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Nr.Nombre de la parteDescripciónFabricante
19901STB19NB20N-canal 200V - 0,150 OHMIOS - Mosfet De 19A D2PAK POWERMESHSGS Thomson Microelectronics
19902STB200NF03N-canal 30V - 0,0032 ohmios - 120A D2PAK / I2PAK / A-220 POTENCIA MOSFET STripFET IISGS Thomson Microelectronics
19903STB200NF03-1N-canal 30V - 0,0032 ohmios - 120A D2PAK / I2PAK / A-220 POTENCIA MOSFET STripFET IISGS Thomson Microelectronics
19904STB200NF03T4N-canal 30V - 0,0032 ohmios - © ÷ 120A De PAK / I © ÷ PAK / A-220 POTENCIA MOSFET STripFET A IISGS Thomson Microelectronics
19905STB20NE06N-canal 60V -0,06 OHMIOS - Mosfet de la ENERGÍA De 20A D2PAK STRIPFETSGS Thomson Microelectronics
19906STB20NE06N - CANAL 60V - 0,06 Ohmios - Mosfet de la ENERGÍA De 20A D 2 PAK STripFETSGS Thomson Microelectronics
19907STB20NE06LN - CANAL 60V - 0,06 Ohmios - Mosfet de la ENERGÍA De 20A To-263 STripFETSGS Thomson Microelectronics
19908STB20NE06LN-canal 60V - 0,06 OHMIOS - Mosfet de la ENERGÍA De 20A D2PAK STRIPFETSGS Thomson Microelectronics
19909STB20NM50Mosfet de la ENERGÍA del OHMIO 20A To-220/to-220fp/d2pak/i2pak MDMESH Del N-canal 500V 0,20SGS Thomson Microelectronics
19910STB20NM50-1Mosfet de la ENERGÍA del OHMIO 20A To-220/to-220fp/d2pak/i2pak MDMESH Del N-canal 500V 0,20SGS Thomson Microelectronics
19911STB20NM50FDMosfet de la ENERGÍA del OHMIO 20A D2PAK FDMESH Del N-canal 500V 0,20SGS Thomson Microelectronics
19912STB20NM50FD-1Mosfet de la ENERGÍA del OHMIO 20A To-220/i2pak FDMESH Del N-canal 500V 0,22SGS Thomson Microelectronics
19913STB20NM60Mosfet de la ENERGÍA del OHMIO 20A To-220/to-220fp/d2pak/i2pak MDMESH Del N-canal 600V 0,25SGS Thomson Microelectronics
19914STB20NM60-1Mosfet de la ENERGÍA del OHMIO 20A To-220/to-220fp/d2pak/i2pak MDMESH Del N-canal 600V 0,25SGS Thomson Microelectronics
19915STB210NF02N-canal 20V - 0,0026 OHMIOS - Mosfet de la ENERGÍA De 120A D2pak/i2pak/to-220 STRIPFET IISGS Thomson Microelectronics
19916STB210NF02-1N-canal 20V - 0,0026 OHMIOS - Mosfet de la ENERGÍA De 120A D2pak/i2pak/to-220 STRIPFET IISGS Thomson Microelectronics
19917STB22NE03LN-canal 30V - 0,034 OHMIOS - Mosfet de la ENERGÍA De 2À D2PAK STRIPFETSGS Thomson Microelectronics
19918STB22NE03LN - CANAL 30V - 0,034 Ohmios - Mosfet de la ENERGÍA De 2À To-263 STripFETSGS Thomson Microelectronics
19919STB24NF10N - CANAL 100V - Los 0.07Ohm - Mosfet BAJO de la ENERGÍA De STripFET de la CARGA de la PUERTA De 2Â To-263SGS Thomson Microelectronics
19920STB24NF10N-canal 100V - 0,07 OHMIOS - Mosfet BAJO de la ENERGÍA de la CARGA STRIPFET de la PUERTA De 2Â D2PAKSGS Thomson Microelectronics
19921STB3015LN - CANAL 30V - 0,013 W - 40A - Mosfet de la ENERGÍA De D 2 Pak/to-220 STripFETSGS Thomson Microelectronics
19922STB3015LN-canal 30V - 0,013 OHMIOS - Mosfet de la ENERGÍA De 40A D2pak/to-220 STRIPFETSGS Thomson Microelectronics
19923STB3020LN - CANAL 30V - 0.019W - 40A - Mosfet de la ENERGÍA De D 2 PAK STripFETSGS Thomson Microelectronics
19924STB30N10VIEJO PRODUCTO: NO CONVENIENTE PARA NUEVO Diseñar-enSGS Thomson Microelectronics
