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Nr.Nombre de la parteDescripciónFabricante
601K4E171611D-T1M x 16 bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera. 5V Tensión de alimentación, 4K ciclo de actualización.Samsung Electronic
602K4E171612DESPOLÓN dinámico del 1M x 16Bit Cmos con datos extendidos hacia fueraSamsung Electronic
603K4E171612D-J1M x 16 bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera. 3.3V Tensión de alimentación, ciclo de actualización 4K.Samsung Electronic
604K4E171612D-T1M x 16 bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera. 3.3V Tensión de alimentación, ciclo de actualización 4K.Samsung Electronic
605K4E640412DESPOLÓN dinámico del 16M x 4bit Cmos con datos extendidos hacia fueraSamsung Electronic
606K4E640412D-JC_L16M x 4 bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera. 3.3V, 4K refrescar ciclo.Samsung Electronic
607K4E640412D-TC_L16M x 4 bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera. 3.3V, 4K refrescar ciclo.Samsung Electronic
608K4E640812BESPOLÓN dinámico de los 8M x 8bit Cmos con datos extendidos hacia fueraSamsung Electronic
609K4E640812B-JC-458M x 8bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera, 45nsSamsung Electronic
610K4E640812B-JC-58M x 8bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera, 50nsSamsung Electronic
611K4E640812B-JC-68M x 8bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera, 60nsSamsung Electronic
612K4E640812B-JCL-458M x 8bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera, 45nsSamsung Electronic
613K4E640812B-JCL-58M x 8bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera, 50nsSamsung Electronic
614K4E640812B-JCL-68M x 8bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera, 60nsSamsung Electronic
615K4E640812B-TC-458M x 8bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera, 45nsSamsung Electronic
616K4E640812B-TC-58M x 8bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera, 50nsSamsung Electronic
617K4E640812B-TC-68M x 8bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera, 60nsSamsung Electronic
618K4E640812B-TCL-458M x 8bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera, 45nsSamsung Electronic
619K4E640812B-TCL-58M x 8bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera, 50nsSamsung Electronic
620K4E640812B-TCL-68M x 8bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera, 60nsSamsung Electronic
621K4E640812CESPOLÓN dinámico de los 8M x 8bit Cmos con datos extendidos hacia fueraSamsung Electronic
622K4E640812C-JC-458M x 8bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera, 45nsSamsung Electronic
623K4E640812C-JC-58M x 8bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera, 50nsSamsung Electronic
624K4E640812C-JC-68M x 8bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera, 60nsSamsung Electronic
625K4E640812C-JCL-458M x 8bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera, 45nsSamsung Electronic
626K4E640812C-JCL-58M x 8bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera, 50nsSamsung Electronic
627K4E640812C-JCL-68M x 8bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera, 60nsSamsung Electronic
628K4E640812C-TC-458M x 8bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera, 45nsSamsung Electronic
629K4E640812C-TC-58M x 8bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera, 50nsSamsung Electronic
630K4E640812C-TC-68M x 8bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera, 60nsSamsung Electronic
631K4E640812C-TCL-458M x 8bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera, 45nsSamsung Electronic
632K4E640812C-TCL-58M x 8bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera, 50nsSamsung Electronic
633K4E640812C-TCL-68M x 8bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera, 60nsSamsung Electronic
634K4E640812EESPOLÓN dinámico de los 8M x 8bit Cmos con datos extendidos hacia fueraSamsung Electronic
635K4E640812E-JC/LESPOLÓN dinámico de los 8M x 8bit Cmos con datos extendidos hacia fueraSamsung Electronic
636K4E640812E-TC/LESPOLÓN dinámico de los 8M x 8bit Cmos con datos extendidos hacia fueraSamsung Electronic
637K4E641612BESPOLÓN dinámico de los 4M x 16bit Cmos con datos extendidos hacia fueraSamsung Electronic
638K4E641612B-LESPOLÓN dinámico de los 4M x 16bit Cmos con datos extendidos hacia fueraSamsung Electronic
639K4E641612B-TCESPOLÓN dinámico de los 4M x 16bit Cmos con datos extendidos hacia fueraSamsung Electronic
640K4E641612B-TC454M x 16bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera, la fuente de alimentación de 3,3 V, 45nsSamsung Electronic
641K4E641612B-TC504M x 16bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera, la fuente de alimentación de 3,3 V, 50nsSamsung Electronic
642K4E641612B-TC604M x 16bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera, la fuente de alimentación de 3,3 V, 60nsSamsung Electronic
643K4E641612B-TL454M x 16bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera, la fuente de alimentación de 3,3 V, 45ns, de baja potenciaSamsung Electronic
644K4E641612B-TL504M x 16bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera, la fuente de alimentación de 3,3 V, 50 ns, de baja potenciaSamsung Electronic
645K4E641612B-TL604M x 16bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera, la fuente de alimentación de 3,3 V, 60ns, de baja potenciaSamsung Electronic
646K4E641612CESPOLÓN dinámico de los 4M x 16bit Cmos con datos extendidos hacia fueraSamsung Electronic
647K4E641612C-45ESPOLÓN dinámico de los 4M x 16bit Cmos con datos extendidos hacia fueraSamsung Electronic
648K4E641612C-50ESPOLÓN dinámico de los 4M x 16bit Cmos con datos extendidos hacia fueraSamsung Electronic
649K4E641612C-60ESPOLÓN dinámico de los 4M x 16bit Cmos con datos extendidos hacia fueraSamsung Electronic
