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Hojas de datos encontradas :: 10329

Nr.	Nombre de la parte	Descripción	Fabricante
10201	STD130 ASIC	Capacidades del paquete	Samsung Electronic
10202	STD130 ASIC	Introducción	Samsung Electronic
10203	STD130 ASIC	Contenido Del Libro	Samsung Electronic
10204	STD130 ASIC	Carga estándar equivalente para las capas	Samsung Electronic
10205	STD130 ASIC	Descripción del IP de I/O& I/O	Samsung Electronic
10206	STD131 ASIC	Células de I/O	Samsung Electronic
10207	STD131 ASIC	Memorias De alta densidad	Samsung Electronic
10208	STD131 ASIC	Misceláneas Primitivas	Samsung Electronic
10209	STD131 ASIC	Contenido Del Libro	Samsung Electronic
10210	STD131 ASIC	Glosario de términos análogos	Samsung Electronic
10211	STD131 ASIC	Folleto STD130	Samsung Electronic
10212	STD131 ASIC	Carga estándar equivalente para las capas	Samsung Electronic
10213	STD131 ASIC	Descripción del IP de I/O& I/O	Samsung Electronic
10214	STD131 ASIC	PLL 2073X	Samsung Electronic
10215	STD131 ASIC	Memorias Bajas De la Energía	Samsung Electronic
10216	STD131 ASIC	Flip/Flops Primitivo	Samsung Electronic
10217	STD131 ASIC	Células Primitivas De la Lógica	Samsung Electronic
10218	STD131 ASIC	Descripción Primitiva	Samsung Electronic
10219	STD131 ASIC	Células del IP de I/O	Samsung Electronic
10220	STD131 ASIC	Características	Samsung Electronic
10221	STD131 ASIC	Fanout máximo	Samsung Electronic
10222	STD131 ASIC	Introducción	Samsung Electronic
10223	STD131 ASIC	Capacidades del paquete	Samsung Electronic
10224	STD131 ASIC	Cierres Primitivos	Samsung Electronic
10225	STD150 ASIC	Glosario de términos análogos	Samsung Electronic
10226	STD150 ASIC	Timmings	Samsung Electronic
10227	STD150 ASIC	PLL2108X (de enero el 17 de 2002)	Samsung Electronic
10228	STD150 ASIC	Memorias De alta densidad	Samsung Electronic
10229	STD150 ASIC	Capacidades Del Paquete	Samsung Electronic
10230	STD150 ASIC	Células del IP de I/O	Samsung Electronic
10231	STD150 ASIC	Célula De la Entrada-salida	Samsung Electronic
10232	STD150 ASIC	Fanouts Máximo	Samsung Electronic
10233	STD150 ASIC	Inversor de corriente 1,0 Del Folleto STD150	Samsung Electronic
10234	STD150 ASIC	Células de I/O	Samsung Electronic
10235	STD150 ASIC	Misceláneas Primitivas	Samsung Electronic
10236	STD150 ASIC	Cierres Primitivos	Samsung Electronic
10237	STD150 ASIC	Introduction(Jan. 22, 2002)	Samsung Electronic
10238	STD150 ASIC	Descripción Primitiva	Samsung Electronic
10239	STD150 ASIC	Células Primitivas De la Lógica	Samsung Electronic
10240	STD150 ASIC	Flip/Flops Primitivo	Samsung Electronic
10241	STD150 ASIC	Characteristics(Jan. 22, 2002)	Samsung Electronic
10242	STD80	Introducción De la Biblioteca De Célula De Estándar De 0,5 Micrones STD80	Samsung Electronic
10243	STD80	Contenido De la Biblioteca De Célula De Estándar De 0,5 Micrones STD80	Samsung Electronic
10244	STD80	Características De la Biblioteca De Célula De Estándar De 0,5 Micrones STD80	Samsung Electronic
10245	STDH150 ASIC	Células de I/O	Samsung Electronic
10246	STDH150 ASIC	Células del IP de I/O	Samsung Electronic
10247	STDH150 ASIC	Células Primitivas De la Lógica	Samsung Electronic
10248	STDH150 ASIC	Descripción Primitiva	Samsung Electronic
10249	STDH150 ASIC	Misceláneas Primitivas	Samsung Electronic
10250	STDH150 ASIC	Células De la Entrada-salida	Samsung Electronic
10251	STDH150 ASIC	Características	Samsung Electronic
10252	STDH150 ASIC	Introducción	Samsung Electronic
10253	STDH150 ASIC	Folleto STDH150	Samsung Electronic
10254	STDH150 ASIC	Capacidades Del Paquete	Samsung Electronic
10255	STDH150 ASIC	Extremo del libro	Samsung Electronic
10256	STDH150 ASIC	Fanouts Máximo	Samsung Electronic
10257	STDH150 ASIC	Cierres Primitivos	Samsung Electronic
10258	STDH150 ASIC	Memorias De alta densidad	Samsung Electronic