19925STB30N10N - CANAL 100V - Los 0.0Õhm - 30A - TRANSISTOR Del MOS De la ENERGÍA De D 2 PAKSGS Thomson Microelectronics
19926STB30NE06LN-canal 60V - 0,35 OHMIOS - Mosfet de la ENERGÍA De 30A D2PAK STRIPFETSGS Thomson Microelectronics
19927STB30NE06LN - CANAL 60V - 0,35 Ohmios - 30A - Mosfet de la ENERGÍA De D 2 PAK STripFETSGS Thomson Microelectronics
19928STB30NF10Mosfet BAJO de la ENERGÍA II de la CARGA STRIPFET de la PUERTA del OHMIO 3Ä To-220/to-220fp/d2pak Del N-canal 100V 0,038SGS Thomson Microelectronics
19929STB35NF10Mosfet BAJO de la ENERGÍA de la CARGA STRIPFET de la PUERTA del OHMIO 40A To-220/d2pak Del N-canal 100V 0.030SGS Thomson Microelectronics
19930STB36NF02LN-canal 20V - 0,016 W - Mosfet BAJO de la ENERGÍA De STripFET de la CARGA de la PUERTA De 3Ã D 2 PAKSGS Thomson Microelectronics
19931STB36NF03LN - CANAL 30V - 0,015 Ohmios - Mosfet BAJO de la ENERGÍA De STripFET de la CARGA de la PUERTA De 3Ã D 2 PAKSGS Thomson Microelectronics
19932STB36NF03LN-canal 30V - 0,015 OHMIOS - Mosfet BAJO de la ENERGÍA de la CARGA STRIPFET de la PUERTA De 3Ã D2PAKSGS Thomson Microelectronics
19933STB3N60-1VIEJO PRODUCTO: NO CONVENIENTE PARA NUEVO Diseñar-enSGS Thomson Microelectronics
19934STB3NA60-1N - TRANSISTOR RÁPIDO Del MOS De la ENERGÍA Del MODO Del REALCE Del CANALSGS Thomson Microelectronics
19935STB3NA80N - TRANSISTOR RÁPIDO Del MOS De la ENERGÍA Del MODO Del REALCE Del CANALSGS Thomson Microelectronics
19936STB3NB60N - CANAL 600V - 3,3 Ohmios - 3.Á - Mosfet De D 2 PAK/I 2 PAK PowerMESHSGS Thomson Microelectronics
19937STB3NC60N - CANAL 600V - Mosfet De los 3.Óhm -á-d 2 PAK/I 2 PAK PowerMESH IISGS Thomson Microelectronics
19938STB3NC90Zel OHMIO 3.Ä D2PAK Del N-canal 900V 3,2 Zener-protegio' el Mosfet de POWERMESH IIISGS Thomson Microelectronics
19939STB3NC90Z-1el OHMIO 3.Ä To-220/to-220fp/i2pak Del N-canal 900V 3,2 Zener-protegio' el Mosfet de POWERMESH IIISGS Thomson Microelectronics
19940STB40NE03L-20N - Mosfet De la ENERGÍA Del ö Del TAMAÑO De la CARACTERÍSTICA Del ö Del MODO Del REALCE Del CANAL SOLO ]SGS Thomson Microelectronics
19941STB40NE03L-20VIEJO PRODUCTO: NO CONVENIENTE PARA NUEVO Diseñar-enSGS Thomson Microelectronics
19942STB40NF03LN-canal 30V - 0,020 OHMIOS - Mosfet de la ENERGÍA De 40A D2PAK STRIPFETSGS Thomson Microelectronics
19943STB40NF03LN - CANAL 30V - 0,020 Ohmios - Mosfet de la ENERGÍA De 40A D 2 PAK STripFETSGS Thomson Microelectronics
19944STB40NF10N-canal 100V - 0,025 OHMIOS - Mosfet BAJO de la ENERGÍA de la CARGA STRIPFET de la PUERTA De 40A D2PAKSGS Thomson Microelectronics
19945STB40NF10N - CANAL 100V - Los 0.030Ohm - Mosfet BAJO de la ENERGÍA De STripFET de la CARGA de la PUERTA De 40A To-263SGS Thomson Microelectronics
19946STB40NF10N-canal 100V - 0,024 OHMIOS - Mosfet BAJO de la ENERGÍA de la CARGA STRIPFET II de la PUERTA De 50A To-220/d2pakSGS Thomson Microelectronics
19947STB40NF10LMosfet BAJO de la ENERGÍA de la CARGA STRIPFET de la PUERTA del OHMIO 40A D2PAK Del N-canal 100V 0,028SGS Thomson Microelectronics
19948STB40NS15Mosfet del RECUBRIMIENTO del ACOPLAMIENTO del OHMIO 40A D2PAK Del N-canal 150V 0,042SGS Thomson Microelectronics
