIOS ESTADO CONSTANTE DE 1,0 VATIOS)Rectron Semiconductor
1917TFMBJ22ASUPRESOR TRANSITORIO DEL VOLTAJE DE GPP (ENERGÍA MÁXIMA DE 600 VATIOS ESTADO CONSTANTE DE 1,0 VATIOS)Rectron Semiconductor
1918TFMBJ24SUPRESOR TRANSITORIO DEL VOLTAJE DE GPP (ENERGÍA MÁXIMA DE 600 VATIOS ESTADO CONSTANTE DE 1,0 VATIOS)Rectron Semiconductor
1919TFMBJ24ASUPRESOR TRANSITORIO DEL VOLTAJE DE GPP (ENERGÍA MÁXIMA DE 600 VATIOS ESTADO CONSTANTE DE 1,0 VATIOS)Rectron Semiconductor
1920TFMBJ26SUPRESOR TRANSITORIO DEL VOLTAJE DE GPP (ENERGÍA MÁXIMA DE 600 VATIOS ESTADO CONSTANTE DE 1,0 VATIOS)Rectron Semiconductor
1921TFMBJ26ASUPRESOR TRANSITORIO DEL VOLTAJE DE GPP (ENERGÍA MÁXIMA DE 600 VATIOS ESTADO CONSTANTE DE 1,0 VATIOS)Rectron Semiconductor
1922TFMBJ28SUPRESOR TRANSITORIO DEL VOLTAJE DE GPP (ENERGÍA MÁXIMA DE 600 VATIOS ESTADO CONSTANTE DE 1,0 VATIOS)Rectron Semiconductor
1923TFMBJ28ASUPRESOR TRANSITORIO DEL VOLTAJE DE GPP (ENERGÍA MÁXIMA DE 600 VATIOS ESTADO CONSTANTE DE 1,0 VATIOS)Rectron Semiconductor
1924TFMBJ30SUPRESOR TRANSITORIO DEL VOLTAJE DE GPP (ENERGÍA MÁXIMA DE 600 VATIOS ESTADO CONSTANTE DE 1,0 VATIOS)Rectron Semiconductor
1925TFMBJ30ASUPRESOR TRANSITORIO DEL VOLTAJE DE GPP (ENERGÍA MÁXIMA DE 600 VATIOS ESTADO CONSTANTE DE 1,0 VATIOS)Rectron Semiconductor
1926TFMBJ33SUPRESOR TRANSITORIO DEL VOLTAJE DE GPP (ENERGÍA MÁXIMA DE 600 VATIOS ESTADO CONSTANTE DE 1,0 VATIOS)Rectron Semiconductor
1927TFMBJ33ASUPRESOR TRANSITORIO DEL VOLTAJE DE GPP (ENERGÍA MÁXIMA DE 600 VATIOS ESTADO CONSTANTE DE 1,0 VATIOS)Rectron Semiconductor
1928TFMBJ36SUPRESOR TRANSITORIO DEL VOLTAJE DE GPP (ENERGÍA MÁXIMA DE 600 VATIOS ESTADO CONSTANTE DE 1,0 VATIOS)Rectron Semiconductor



1929TFMBJ36ASUPRESOR TRANSITORIO DEL VOLTAJE DE GPP (ENERGÍA MÁXIMA DE 600 VATIOS ESTADO CONSTANTE DE 1,0 VATIOS)Rectron Semiconductor
1930TFMBJ40SUPRESOR TRANSITORIO DEL VOLTAJE DE GPP (ENERGÍA MÁXIMA DE 600 VATIOS ESTADO CONSTANTE DE 1,0 VATIOS)Rectron Semiconductor
1931TFMBJ40ASUPRESOR TRANSITORIO DEL VOLTAJE DE GPP (ENERGÍA MÁXIMA DE 600 VATIOS ESTADO CONSTANTE DE 1,0 VATIOS)Rectron Semiconductor
1932TFMBJ43SUPRESOR TRANSITORIO DEL VOLTAJE DE GPP (ENERGÍA MÁXIMA DE 600 VATIOS ESTADO CONSTANTE DE 1,0 VATIOS)Rectron Semiconductor
1933TFMBJ43ASUPRESOR TRANSITORIO DEL VOLTAJE DE GPP (ENERGÍA MÁXIMA DE 600 VATIOS ESTADO CONSTANTE DE 1,0 VATIOS)Rectron Semiconductor
