|   Primera página   |   Todos los fabricantes   |   Por la función   |  

Número de pieza, la descripción o el fabricante contener:  
Salto rápido a:   1N  2N  2SA  2SC  74  AD  BA  BC  BD  BF  BU  CXA  HCF  IRF  KA  KIA  LA  LM  MC  NE  ST  STK  TDA  TL  UA  



Hojas de datos encontradas :: 10329 English Version for this page Version française pour cette page Deutsche Version für diese Seite Versione italiana per questa pagina Versão portuguese para esta página Russian Version Romanian Version
Nr.Nombre de la parteDescripciónFabricante
5901KM416RD8AC-RK70256K x 16 x 32s bancos dependientes RDRAM directa. Tiempo de acceso: 45 ns, velocidad: 711 Mbps (356 MHz).Samsung Electronic
5902KM416RD8AC-RK80256K x 16 x 32s bancos dependientes RDRAM directa. Tiempo de acceso: 45 ns, velocidad: 800 Mbps (400 MHz).Samsung Electronic
5903KM416RD8AD128/144Mbit RDRAMSamsung Electronic
5904KM416RD8AD-RG60256K x 16 x 32s bancos dependientes RDRAM directa. Tiempo de acceso: 53,3 ns, velocidad: 600 Mbps (300 MHz).Samsung Electronic
5905KM416RD8AD-RK70256K x 16 x 32s bancos dependientes RDRAM directa. Tiempo de acceso: 45 ns, velocidad: 711 Mbps (356 MHz).Samsung Electronic
5906KM416RD8AD-RK80256K x 16 x 32s bancos dependientes RDRAM directa. Tiempo de acceso: 45 ns, velocidad: 800 Mbps (400 MHz).Samsung Electronic
5907KM416RD8ASRDRAM DirectoSamsung Electronic
5908KM416RD8AS-RBM80128Mbit RDRAM 256K x 16 bancos dependientes 2*16 del pedacito x dirigen RDRAMTM para el paquete del consumidorSamsung Electronic
5909KM416RD8AS-RM80256K x 16 x 32s bancos dependientes para el paquete del consumidor. Tiempo de acceso: 40 ns, velocidad: 800 Mbps (400 MHz).Samsung Electronic
5910KM416RD8AS-SCM80128Mbit RDRAM 256K x 16 bancos dependientes 2*16 del pedacito x dirigen RDRAMTM para el paquete del consumidorSamsung Electronic
5911KM416RD8AS-SM80256K x 16 x 32s bancos dependientes para el paquete del consumidor. Tiempo de acceso: 40 ns, velocidad: 800 Mbps (400 MHz).Samsung Electronic
5912KM416RD8C128/144Mbit RDRAM 256K x 16/18 los bancos dependientes del pedacito x 2*16 dirigen RDRAMTMSamsung Electronic
5913KM416RD8D128/144Mbit RDRAM 256K x 16/18 los bancos dependientes del pedacito x 2*16 dirigen RDRAMTMSamsung Electronic
5914KM416S4030C1M x 16Bit x COPITA síncrona de 4 bancosSamsung Electronic
5915KM416S4030CT-F101M x 16Bit x COPITA síncrona de 4 bancosSamsung Electronic
5916KM416S4030CT-F71M x 16Bit x COPITA síncrona de 4 bancosSamsung Electronic
5917KM416S4030CT-F81M x 16Bit x COPITA síncrona de 4 bancosSamsung Electronic
5918KM416S4030CT-FH1M x 16Bit x COPITA síncrona de 4 bancosSamsung Electronic
5919KM416S4030CT-FL1M x 16Bit x COPITA síncrona de 4 bancosSamsung Electronic
5920KM416S4030CT-G1M x 16Bit x COPITA síncrona de 4 bancosSamsung Electronic
5921KM416S4030CT-G764Mbit (1M x 16 bits x 4 bancos) LVTTL DRAMA bynchronous, 143MHzSamsung Electronic
5922KM416S4030CT-G864Mbit (1M x 16 bits x 4 bancos) LVTTL DRAMA bynchronous, 125MHzSamsung Electronic