19949STB4395CT2 RECEIVER/TRANSMITTERSGS Thomson Microelectronics
19950STB45N10LVIEJO PRODUCTO: NO CONVENIENTE PARA NUEVO Diseñar-enSGS Thomson Microelectronics
19951STB45N10LN - TRANSISTOR Del MOS De la ENERGÍA Del MODO Del REALCE Del CANALSGS Thomson Microelectronics
19952STB45NF06Mosfet de la ENERGÍA Del N-canal 60V los 0.02ÒHM 3Å D2PAK STRIPFETSGS Thomson Microelectronics
19953STB45NF06LN-canal 60V - 0,022 OHMIOS - Mosfet de la ENERGÍA De 3Å D2PAK STRIPFET IISGS Thomson Microelectronics
19954STB45NF3LLMosfet de la ENERGÍA del OHMIO 4Ä D2PAK STRIPFET II Del N-canal 30V 0,014SGS Thomson Microelectronics
19955STB4NB50N - CANAL 500V - 2,5 Ohmios - 3.Å - Mosfet de D2PAK/I2PAK PowerMESHSGS Thomson Microelectronics
19956STB4NB80N - CANAL 800V - 3 Ohmios - Mosfet De  - De PowerMESHSGS Thomson Microelectronics
19957STB4NC50Mosfet Del N-canal 500V los 2.ÒHM Â D2PAK POWERMESH IISGS Thomson Microelectronics
19958STB4NC60Mosfet del OHMIO 4.À D2PAK POWERMESH II Del N-canal 600V 1,8SGS Thomson Microelectronics
19959STB4NC60-1N-canal 600V - 1,8 OHMIOS - Mosfet De 4.À To-220/to-220fp/i2pak POWERMESHSGS Thomson Microelectronics
19960STB4NC60A-1Mosfet del OHMIO 4.À To-220/to-220fp/i2pak POWERMESH II Del N-canal 600V 1,8SGS Thomson Microelectronics
19961STB4NC80Z-1el OHMIO Â To-220 To-220fp I2PAK ZENER Del N-canal 800V 2,4 PROTEGIÓ EL Mosfet de POWERMESH IIISGS Thomson Microelectronics
19962STB50NE08N - Mosfet De la ENERGÍA Del ö Del TAMAÑO De la CARACTERÍSTICA Del ö Del MODO Del REALCE Del CANAL SOLOSGS Thomson Microelectronics
19963STB50NE10N - CANAL 100V - Los 0.021Ohm - 50A - Mosfet de la ENERGÍA De D 2 PAK STripFETSGS Thomson Microelectronics
19964STB50NE10N-canal 100V - 0,021 OHMIOS - 50A - Mosfet de la ENERGÍA de D2PAK STRIPFETSGS Thomson Microelectronics
19965STB50NE10LN - CANAL 100V - Los 0.020Ohm - 50A - Mosfet de la ENERGÍA De D 2 PAK STripFETSGS Thomson Microelectronics
19966STB55NE06N - Mosfet De la ENERGÍA Del ö Del TAMAÑO De la CARACTERÍSTICA Del ö Del MODO Del REALCE Del CANAL SOLOSGS Thomson Microelectronics
19967STB55NE06LN - Mosfet De la ENERGÍA Del "SOLO TAMAÑO De la CARACTERÍSTICA" Del MODO Del REALCE Del CANALSGS Thomson Microelectronics
19968STB55NF03LN-canal 30V - 0,01 OHMIOS - Mosfet de la ENERGÍA De 5Ä D2PAK STRIPFETSGS Thomson Microelectronics
19969STB55NF03LN-canal 30V - 0,01 OHMIOS - Mosfet de la ENERGÍA De 5Ä TO220/D2PAK/I2PAK STRIPFET IISGS Thomson Microelectronics



19970STB55NF03LN - CANAL 30V - 0,01 Ohmios - Mosfet de la ENERGÍA De 5Ä D 2 PAK STripFETSGS Thomson Microelectronics
19971STB55NF03L-1N-canal 30V - 0,01 OHMIOS - Mosfet de la ENERGÍA De 5Ä TO220/D2PAK/I2PAK STRIPFET IISGS Thomson Microelectronics
19972STB55NF06Mosfet de la ENERGÍA del OHMIO 50A D2PAK STRIPFET Del N-canal 60V 0,018SGS Thomson Microelectronics
19973STB55NF06-1Mosfet de la ENERGÍA del OHMIO 50A To-220/to-220fp/i2pak STRIPFET II Del N-canal 60V 0,017SGS Thomson Microelectronics
19974STB55NF06LN-canal 60V - 0,014 OHMIOS - Mosfet de la ENERGÍA De 5Ä T0-220/d2pak/i2pak STRIPFET IISGS Thomson Microelectronics
