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Nr.Nombre de la parteDescripciónFabricante
6001KM416V1004BJ-L73.3V, 1 M x 16 bit CMOS DRAM con datos extendidos hacia fuera, 70nsSamsung Electronic
6002KM416V1004BT-53.3V, 1 M x 16 bit CMOS DRAM con datos extendidos hacia fuera, 50nsSamsung Electronic
6003KM416V1004BT-63.3V, 1 M x 16 bit CMOS DRAM con datos extendidos hacia fuera, 60nsSamsung Electronic
6004KM416V1004BT-73.3V, 1 M x 16 bit CMOS DRAM con datos extendidos hacia fuera, 70nsSamsung Electronic
6005KM416V1004BT-L53.3V, 1 M x 16 bit CMOS DRAM con datos extendidos hacia fuera, 50nsSamsung Electronic
6006KM416V1004BT-L63.3V, 1 M x 16 bit CMOS DRAM con datos extendidos hacia fuera, 60nsSamsung Electronic
6007KM416V1004BT-L73.3V, 1 M x 16 bit CMOS DRAM con datos extendidos hacia fuera, 70nsSamsung Electronic
6008KM416V1004CESPOLÓN dinámico del 1M x 16Bit Cmos con datos extendidos hacia fueraSamsung Electronic
6009KM416V1004CJ-451M x 16 bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera, 45ns, VCC = 3.3V, período de actualización = 64msSamsung Electronic
6010KM416V1004CJ-53.3V, 1 M x 16 bit CMOS DRAM con datos extendidos hacia fuera, 50nsSamsung Electronic
6011KM416V1004CJ-501M x 16 bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera, 50ns, VCC = 3.3V, período de actualización = 64msSamsung Electronic
6012KM416V1004CJ-63.3V, 1 M x 16 bit CMOS DRAM con datos extendidos hacia fuera, 60nsSamsung Electronic
6013KM416V1004CJ-601M x 16 bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera, 60ns, VCC = 3.3V, período de actualización = 64msSamsung Electronic
6014KM416V1004CJ-L53.3V, 1 M x 16 bit CMOS DRAM con datos extendidos hacia fuera, 50nsSamsung Electronic
6015KM416V1004CJ-L63.3V, 1 M x 16 bit CMOS DRAM con datos extendidos hacia fuera, 60nsSamsung Electronic
6016KM416V1004CJL-451M x 16 bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera, 45ns, VCC = 3.3V, auto-actualizaciónSamsung Electronic
6017KM416V1004CJL-501M x 16 bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera, 50ns, VCC = 3.3V, auto-actualizaciónSamsung Electronic
6018KM416V1004CJL-601M x 16 bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera, 60ns, VCC = 3.3V, auto-actualizaciónSamsung Electronic
6019KM416V1004CT-451M x 16 bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera, 45ns, VCC = 3.3V, período de actualización = 64msSamsung Electronic
6020KM416V1004CT-53.3V, 1 M x 16 bit CMOS DRAM con datos extendidos hacia fuera, 50nsSamsung Electronic
6021KM416V1004CT-501M x 16 bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera, 50ns, VCC = 3.3V, período de actualización = 64msSamsung Electronic
6022KM416V1004CT-63.3V, 1 M x 16 bit CMOS DRAM con datos extendidos hacia fuera, 60nsSamsung Electronic
6023KM416V1004CT-601M x 16 bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera, 60ns, VCC = 3.3V, período de actualización = 64msSamsung Electronic
6024KM416V1004CT-L53.3V, 1 M x 16 bit CMOS DRAM con datos extendidos hacia fuera, 50nsSamsung Electronic
6025KM416V1004CT-L63.3V, 1 M x 16 bit CMOS DRAM con datos extendidos hacia fuera, 60nsSamsung Electronic
6026KM416V1004CTL-451M x 16 bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera, 45ns, VCC = 3.3V, auto-actualizaciónSamsung Electronic
6027KM416V1004CTL-501M x 16 bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera, 50ns, VCC = 3.3V, auto-actualizaciónSamsung Electronic
6028KM416V1004CTL-601M x 16 bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera, 60ns, VCC = 3.3V, auto-actualizaciónSamsung Electronic
6029KM416V1200BESPOLÓN dinámico del 1M x 16Bit Cmos con modo rápido de la páginaSamsung Electronic
6030KM416V1200BJ-51M x 16 bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 3.3V, 50nsSamsung Electronic
6031KM416V1200BJ-61M x 16 bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 3.3V, 60nsSamsung Electronic
6032KM416V1200BJ-71M x 16 bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 3.3V, 70nsSamsung Electronic
6033KM416V1200BJL-51M x 16 bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 3.3V, 50nsSamsung Electronic