1934TFMBJ45SUPRESOR TRANSITORIO DEL VOLTAJE DE GPP (ENERGÍA MÁXIMA DE 600 VATIOS ESTADO CONSTANTE DE 1,0 VATIOS)Rectron Semiconductor
1935TFMBJ45ASUPRESOR TRANSITORIO DEL VOLTAJE DE GPP (ENERGÍA MÁXIMA DE 600 VATIOS ESTADO CONSTANTE DE 1,0 VATIOS)Rectron Semiconductor
1936TFMBJ48SUPRESOR TRANSITORIO DEL VOLTAJE DE GPP (ENERGÍA MÁXIMA DE 600 VATIOS ESTADO CONSTANTE DE 1,0 VATIOS)Rectron Semiconductor
1937TFMBJ48ASUPRESOR TRANSITORIO DEL VOLTAJE DE GPP (ENERGÍA MÁXIMA DE 600 VATIOS ESTADO CONSTANTE DE 1,0 VATIOS)Rectron Semiconductor
1938TFMBJ50SUPRESOR TRANSITORIO DEL VOLTAJE DE GPP (ENERGÍA MÁXIMA DE 600 VATIOS ESTADO CONSTANTE DE 1,0 VATIOS)Rectron Semiconductor
1939TFMBJ50ASUPRESOR TRANSITORIO DEL VOLTAJE DE GPP (ENERGÍA MÁXIMA DE 600 VATIOS ESTADO CONSTANTE DE 1,0 VATIOS)Rectron Semiconductor
1940TFMBJ51SUPRESOR TRANSITORIO DEL VOLTAJE DE GPP (ENERGÍA MÁXIMA DE 600 VATIOS ESTADO CONSTANTE DE 1,0 VATIOS)Rectron Semiconductor
1941TFMBJ51ASUPRESOR TRANSITORIO DEL VOLTAJE DE GPP (ENERGÍA MÁXIMA DE 600 VATIOS ESTADO CONSTANTE DE 1,0 VATIOS)Rectron Semiconductor
1942TFMBJ54SUPRESOR TRANSITORIO DEL VOLTAJE DE GPP (ENERGÍA MÁXIMA DE 600 VATIOS ESTADO CONSTANTE DE 1,0 VATIOS)Rectron Semiconductor
1943TFMBJ54ASUPRESOR TRANSITORIO DEL VOLTAJE DE GPP (ENERGÍA MÁXIMA DE 600 VATIOS ESTADO CONSTANTE DE 1,0 VATIOS)Rectron Semiconductor
1944TFMBJ58SUPRESOR TRANSITORIO DEL VOLTAJE DE GPP (ENERGÍA MÁXIMA DE 600 VATIOS ESTADO CONSTANTE DE 1,0 VATIOS)Rectron Semiconductor
1945TFMBJ58ASUPRESOR TRANSITORIO DEL VOLTAJE DE GPP (ENERGÍA MÁXIMA DE 600 VATIOS ESTADO CONSTANTE DE 1,0 VATIOS)Rectron Semiconductor
1946TFMBJ60SUPRESOR TRANSITORIO DEL VOLTAJE DE GPP (ENERGÍA MÁXIMA DE 600 VATIOS ESTADO CONSTANTE DE 1,0 VATIOS)Rectron Semiconductor
1947TFMBJ60ASUPRESOR TRANSITORIO DEL VOLTAJE DE GPP (ENERGÍA MÁXIMA DE 600 VATIOS ESTADO CONSTANTE DE 1,0 VATIOS)Rectron Semiconductor
1948TFMBJ64SUPRESOR TRANSITORIO DEL VOLTAJE DE GPP (ENERGÍA MÁXIMA DE 600 VATIOS ESTADO CONSTANTE DE 1,0 VATIOS)Rectron Semiconductor
1949TFMBJ64ASUPRESOR TRANSITORIO DEL VOLTAJE DE GPP (ENERGÍA MÁXIMA DE 600 VATIOS ESTADO CONSTANTE DE 1,0 VATIOS)Rectron Semiconductor
1950TFMBJ65SUPRESOR TRANSITORIO DEL VOLTAJE DE GPP (ENERGÍA MÁXIMA DE 600 VATIOS ESTADO CONSTANTE DE 1,0 VATIOS)Rectron Semiconductor

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