5923KM416S4030CT-GH64Mbit (1M x 16 bits x 4 bancos) LVTTL DRAMA bynchronous, 100MHzSamsung Electronic
5924KM416S4030CT-GL64Mbit (1M x 16 bits x 4 bancos) LVTTL DRAMA bynchronous, 100MHzSamsung Electronic
5925KM416S4030CT-L1064Mbit (1M x 16 bits x 4 bancos) LVTTL DRAMA bynchronous, 100MHzSamsung Electronic
5926KM416S8030los 2M x 16Bit x COPITA síncrona de 4 bancosSamsung Electronic
5927KM416S8030Blos 2M x 16Bit x COPITA síncrona LVTTL de 4 bancosSamsung Electronic
5928KM416S8030BT-G/F10128Mbit SDRAM los 2M x 16Bit x COPITA síncrona LVTTL de 4 bancosSamsung Electronic
5929KM416S8030BT-G/F8128Mbit SDRAM los 2M x 16Bit x COPITA síncrona LVTTL de 4 bancosSamsung Electronic
5930KM416S8030BT-G/FA128Mbit SDRAM los 2M x 16Bit x COPITA síncrona LVTTL de 4 bancosSamsung Electronic
5931KM416S8030BT-G/FH128Mbit SDRAM los 2M x 16Bit x COPITA síncrona LVTTL de 4 bancosSamsung Electronic
5932KM416S8030BT-G/FL128Mbit SDRAM los 2M x 16Bit x COPITA síncrona LVTTL de 4 bancosSamsung Electronic
5933KM416S8030T-G/F10los 2M x 16Bit x COPITA síncrona de 4 bancosSamsung Electronic
5934KM416S8030T-G/F8los 2M x 16Bit x COPITA síncrona de 4 bancosSamsung Electronic
5935KM416S8030T-G/FHlos 2M x 16Bit x COPITA síncrona de 4 bancosSamsung Electronic
5936KM416S8030T-G/FLlos 2M x 16Bit x COPITA síncrona de 4 bancosSamsung Electronic
5937KM416V1000BESPOLÓN dinámico del 1M x 16Bit Cmos con modo rápido de la páginaSamsung Electronic
5938KM416V1000BJ-51M x 16 bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 3.3V, 50nsSamsung Electronic
5939KM416V1000BJ-61M x 16 bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 3.3V, 60nsSamsung Electronic
5940KM416V1000BJ-71M x 16 bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 3.3V, 70nsSamsung Electronic
5941KM416V1000BJL-51M x 16 bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 3.3V, 50nsSamsung Electronic
5942KM416V1000BJL-61M x 16 bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 3.3V, 60nsSamsung Electronic
5943KM416V1000BJL-71M x 16 bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 3.3V, 70nsSamsung Electronic
5944KM416V1000BT-51M x 16 bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 3.3V, 50nsSamsung Electronic
5945KM416V1000BT-61M x 16 bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 3.3V, 60nsSamsung Electronic
5946KM416V1000BT-71M x 16 bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 3.3V, 70nsSamsung Electronic
5947KM416V1000BTL-51M x 16 bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 3.3V, 50nsSamsung Electronic
5948KM416V1000BTL-61M x 16 bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 3.3V, 60nsSamsung Electronic
5949KM416V1000BTL-71M x 16 bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 3.3V, 70nsSamsung Electronic
5950KM416V1000CESPOLÓN dinámico del 1M x 16Bit Cmos con modo rápido de la páginaSamsung Electronic
5951KM416V1000CJ-51M x 16 bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 3.3V, 50nsSamsung Electronic
