Nr. | Nombre de la parte | Descripción | Fabricante |
20001 | STB6LNC60 | Mosfet del OHMIO 5.Å D2PAK POWERMESH II Del N-canal 600V 1 | SGS Thomson Microelectronics |
20002 | STB6NA60 | N - TRANSISTOR RÁPIDO Del MOS De la ENERGÍA Del MODO Del REALCE Del CANAL | SGS Thomson Microelectronics |
20003 | STB6NA60 | VIEJO PRODUCTO: NO CONVENIENTE PARA NUEVO Diseñar-en | SGS Thomson Microelectronics |
20004 | STB6NA80 | N - TRANSISTOR RÁPIDO Del MOS De la ENERGÍA Del MODO Del REALCE Del CANAL | SGS Thomson Microelectronics |
20005 | STB6NA80 | VIEJO PRODUCTO: NO CONVENIENTE PARA NUEVO Diseñar-en | SGS Thomson Microelectronics |
20006 | STB6NB50 | N - CANAL 500V - 1,35 Ohmios - 5.Å - Mosfet de D2PAK/I2PAK PowerMESH | SGS Thomson Microelectronics |
20007 | STB6NB90 | N - CANAL 900V - 1,7 Ohmios - 5.Å - Mosfet De D 2 PAK PowerMESH | SGS Thomson Microelectronics |
20008 | STB6NC60-1 | N-canal 600V 1,0 OHMIOS - Ã - Mosfet del ACOPLAMIENTO II de la ENERGÍA De To-220/to220fp/i2pak | SGS Thomson Microelectronics |
20009 | STB6NC80Z-1 | El N-canal 800V el 1.ÖHM 5. To-220/to-220fp/i2pak/Zener-protegio' el Mosfet de POWERMESH III | SGS Thomson Microelectronics |
20010 | STB6NC90Z-1 | el OHMIO 5. To-220/to-200fp/i2pak Del N-canal 900V 1,55 Zener-protegio' el Mosfet de POWERMESH III | SGS Thomson Microelectronics |
20011 | STB6NK60Z | el OHMIO Ã To-220/to-220fp/d2pak Del N-canal 600V 1 Zener-protegio' el Mosfet de la ENERGÍA de SUPERMESH | SGS Thomson Microelectronics |
20012 | STB7001 | 900 NIVEL LNA DEL AUMENTO DEL MEGACICLO TRES | SGS Thomson Microelectronics |
20013 | STB7002 | 1,8 NIVEL LNA DEL AUMENTO DEL GIGAHERTZ TRES | SGS Thomson Microelectronics |
20014 | STB7002TR | 1.8 GHZ TRES GANANCIA NIVEL LNA | SGS Thomson Microelectronics |
20015 | STB7003 | Tri-venda GSM/DCS/PCS LNA | SGS Thomson Microelectronics |
20016 | STB70NF02L | N-canal 20V - 0,006 W - Mosfet BAJO de la ENERGÍA De STripFET de la CARGA de la PUERTA De 70A D 2 PAK | SGS Thomson Microelectronics |
20017 | STB70NF02L | N-canal 20V - 0,006 OHMIOS - Mosfet BAJO de la ENERGÍA de la CARGA STRIPFET II de la PUERTA De 70A D2PAK | SGS Thomson Microelectronics |
20018 | STB70NF03L | N - CANAL 30V - 0,008 Ohmios - Mosfet BAJO de la ENERGÍA De STripFET de la CARGA de la PUERTA De 70A D 2 PAK | SGS Thomson Microelectronics |
20019 | STB70NF03L | N-canal 30V - 0,008 OHMIOS - Mosfet BAJO de la ENERGÍA de la CARGA STRIPFET de la PUERTA De 70A D2PAK | SGS Thomson Microelectronics |
20020 | STB70NF03L-1 | N-canal 30V - Mosfet BAJO de la ENERGÍA de la CARGA STRIPFET de la PUERTA De 0,008 OHMIOS -70A To-220/i2pak | SGS Thomson Microelectronics |