6034KM416V1200BJL-61M x 16 bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 3.3V, 60nsSamsung Electronic
6035KM416V1200BJL-71M x 16 bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 3.3V, 70nsSamsung Electronic
6036KM416V1200BT-51M x 16 bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 3.3V, 50nsSamsung Electronic
6037KM416V1200BT-61M x 16 bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 3.3V, 60nsSamsung Electronic
6038KM416V1200BT-71M x 16 bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 3.3V, 70nsSamsung Electronic
6039KM416V1200BTL-51M x 16 bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 3.3V, 50nsSamsung Electronic
6040KM416V1200BTL-61M x 16 bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 3.3V, 60nsSamsung Electronic
6041KM416V1200BTL-71M x 16 bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 3.3V, 70nsSamsung Electronic
6042KM416V1200CESPOLÓN dinámico del 1M x 16Bit Cmos con modo rápido de la páginaSamsung Electronic
6043KM416V1200CJ-51M x 16 bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 3.3V, 50nsSamsung Electronic
6044KM416V1200CJ-61M x 16 bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 3.3V, 60nsSamsung Electronic
6045KM416V1200CJL-51M x 16 bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 3.3V, 50nsSamsung Electronic
6046KM416V1200CJL-61M x 16 bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 3.3V, 60nsSamsung Electronic
6047KM416V1200CT-51M x 16 bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 3.3V, 50nsSamsung Electronic
6048KM416V1200CT-61M x 16 bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 3.3V, 60nsSamsung Electronic
6049KM416V1200CTL-51M x 16 bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 3.3V, 50nsSamsung Electronic
6050KM416V1200CTL-61M x 16 bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 3.3V, 60nsSamsung Electronic
6051KM416V1204BJESPOLÓN del 1M x 16BIT Cmos DYNAMIT CON DATOS EXTENDIDOS HACIA FUERASamsung Electronic
6052KM416V1204BJ-53.3V, 1 M x 16 bit CMOS DRAM con datos extendidos hacia fuera, 50nsSamsung Electronic
6053KM416V1204BJ-63.3V, 1 M x 16 bit CMOS DRAM con datos extendidos hacia fuera, 60nsSamsung Electronic
6054KM416V1204BJ-73.3V, 1 M x 16 bit CMOS DRAM con datos extendidos hacia fuera, 70nsSamsung Electronic
6055KM416V1204BJ-L53.3V, 1 M x 16 bit CMOS DRAM con datos extendidos hacia fuera, 50nsSamsung Electronic
6056KM416V1204BJ-L63.3V, 1 M x 16 bit CMOS DRAM con datos extendidos hacia fuera, 60nsSamsung Electronic
6057KM416V1204BJ-L73.3V, 1 M x 16 bit CMOS DRAM con datos extendidos hacia fuera, 70nsSamsung Electronic



6058KM416V1204BT-53.3V, 1 M x 16 bit CMOS DRAM con datos extendidos hacia fuera, 50nsSamsung Electronic
6059KM416V1204BT-63.3V, 1 M x 16 bit CMOS DRAM con datos extendidos hacia fuera, 60nsSamsung Electronic
6060KM416V1204BT-73.3V, 1 M x 16 bit CMOS DRAM con datos extendidos hacia fuera, 70nsSamsung Electronic
6061KM416V1204BT-L53.3V, 1 M x 16 bit CMOS DRAM con datos extendidos hacia fuera, 50nsSamsung Electronic
6062KM416V1204BT-L63.3V, 1 M x 16 bit CMOS DRAM con datos extendidos hacia fuera, 60nsSamsung Electronic
6063KM416V1204BT-L73.3V, 1 M x 16 bit CMOS DRAM con datos extendidos hacia fuera, 70nsSamsung Electronic
6064KM416V1204CESPOLÓN dinámico del 1M x 16Bit Cmos con datos extendidos hacia fueraSamsung Electronic
6065KM416V1204CJ-451M x 16 bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera, 45ns, VCC = 3.3V, período de actualización = 16 msSamsung Electronic
6066KM416V1204CJ-53.3V, 1 M x 16 bit CMOS DRAM con datos extendidos hacia fuera, 50nsSamsung Electronic
6067KM416V1204CJ-501M x 16 bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera, 50ns, VCC = 3.3V, período de actualización = 16 msSamsung Electronic
6068KM416V1204CJ-63.3V, 1 M x 16 bit CMOS DRAM con datos extendidos hacia fuera, 60nsSamsung Electronic
6069KM416V1204CJ-601M x 16 bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera, 60ns, VCC = 3.3V, período de actualización = 16 msSamsung Electronic
6070KM416V1204CJ-L53.3V, 1 M x 16 bit CMOS DRAM con datos extendidos hacia fuera, 50nsSamsung Electronic