5952KM416V1000CJ-61M x 16 bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 3.3V, 60nsSamsung Electronic
5953KM416V1000CJL-51M x 16 bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 3.3V, 50nsSamsung Electronic
5954KM416V1000CJL-61M x 16 bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 3.3V, 60nsSamsung Electronic
5955KM416V1000CT-51M x 16 bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 3.3V, 50nsSamsung Electronic
5956KM416V1000CT-61M x 16 bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 3.3V, 60nsSamsung Electronic
5957KM416V1000CTL-51M x 16 bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 3.3V, 50nsSamsung Electronic



5958KM416V1000CTL-61M x 16 bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 3.3V, 60nsSamsung Electronic
5959KM416V1004A1M x ESPOLÓN DINÁMICO de 16 PEDACITOS Cmos CON DATOS EXTENDIDOS HACIA FUERASamsung Electronic
5960KM416V1004A-61M x ESPOLÓN DINÁMICO de 16 PEDACITOS Cmos CON DATOS EXTENDIDOS HACIA FUERASamsung Electronic
5961KM416V1004A-71M x ESPOLÓN DINÁMICO de 16 PEDACITOS Cmos CON DATOS EXTENDIDOS HACIA FUERASamsung Electronic
5962KM416V1004A-81M x ESPOLÓN DINÁMICO de 16 PEDACITOS Cmos CON DATOS EXTENDIDOS HACIA FUERASamsung Electronic
5963KM416V1004A-F61M x ESPOLÓN DINÁMICO de 16 PEDACITOS Cmos CON DATOS EXTENDIDOS HACIA FUERASamsung Electronic
5964KM416V1004A-F71M x ESPOLÓN DINÁMICO de 16 PEDACITOS Cmos CON DATOS EXTENDIDOS HACIA FUERASamsung Electronic
5965KM416V1004A-F81M x ESPOLÓN DINÁMICO de 16 PEDACITOS Cmos CON DATOS EXTENDIDOS HACIA FUERASamsung Electronic
5966KM416V1004A-L61M x ESPOLÓN DINÁMICO de 16 PEDACITOS Cmos CON DATOS EXTENDIDOS HACIA FUERASamsung Electronic
5967KM416V1004A-L71M x ESPOLÓN DINÁMICO de 16 PEDACITOS Cmos CON DATOS EXTENDIDOS HACIA FUERASamsung Electronic
5968KM416V1004A-L81M x ESPOLÓN DINÁMICO de 16 PEDACITOS Cmos CON DATOS EXTENDIDOS HACIA FUERASamsung Electronic
5969KM416V1004AJ-63.3V, 1 M x 16 bit CMOS DRAM con datos extendidos hacia fuera, 60nsSamsung Electronic
5970KM416V1004AJ-73.3V, 1 M x 16 bit CMOS DRAM con datos extendidos hacia fuera, 70nsSamsung Electronic
5971KM416V1004AJ-83.3V, 1 M x 16 bit CMOS DRAM con datos extendidos hacia fuera, 80nsSamsung Electronic
5972KM416V1004AJ-F63.3V, 1 M x 16 bit CMOS DRAM con datos extendidos hacia fuera, 60nsSamsung Electronic
5973KM416V1004AJ-F73.3V, 1 M x 16 bit CMOS DRAM con datos extendidos hacia fuera, 70nsSamsung Electronic
5974KM416V1004AJ-F83.3V, 1 M x 16 bit CMOS DRAM con datos extendidos hacia fuera, 80nsSamsung Electronic
5975KM416V1004AJ-L63.3V, 1 M x 16 bit CMOS DRAM con datos extendidos hacia fuera, 60nsSamsung Electronic
5976KM416V1004AJ-L73.3V, 1 M x 16 bit CMOS DRAM con datos extendidos hacia fuera, 70nsSamsung Electronic
5977KM416V1004AJ-L83.3V, 1 M x 16 bit CMOS DRAM con datos extendidos hacia fuera, 80nsSamsung Electronic
5978KM416V1004AR-63.3V, 1 M x 16 bit CMOS DRAM con datos extendidos hacia fuera, 60nsSamsung Electronic