20021 | STB70NF3LL | N-canal 30V - 0,008 OHMIOS - Mosfet BAJO de la ENERGÍA de la CARGA STRIPFET de la PUERTA De 70A D2PAK | SGS Thomson Microelectronics |
20022 | STB70NF3LL | N-canal 30V - 0,008 Ohmios - Mosfet BAJO de la ENERGÍA De STripFET de la CARGA de la PUERTA De 70A D 2 PAK | SGS Thomson Microelectronics |
20023 | STB70NFS03L | N - CANAL 30V - 0,008 Ohmios - Mosfet De 70A D 2 PAK STripFET MÁS EL RECTIFICADOR de SCHOTTKY | SGS Thomson Microelectronics |
20024 | STB70NFS03L | N-canal 30V - 0,008 OHMIOS - Mosfet De 70A D2PAK STRIPFET MÁS EL RECTIFICADOR de SCHOTTKY | SGS Thomson Microelectronics |
20025 | STB7101 | AMPLIO AMPLIFICADOR Del Pre-power de la VENDA 0.9/1.9GHZ | SGS Thomson Microelectronics |
20026 | STB7101TR | 0.9 / 1.9GHZ BANDA ANCHA PRE-AMPLIFICADOR DE POTENCIA | SGS Thomson Microelectronics |
20027 | STB7102 | 0,5/2,5 AMPLIFICADOR BAJO DE FRECUENCIA ULTRAELEVADA DEL ALMACENADOR INTERMEDIARIO DEL GIGAHERTZ | SGS Thomson Microelectronics |
20028 | STB7102TR | 0.1 / 2.5 GHZ SI AMPLIFICADOR MMIC BUFFER | SGS Thomson Microelectronics |
20029 | STB7103 | 0.1 / 2.5 GHZ SI AMPLIFICADOR MMIC BUFFER | SGS Thomson Microelectronics |
20030 | STB7104 | 0.1 / 2.5 GHZ SI AMPLIFICADOR MMIC BUFFER | SGS Thomson Microelectronics |
20031 | STB75NE75 | N - CANAL 75V - 0,01 Ohmios - 7Ä - Mosfet de la ENERGÍA De D 2 PAK STripFET | SGS Thomson Microelectronics |
20032 | STB75NF75 | N-canal 75V - 0,01 OHMIOS - Mosfet de la ENERGÍA De 7Ä D2pak/i2pak/to-220 STRIPFET II | SGS Thomson Microelectronics |
20033 | STB75NF75-1 | N-canal 75V - 0,01 OHMIOS - Mosfet de la ENERGÍA De 7Ä D2pak/i2pak/to-220 STRIPFET II | SGS Thomson Microelectronics |
20034 | STB75NF75L | N-canal 75V - 0,009 OHMIOS - Mosfet de la ENERGÍA De 7Ä D2pak/i2pak/to-220 STRIPFET II | SGS Thomson Microelectronics |
20035 | STB75NF75L-1 | N-canal 75V - 0,009 OHMIOS - Mosfet de la ENERGÍA De 7Ä D2pak/i2pak/to-220 STRIPFET II | SGS Thomson Microelectronics |
20036 | STB7NA40 | VIEJO PRODUCTO: NO CONVENIENTE PARA NUEVO Diseñar-en | SGS Thomson Microelectronics |
20037 | STB7NA40 | N - TRANSISTOR RÁPIDO Del MOS De la ENERGÍA Del MODO Del REALCE Del CANAL | SGS Thomson Microelectronics |
20038 | STB7NB40 | N - Mosfet De PowerMESH del MODO del REALCE del CANAL | SGS Thomson Microelectronics |
20039 | STB7NB60 | N - CANAL 600V - 1,0 OMH - 7.À - Mosfet De I 2 PAK/D 2 PAK PowerMESH | SGS Thomson Microelectronics |
20040 | STB7NC70Z-1 | El N-canal 700V el 1.1OHM Ã To-220 To-220fp I2PAK ZENER PROTEGIÓ EL Mosfet de POWERMESH III | SGS Thomson Microelectronics |