10259	STDH150 ASIC	Flip/Flops Primitivo	Samsung Electronic
10260	STDH90	Contenido De la Biblioteca De 0,35 Micrones STDH90	Samsung Electronic
10261	STDH90	Introducción De la Biblioteca De 0,35 Micrones STDH90	Samsung Electronic
10262	STDL130 ASIC	Carga estándar equivalente para las capas	Samsung Electronic
10263	STDL130 ASIC	Capacidades del paquete	Samsung Electronic
10264	STDL130 ASIC	Cierres Primitivos	Samsung Electronic
10265	STDL130 ASIC	Versión 1,0 (1'a edición - de enero el 9 de 2001)	Samsung Electronic
10266	STDL130 ASIC	Glosario de términos análogos	Samsung Electronic
10267	STDL130 ASIC	Células Primitivas De la Lógica	Samsung Electronic
10268	STDL130 ASIC	Misceláneas Primitivas	Samsung Electronic
10269	STDL130 ASIC	Memorias De alta densidad	Samsung Electronic
10270	STDL130 ASIC	Características	Samsung Electronic
10271	STDL130 ASIC	Fanout máximo	Samsung Electronic
10272	STDL130 ASIC	Flip/Flops Primitivo	Samsung Electronic
10273	STDL130 ASIC	Introducción	Samsung Electronic
10274	STDL130 ASIC	Descripción Primitiva	Samsung Electronic
10275	STDL80	Biblioteca De Célula De Estándar De 0,5 Micrones STDL80 JTAG	Samsung Electronic
10276	STDM110 ASIC	Contenido Del Libro	Samsung Electronic
10277	STDM110 ASIC	PLL 2013X	Samsung Electronic
10278	STDM110 ASIC	Características	Samsung Electronic
10279	STDM110 ASIC	Introducción	Samsung Electronic
10280	STRS6309	Solamente CIRCUITO INTEGRE	Samsung Electronic
10281	TB8235	USUARIOS 8-bit DE LOS MICROCONTROLADORES DEL CMOS MANUALES	Samsung Electronic
10282	TB8238	USUARIOS 8-bit DE LOS MICROCONTROLADORES DEL CMOS MANUALES	Samsung Electronic
10283	TB9228	USUARIOS 8-bit DE LOS MICROCONTROLADORES DEL CMOS MANUALES	Samsung Electronic
10284	TIP100	60 V, 8 A, de silicio epitaxial transistor NPN Darlington	Samsung Electronic
10285	TIP101	80 V, 8 A, de silicio epitaxial transistor NPN Darlington	Samsung Electronic
10286	TIP102	100 V, 8 A, de silicio epitaxial transistor NPN Darlington	Samsung Electronic
10287	TIP105	PNP (ALTO AUMENTO ACTUAL MINUTO DE C.C.	Samsung Electronic
10288	TIP106	-80 V, -8 A, epitaxial del silicio de PNP Darlington transistor	Samsung Electronic
10289	TIP107	-100 V, -8 A, epitaxial del silicio de PNP Darlington transistor	Samsung Electronic
10290	TIP110	60 V, 2 A, de silicio epitaxial transistor NPN Darlington	Samsung Electronic
10291	TIP111	80 V, 2 A, de silicio epitaxial transistor NPN Darlington	Samsung Electronic
10292	TIP112	100 V, 2 A, de silicio epitaxial transistor NPN Darlington	Samsung Electronic
10293	TIP115	-60 V, -2 A, epitaxial del silicio de PNP Darlington transistor	Samsung Electronic
10294	TIP116	-80 V, -2 A, epitaxial del silicio de PNP Darlington transistor	Samsung Electronic
10295	TIP117	-100 V, -2 A, epitaxial del silicio de PNP Darlington transistor	Samsung Electronic
10296	TIP120	NPN (USOS LINEARES DE LA CONMUTACIÓN DE LA ENERGÍA MEDIA)	Samsung Electronic
10297	TIP121	80 V, 5 A, de silicio epitaxial transistor NPN Darlington	Samsung Electronic
10298	TIP122	100 V, 5 A, de silicio epitaxial transistor NPN Darlington	Samsung Electronic
10299	TIP125	-60 V, -5 A, epitaxial del silicio de PNP Darlington transistor	Samsung Electronic
10300	TIP126	PNP (USOS LINEARES DE LA CONMUTACIÓN DE LA ENERGÍA MEDIA)	Samsung Electronic

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