19975STB55NF06L-1N-canal 60V - 0,014 OHMIOS - Mosfet de la ENERGÍA De 5Ä T0-220/d2pak/i2pak STRIPFET IISGS Thomson Microelectronics
19976STB5600IC Anticipado del Gps RfSGS Thomson Microelectronics
19977STB5610IC Anticipado del Gps RfSGS Thomson Microelectronics
19978STB5NA50VIEJO PRODUCTO: NO CONVENIENTE PARA NUEVO Diseñar-enSGS Thomson Microelectronics
19979STB5NA50N - TRANSISTOR RÁPIDO Del MOS De la ENERGÍA Del MODO Del REALCE Del CANALSGS Thomson Microelectronics
19980STB5NA80VIEJO PRODUCTO: NO CONVENIENTE PARA NUEVO Diseñar-enSGS Thomson Microelectronics
19981STB5NA80N - TRANSISTOR Del MOS De la ENERGÍA Del MODO Del REALCE Del CANALSGS Thomson Microelectronics
19982STB5NB60N - CANAL 600V - -Ä De 1,8 Ohmios - Mosfet De I 2 PAK/D 2 PAK PowerMESHSGS Thomson Microelectronics
19983STB5NB80N - CANAL 800V - -Ä De 1,8 Ohmios - Mosfet De D 2 PAK PowerMESHSGS Thomson Microelectronics
19984STB5NC70Z-1el OHMIO 4.Ã To-220/to-220fp/i2pak Del N-canal 700V 1,8 Zener-protegio' el Mosfet de POWERMESH IIISGS Thomson Microelectronics
19985STB5NC90Z-1el OHMIO 4.Ã To-220 To-220fp I2PAK Del N-canal 900V 2,1 Zener-protegio' el Mosfet de POWERMESH IIISGS Thomson Microelectronics
19986STB60N03L-10N - TRANSISTOR Del MOS De la ENERGÍA Del MODO Del REALCE Del CANALSGS Thomson Microelectronics
19987STB60N06-14N - TRANSISTOR Del MOS De la ENERGÍA Del MODO Del REALCE Del CANALSGS Thomson Microelectronics
19988STB60N06-14VIEJO PRODUCTO: NO CONVENIENTE PARA NUEVO Diseñar-enSGS Thomson Microelectronics
19989STB60NE03L-10N - Mosfet De la ENERGÍA Del ö Del TAMAÑO De la CARACTERÍSTICA Del ö Del MODO Del REALCE Del CANAL SOLO ]SGS Thomson Microelectronics
19990STB60NE03L-10VIEJO PRODUCTO: NO CONVENIENTE PARA NUEVO Diseñar-enSGS Thomson Microelectronics
19991STB60NE03L-12N - CANAL 30V - 0,009 Ohmios - 60A - Mosfet de la ENERGÍA Del "SOLO TAMAÑO de la CARACTERÍSTICA" De D 2 PAKSGS Thomson Microelectronics
19992STB60NE03L-12VIEJO PRODUCTO: NO CONVENIENTE PARA NUEVO Diseñar-enSGS Thomson Microelectronics
19993STB60NE06-16N - Mosfet De la ENERGÍA Del ö Del TAMAÑO De la CARACTERÍSTICA Del ö Del MODO Del REALCE Del CANAL SOLOSGS Thomson Microelectronics
19994STB60NE06-16N-canal 60V - 0,013 OHMIOS - Mosfet de la ENERGÍA De 60A D2PAK STRIPFET IISGS Thomson Microelectronics
19995STB60NE06L-16N - CANAL 60V - 0,014 Ohmios - Mosfet de la ENERGÍA De 60A D 2 PAK STripFETSGS Thomson Microelectronics
19996STB60NE06L-16N-canal 60V - 0,014 OMH - Mosfet de la ENERGÍA De 60A D2PAK STRIPFET IISGS Thomson Microelectronics
19997STB60NF03LN-canal 30V - 0,008 OHMIOS - Mosfet de la ENERGÍA De 60A D2PAK STRIPFETSGS Thomson Microelectronics
19998STB60NF03LN - CANAL 30V - 0,008 Ohmios - Mosfet de la ENERGÍA De 60A D 2 PAK STripFETSGS Thomson Microelectronics
19999STB60NF06Mosfet de la ENERGÍA del OHMIO 60A D2PAK STRIPFET Del N-canal 60V 0,014SGS Thomson Microelectronics
20000STB60NF06LN-canal 60V - 0,014 OHMIOS - Mosfet de la ENERGÍA De 60A D2pak/to-220 STRIPFET IISGS Thomson Microelectronics

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