5979KM416V1004AR-73.3V, 1 M x 16 bit CMOS DRAM con datos extendidos hacia fuera, 70nsSamsung Electronic
5980KM416V1004AR-83.3V, 1 M x 16 bit CMOS DRAM con datos extendidos hacia fuera, 80nsSamsung Electronic
5981KM416V1004AR-F63.3V, 1 M x 16 bit CMOS DRAM con datos extendidos hacia fuera, 60nsSamsung Electronic
5982KM416V1004AR-F73.3V, 1 M x 16 bit CMOS DRAM con datos extendidos hacia fuera, 70nsSamsung Electronic
5983KM416V1004AR-F83.3V, 1 M x 16 bit CMOS DRAM con datos extendidos hacia fuera, 80nsSamsung Electronic
5984KM416V1004AR-L63.3V, 1 M x 16 bit CMOS DRAM con datos extendidos hacia fuera, 60nsSamsung Electronic
5985KM416V1004AR-L73.3V, 1 M x 16 bit CMOS DRAM con datos extendidos hacia fuera, 70nsSamsung Electronic
5986KM416V1004AR-L83.3V, 1 M x 16 bit CMOS DRAM con datos extendidos hacia fuera, 80nsSamsung Electronic
5987KM416V1004AT-63.3V, 1 M x 16 bit CMOS DRAM con datos extendidos hacia fuera, 60nsSamsung Electronic
5988KM416V1004AT-73.3V, 1 M x 16 bit CMOS DRAM con datos extendidos hacia fuera, 70nsSamsung Electronic
5989KM416V1004AT-83.3V, 1 M x 16 bit CMOS DRAM con datos extendidos hacia fuera, 80nsSamsung Electronic
5990KM416V1004AT-F63.3V, 1 M x 16 bit CMOS DRAM con datos extendidos hacia fuera, 60nsSamsung Electronic
5991KM416V1004AT-F73.3V, 1 M x 16 bit CMOS DRAM con datos extendidos hacia fuera, 70nsSamsung Electronic
5992KM416V1004AT-F83.3V, 1 M x 16 bit CMOS DRAM con datos extendidos hacia fuera, 80nsSamsung Electronic
5993KM416V1004AT-L63.3V, 1 M x 16 bit CMOS DRAM con datos extendidos hacia fuera, 60nsSamsung Electronic
5994KM416V1004AT-L73.3V, 1 M x 16 bit CMOS DRAM con datos extendidos hacia fuera, 70nsSamsung Electronic
5995KM416V1004AT-L83.3V, 1 M x 16 bit CMOS DRAM con datos extendidos hacia fuera, 80nsSamsung Electronic
5996KM416V1004BJ-53.3V, 1 M x 16 bit CMOS DRAM con datos extendidos hacia fuera, 50nsSamsung Electronic
5997KM416V1004BJ-63.3V, 1 M x 16 bit CMOS DRAM con datos extendidos hacia fuera, 60nsSamsung Electronic
5998KM416V1004BJ-73.3V, 1 M x 16 bit CMOS DRAM con datos extendidos hacia fuera, 70nsSamsung Electronic
5999KM416V1004BJ-L53.3V, 1 M x 16 bit CMOS DRAM con datos extendidos hacia fuera, 50nsSamsung Electronic
6000KM416V1004BJ-L63.3V, 1 M x 16 bit CMOS DRAM con datos extendidos hacia fuera, 60nsSamsung Electronic

Página: | 1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | 7 | 8 | 9 | 10 | 11 | 12 | 13 | 14 | 15 | 16 | 17 | 18 | 19 | 20 | 21 | 22 | 23 | 24 | 25 | 26 | 27 | 28 | 29 | 30 | 31 | 32 | 33 | 34 | 35 | 36 | 37 | 38 | 39 | 40 | 41 | 42 | 43 | 44 | 45 | 46 | 47 | 48 | 49 | 50 | 51 | 52 | 53 | 54 | 55 | 56 | 57 | 58 | 59 | 60 | 61 | 62 | 63 | 64 | 65 | 66 | 67 | 68 | 69 | 70 | 71 | 72 | 73 | 74 | 75 | 76 | 77 | 78 | 79 | 80 | 81 | 82 | 83 | 84 | 85 | 86 | 87 | 88 | 89 | 90 | 91 | 92 | 93 | 94 | 95 | 96 | 97 | 98 | 99 | 100 | 101 | 102 | 103 | 104 |


© 2023    www.datasheetcatalog.net/es/samsungelectronic/1/