20041 | STB80NE03L-06 | N - CANAL 30V - 0.005W - 80A - Mosfet de la ENERGÍA De D 2 PAK STripFET | SGS Thomson Microelectronics |
20042 | STB80NE06-10 | N - Mosfet De la ENERGÍA Del ö Del TAMAÑO De la CARACTERÍSTICA Del ö Del MODO Del REALCE Del CANAL SOLO | SGS Thomson Microelectronics |
20043 | STB80NF03L-04 | N-canal 30V - 0,0035 Ohmios - Mosfet de la ENERGÍA De 80A To-262/to-263 STripFET | SGS Thomson Microelectronics |
20044 | STB80NF03L-04 | N-canal 30V - 0,0035 OHMIOS - Mosfet de la ENERGÍA De 80A D2pak/i2pak/to-220 STRIPFET II | SGS Thomson Microelectronics |
20045 | STB80NF03L-04-1 | N-canal 30V - 0,0035 OHMIOS - Mosfet de la ENERGÍA De 80A D2pak/i2pak/to-220 STRIPFET II | SGS Thomson Microelectronics |
20046 | STB80NF10 | N-canal 100V - 0,012 OHMIOS - Mosfet BAJO de la ENERGÍA de la CARGA STRIPFET de la PUERTA De 80A I2PAK/D2PAK | SGS Thomson Microelectronics |
20047 | STB80NF10 | N - CANAL 100V - Los 0.01Ôhm - 80A I 2 Mosfet BAJO de la ENERGÍA de PAK/D 2 PAK Qg STripFET | SGS Thomson Microelectronics |
20048 | STB80NF55-06 | N - CANAL 55V - 0,005 Ohmios - Mosfet de la ENERGÍA De 80A To-262/to-263 STripFET | SGS Thomson Microelectronics |
20049 | STB80NF55-06 | Mosfet de la ENERGÍA del OHMIO 80A D2PAK STRIPFET II Del N-canal 55V 0,005 | SGS Thomson Microelectronics |
20050 | STB80NF55-06 | N-canal 55V - 0,005 OHMIOS - Mosfet de la ENERGÍA De 80A To-262 STRIPFET | SGS Thomson Microelectronics |
20051 | STB80NF55-06-1 | Mosfet de la ENERGÍA del OHMIO 80A To-220/to-220fp/i2pak STRIPFET II Del N-canal 55V 0,005 | SGS Thomson Microelectronics |
20052 | STB80NF55-06-1 | N-canal 55V - 0,005 OHMIOS - Mosfet de la ENERGÍA De 80A To-220/to-220fp/i2pak STRIPFET | SGS Thomson Microelectronics |
20053 | STB80NF55-08 | N-canal 55V - 0,0065 OHMIOS - Mosfet de la ENERGÍA De 80A D2pak/i2pak/to-220 STRIPFET II | SGS Thomson Microelectronics |
20054 | STB80NF55-08 | N-canal 55V - 0,0065 OHMIOS - Mosfet de la ENERGÍA de 8OA D2PAK/I2PAK STRIPFET | SGS Thomson Microelectronics |
20055 | STB80NF55-08-1 | N-canal 55V - 0,0065 OHMIOS - Mosfet de la ENERGÍA De 80A D2pak/i2pak/to-220 STRIPFET II | SGS Thomson Microelectronics |
20056 | STB80NF55L-06 | N - CANAL 55V - 0,005 Ohmios - Mosfet de la ENERGÍA De 80A D 2 PAK STripFET | SGS Thomson Microelectronics |
20057 | STB80NF75L | Mosfet de la ENERGÍA del OHMIO 80A D2PAK STRIPFET Del N-canal 75V 0,008 | SGS Thomson Microelectronics |
20058 | STB80NF75L | N-canal 75V - 0,008 OHMIOS - Mosfet de la ENERGÍA De 80A To-220/d2pak/i2pak STRIPFET II | SGS Thomson Microelectronics |
20059 | STB80NF75L-1 | N-canal 75V - 0,008 OHMIOS - Mosfet de la ENERGÍA De 80A To-220/d2pak/i2pak STRIPFET II | SGS Thomson Microelectronics |