6071KM416V1204CJ-L63.3V, 1 M x 16 bit CMOS DRAM con datos extendidos hacia fuera, 60nsSamsung Electronic
6072KM416V1204CJL-451M x 16 bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera, 45ns, VCC = 3.3V, auto-actualizaciónSamsung Electronic
6073KM416V1204CJL-501M x 16 bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera, 50ns, VCC = 3.3V, auto-actualizaciónSamsung Electronic
6074KM416V1204CJL-601M x 16 bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera, 60ns, VCC = 3.3V, auto-actualizaciónSamsung Electronic
6075KM416V1204CT-451M x 16 bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera, 45ns, VCC = 3.3V, período de actualización = 16 msSamsung Electronic
6076KM416V1204CT-53.3V, 1 M x 16 bit CMOS DRAM con datos extendidos hacia fuera, 50nsSamsung Electronic
6077KM416V1204CT-501M x 16 bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera, 50ns, VCC = 3.3V, período de actualización = 16 msSamsung Electronic
6078KM416V1204CT-63.3V, 1 M x 16 bit CMOS DRAM con datos extendidos hacia fuera, 60nsSamsung Electronic
6079KM416V1204CT-601M x 16 bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera, 60ns, VCC = 3.3V, período de actualización = 16 msSamsung Electronic
6080KM416V1204CT-L53.3V, 1 M x 16 bit CMOS DRAM con datos extendidos hacia fuera, 50nsSamsung Electronic
6081KM416V1204CT-L63.3V, 1 M x 16 bit CMOS DRAM con datos extendidos hacia fuera, 60nsSamsung Electronic
6082KM416V1204CTL-451M x 16 bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera, 45ns, VCC = 3.3V, auto-actualizaciónSamsung Electronic
6083KM416V1204CTL-501M x 16 bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera, 50ns, VCC = 3.3V, auto-actualizaciónSamsung Electronic
6084KM416V1204CTL-601M x 16 bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera, 60ns, VCC = 3.3V, auto-actualizaciónSamsung Electronic
6085KM416V254DESPOLÓN dinámico de 256K x de 16Bit Cmos con datos extendidos hacia fueraSamsung Electronic
6086KM416V254DJ-5256K x 16 bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera, Vcc = 3.3V, 50ns, 8ms período de refrescoSamsung Electronic
6087KM416V254DJ-6256K x 16 bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera, Vcc = 3.3V, 60ns, 8ms período de refrescoSamsung Electronic
6088KM416V254DJ-7256K x 16 bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera, Vcc = 3.3V, 70ns, 8ms período de refrescoSamsung Electronic
6089KM416V254DJL-5256K x 16 bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera, Vcc = 3.3V, 50ns, la auto-actualizaciónSamsung Electronic
6090KM416V254DJL-6256K x 16 bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera, Vcc = 3.3V, 60ns, la auto-actualizaciónSamsung Electronic
6091KM416V254DJL-7256K x 16 bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera, Vcc = 3.3V, 70ns, la auto-actualizaciónSamsung Electronic
6092KM416V254DT-5256K x 16 bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera, Vcc = 3.3V, 50ns, 8ms período de refrescoSamsung Electronic
6093KM416V254DT-6256K x 16 bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera, Vcc = 3.3V, 60ns, 8ms período de refrescoSamsung Electronic
6094KM416V254DT-7256K x 16 bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera, Vcc = 3.3V, 70ns, 8ms período de refrescoSamsung Electronic
6095KM416V254DTL-5256K x 16 bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera, Vcc = 3.3V, 50ns, la auto-actualizaciónSamsung Electronic
6096KM416V254DTL-6256K x 16 bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera, Vcc = 3.3V, 60ns, la auto-actualizaciónSamsung Electronic
6097KM416V254DTL-7256K x 16 bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera, Vcc = 3.3V, 70ns, la auto-actualizaciónSamsung Electronic
6098KM416V256DESPOLÓN dinámico de 256K x de 16Bit Cmos con modo rápido de la páginaSamsung Electronic
6099KM416V256DJ-5256K x 16 bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 50ns, 3.3VSamsung Electronic
6100KM416V256DJ-6256K x 16 bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 60ns, 3.3VSamsung Electronic

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