650K4E641612C-LESPOLÓN dinámico de los 4M x 16bit Cmos con datos extendidos hacia fueraSamsung Electronic
651K4E641612C-TESPOLÓN dinámico de los 4M x 16bit Cmos con datos extendidos hacia fueraSamsung Electronic
652K4E641612C-T45ESPOLÓN dinámico de los 4M x 16bit Cmos con datos extendidos hacia fueraSamsung Electronic
653K4E641612C-T50ESPOLÓN dinámico de los 4M x 16bit Cmos con datos extendidos hacia fueraSamsung Electronic
654K4E641612C-T60ESPOLÓN dinámico de los 4M x 16bit Cmos con datos extendidos hacia fueraSamsung Electronic
655K4E641612C-TCESPOLÓN dinámico de los 4M x 16bit Cmos con datos extendidos hacia fueraSamsung Electronic
656K4E641612C-TC45ESPOLÓN dinámico de los 4M x 16bit Cmos con datos extendidos hacia fueraSamsung Electronic
657K4E641612C-TC50ESPOLÓN dinámico de los 4M x 16bit Cmos con datos extendidos hacia fueraSamsung Electronic



658K4E641612C-TC60ESPOLÓN dinámico de los 4M x 16bit Cmos con datos extendidos hacia fueraSamsung Electronic
659K4E641612C-TL45ESPOLÓN dinámico de los 4M x 16bit Cmos con datos extendidos hacia fueraSamsung Electronic
660K4E641612C-TL50ESPOLÓN dinámico de los 4M x 16bit Cmos con datos extendidos hacia fueraSamsung Electronic
661K4E641612C-TL60ESPOLÓN dinámico de los 4M x 16bit Cmos con datos extendidos hacia fueraSamsung Electronic
662K4E641612DCOPITA DEL CMOSSamsung Electronic
663K4E660411D, K4E640411DESPOLÓN dinámico de 16MB x de 4bit Cmos con datos extendidos fuera de la hoja de datosSamsung Electronic
664K4E660412DESPOLÓN dinámico del 16M x 4bit Cmos con datos extendidos hacia fueraSamsung Electronic
665K4E660412D, K4E640412DESPOLÓN dinámico de 16MB x de 4bit Cmos con datos extendidos fuera de la hoja de datosSamsung Electronic
666K4E660412D, K4E640412DESPOLÓN dinámico de 16MB x de 4bit Cmos con datos extendidos fuera de la hoja de datosSamsung Electronic
667K4E660412D-JC_L16M x 4 bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera. 3.3V, 8K refrescar ciclo.Samsung Electronic
668K4E660412D-TC_L16M x 4 bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera. 3.3V, 8K refrescar ciclo.Samsung Electronic
669K4E660412E, K4E640412EESPOLÓN dinámico del 16M x 4bit Cmos con datos extendidos fuera de la hoja de datosSamsung Electronic
670K4E660412E, K4E640412EESPOLÓN dinámico del 16M x 4bit Cmos con datos extendidos fuera de la hoja de datosSamsung Electronic
671K4E660811D, K4E640811DESPOLÓN dinámico de los 8M x 8bit Cmos con datos extendidos fuera de la hoja de datosSamsung Electronic
672K4E660812BESPOLÓN dinámico de los 8M x 8bit Cmos con datos extendidos hacia fueraSamsung Electronic
673K4E660812B-JC-458M x 8bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera, 45nsSamsung Electronic
674K4E660812B-JC-58M x 8bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera, 50nsSamsung Electronic
675K4E660812B-JC-68M x 8bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera, 60nsSamsung Electronic
676K4E660812B-JCL-458M x 8bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera, 45nsSamsung Electronic
677K4E660812B-JCL-58M x 8bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera, 50nsSamsung Electronic
678K4E660812B-JCL-68M x 8bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera, 60nsSamsung Electronic
679K4E660812B-TC-458M x 8bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera, 45nsSamsung Electronic
680K4E660812B-TC-58M x 8bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera, 50nsSamsung Electronic
681K4E660812B-TC-68M x 8bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera, 60nsSamsung Electronic
682K4E660812B-TCL-458M x 8bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera, 45nsSamsung Electronic
683K4E660812B-TCL-58M x 8bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera, 50nsSamsung Electronic
684K4E660812B-TCL-68M x 8bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera, 60nsSamsung Electronic
685K4E660812CESPOLÓN dinámico de los 8M x 8bit Cmos con datos extendidos hacia fueraSamsung Electronic
686K4E660812C-JC-458M x 8bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera, 45nsSamsung Electronic
687K4E660812C-JC-58M x 8bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera, 50nsSamsung Electronic
688K4E660812C-JC-68M x 8bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera, 60nsSamsung Electronic
689K4E660812C-JCL-458M x 8bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera, 45nsSamsung Electronic
690K4E660812C-JCL-58M x 8bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera, 50nsSamsung Electronic
691K4E660812C-JCL-68M x 8bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera, 60nsSamsung Electronic
692K4E660812C-TC-458M x 8bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera, 45nsSamsung Electronic
693K4E660812C-TC-58M x 8bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera, 50nsSamsung Electronic
694K4E660812C-TC-68M x 8bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera, 60nsSamsung Electronic
695K4E660812C-TCL-458M x 8bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera, 45nsSamsung Electronic
696K4E660812C-TCL-58M x 8bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera, 50nsSamsung Electronic
697K4E660812C-TCL-68M x 8bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera, 60nsSamsung Electronic
698K4E660812D, K4E640812DESPOLÓN dinámico de los 8M x 8bit Cmos con datos extendidos fuera de la hoja de datosSamsung Electronic
699K4E660812D, K4E640812DESPOLÓN dinámico de los 8M x 8bit Cmos con datos extendidos fuera de la hoja de datosSamsung Electronic
700K4E660812EESPOLÓN dinámico de los 8M x 8bit Cmos con datos extendidos hacia fueraSamsung Electronic

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