20060 | STB80PF55 | P-canal 55V - 0,016 OHMIOS - Mosfet de la ENERGÍA De 80A D2PAK STRIPFET II | SGS Thomson Microelectronics |
20061 | STB85NF3LL | Mosfet BAJO de la ENERGÍA de la CARGA STRIPFET de la PUERTA del OHMIO 8Ä D2PAK Del N-canal 30V 0,006 | SGS Thomson Microelectronics |
20062 | STB85NF3LL-1 | Mosfet BAJO de la CARGA STRIPFET de la PUERTA del OHMIO 8Ä To-220/i2pak Del N-canal 30V 0,006 | SGS Thomson Microelectronics |
20063 | STB85NF55 | N-canal 55V - 0,0062 OHMIOS - Mosfet de la ENERGÍA De 80A D2pak/to-220 STRIPFET II | SGS Thomson Microelectronics |
20064 | STB85NF55L | N-canal 55V - 0,0060 OHMIOS - Mosfet de la ENERGÍA De 80A D2pak/to-220 STRIPFET II | SGS Thomson Microelectronics |
20065 | STB8NA50 | VIEJO PRODUCTO: NO CONVENIENTE PARA NUEVO Diseñar-en | SGS Thomson Microelectronics |
20066 | STB8NA50 | N - TRANSISTOR RÁPIDO Del MOS De la ENERGÍA Del MODO Del REALCE Del CANAL | SGS Thomson Microelectronics |
20067 | STB8NC50 | Mosfet del OHMIO Å D2PAK POWERMESH II Del N-canal 500V 0,7 | SGS Thomson Microelectronics |
20068 | STB8NC50-1 | N-canal 500V - 0,7 OHMIOS - Mosfet De Å To-220/to-220fp/i2pak POWERMESH II | SGS Thomson Microelectronics |
20069 | STB8NC70Z-1 | el OHMIO 6.Å To-220/to-220fp/i2pak Del N-canal 700V 0,90 Zener-protegio' el Mosfet de POWERMESH III | SGS Thomson Microelectronics |
20070 | STB8NS25 | Mosfet del RECUBRIMIENTO del ACOPLAMIENTO del OHMIO Å D2PAK Del N-canal 250V 0,38 | SGS Thomson Microelectronics |
20071 | STB90NF03L | Mosfet BAJO de la ENERGÍA de la CARGA STRIPFET de la PUERTA del OHMIO 90A D2PAK Del N-canal 30V 0,0056 | SGS Thomson Microelectronics |
20072 | STB90NF03L-1 | Mosfet BAJO de la ENERGÍA de la CARGA STRIPFET de la PUERTA del OHMIO 90A To-220/i2pak Del N-canal 30V 0,0056 | SGS Thomson Microelectronics |
20073 | STB9NB50 | N-canal 500V - 0,75 OHMIOS - Mosfet de la ENERGÍA De 8.Ã D2PAK STRIPFET | SGS Thomson Microelectronics |
20074 | STB9NB50 | N - Mosfet del ACOPLAMIENTO De la Energía del MODO del REALCE del CANAL | SGS Thomson Microelectronics |
20075 | STB9NB60 | N - CANAL 600V - Mosfet De los 0.7Ohm -9a-i 2 PAK/D 2 PAK PowerMESH | SGS Thomson Microelectronics |
20076 | STB9NC60 | N - CANAL 600V - Mosfet De los 0.Öhm -9A D 2 PAK/I 2 PAK PowerMESH II | SGS Thomson Microelectronics |
20077 | STB9NK50Z | el OHMIO To-220/to-220fp/d2pak Del N-canal 500V 0,72 Zener-protegio' el Mosfet de la ENERGÍA de SUPERMESH | SGS Thomson Microelectronics |
20078 | STBR406 | PUENTE DE LA RECTIFICACIÓN 50-60hz | SGS Thomson Microelectronics |
20079 | STBR408 | PUENTE DE LA RECTIFICACIÓN 50-60hz | SGS Thomson Microelectronics |
20080 | STBR606 | PUENTE DE LA RECTIFICACIÓN 50-60hz | SGS Thomson Microelectronics |
20081 | STBR608 | PUENTE DE LA RECTIFICACIÓN 50-60hz | SGS Thomson Microelectronics |
20082 | STBV32 | TRANSISTOR de ENERGÍA DE ALTO VOLTAJE De la Ra'pido-conmutacio'n NPN | SGS Thomson Microelectronics |
20083 | STBV32 | TRANSISTOR de ENERGÍA DE ALTO VOLTAJE De la Ra'pido-conmutacio'n NPN | SGS Thomson Microelectronics |
20084 | STBV42 | TRANSISTOR de ENERGÍA DE ALTO VOLTAJE De la Ra'pido-conmutacio'n NPN | SGS Thomson Microelectronics |
20085 | STBV45 | TRANSISTOR de ENERGÍA DE ALTO VOLTAJE De la Ra'pido-conmutacio'n NPN | SGS Thomson Microelectronics |
20086 | STBV68 | TRANSISTOR de ENERGÍA DE ALTO VOLTAJE De la Ra'pido-conmutacio'n NPN | SGS Thomson Microelectronics |
20087 | STC5NF20V | N-canal 20V - 0.030 OHMIO - Mosfet de la ENERGÍA De Ä TSSOP8 2.7v-drive STRIPFET II | SGS Thomson Microelectronics |
20088 | STC6NF30V | N-canal 30V - 0,020 OHMIOS - Mosfet de la ENERGÍA De à TSSOP8 2.5v-drive STRIPFET II | SGS Thomson Microelectronics |
20089 | STD100NH02L | N-canal 24V - MOSFET de potencia 60A DPAK / IPAK STripFET III - 0,0042 Ohm | SGS Thomson Microelectronics |
20090 | STD10NF06L | Mosfet de la ENERGÍA del OHMIO 10A DPAK STRIPFET II Del N-canal 60V 0,1 | SGS Thomson Microelectronics |
20091 | STD10NF10 | N-canal 100V - 0,115 OHMIOS - Mosfet BAJO de la ENERGÍA de la CARGA STRIPFET II de la PUERTA Del 1Á IPAK/DPAK | SGS Thomson Microelectronics |
20092 | STD10PF06 | P - CANAL 60V - 0,18 Ohmios - Mosfet de la ENERGÍA De 10A To-252 STripFET | SGS Thomson Microelectronics |
20093 | STD10PF06 | P-canal 60V - 0,18 OHMIOS - Mosfet de la ENERGÍA De 10A IPAK/DPAK STRIPFET II | SGS Thomson Microelectronics |
20094 | STD110NH02L | N-canal 24V - MOSFET de potencia 80A DPAK STripFET III - 0,0044 Ohm | SGS Thomson Microelectronics |
20095 | STD12N05 | VIEJO PRODUCTO: NO CONVENIENTE PARA NUEVO Diseñar-en | SGS Thomson Microelectronics |
20096 | STD12N05 | N - TRANSISTOR Del MOS De la ENERGÍA Del MODO Del REALCE Del CANAL | SGS Thomson Microelectronics |
20097 | STD12N05L | VIEJO PRODUCTO: NO CONVENIENTE PARA NUEVO Diseñar-en | SGS Thomson Microelectronics |
20098 | STD12N05L | N - TRANSISTOR BAJO Del MOS De la ENERGÍA Del UMBRAL Del MODO Del REALCE Del CANAL | SGS Thomson Microelectronics |
20099 | STD12N06 | VIEJO PRODUCTO: NO CONVENIENTE PARA NUEVO Diseñar-en | SGS Thomson Microelectronics |
20100 | STD12N06 | N - TRANSISTOR Del MOS De la ENERGÍA Del MODO Del REALCE Del CANAL | SGS Thomson Microelectronics |
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