| Nr. | Nombre de la parte | Descripción | Fabricante |
| 1101 | BD980 | TRANSISTORES DEL SILICIO DARLINGTON DE PNP | Siemens |
| 1102 | BDP947 | De NPN del silicio del AF los transistores de energía para (de los conductores del AF y aumento actual de la corriente de colector de las etapas de la salida alto alto) | Siemens |
| 1103 | BDP948 | Transistor de energía del AF del silicio de PNP (para los conductores del AF y aumento actual de la corriente de colector de las etapas de la salida el alto alto) | Siemens |
| 1104 | BDP949 | De NPN del silicio del AF los transistores de energía para (de los conductores del AF y aumento actual de la corriente de colector de las etapas de la salida alto alto) | Siemens |
| 1105 | BDP950 | Transistor de energía del AF del silicio de PNP (para los conductores del AF y aumento actual de la corriente de colector de las etapas de la salida el alto alto) | Siemens |
| 1106 | BDP951 | De NPN del silicio del AF los transistores de energía para (de los conductores del AF y aumento actual de la corriente de colector de las etapas de la salida alto alto) | Siemens |
| 1107 | BDP952 | Transistor de energía del AF del silicio de PNP (para los conductores del AF y aumento actual de la corriente de colector de las etapas de la salida el alto alto) | Siemens |
| 1108 | BDP953 | De NPN del silicio del AF los transistores de energía para (de los conductores del AF y aumento actual de la corriente de colector de las etapas de la salida alto alto) | Siemens |
| 1109 | BDP954 | Transistor de energía del AF del silicio de PNP (para los conductores del AF y aumento actual de la corriente de colector de las etapas de la salida el alto alto) | Siemens |
| 1110 | BDP955 | De NPN del silicio del AF los transistores de energía para (de los conductores del AF y aumento actual de la corriente de colector de las etapas de la salida alto alto) | Siemens |
| 1111 | BDP956 | Transistor de energía del AF del silicio de PNP (para los conductores del AF y aumento actual de la corriente de colector de las etapas de la salida el alto alto) | Siemens |
| 1112 | BDW25 | Silicio Trnasistors Planar de NPN | Siemens |
| 1113 | BDW25-10 | Silicio Trnasistors Planar de NPN | Siemens |
| 1114 | BDW25-4 | Silicio Trnasistors Planar de NPN | Siemens |
| 1115 | BDW25-6 | Silicio Trnasistors Planar de NPN | Siemens |
| 1116 | BDX27 | TRANSISTORES PLANAR DEL SILICIO DE PNP | Siemens |
| 1117 | BDX27-10 | TRANSISTORES PLANAR DEL SILICIO DE PNP | Siemens |
| 1118 | BDX27-16 | TRANSISTORES PLANAR DEL SILICIO DE PNP | Siemens |
| 1119 | BDX27-6 | TRANSISTORES PLANAR DEL SILICIO DE PNP | Siemens |
| 1120 | BDX28 | TRANSISTORES PLANAR DEL SILICIO DE PNP | Siemens |
| 1121 | BDX28-10 | TRANSISTORES PLANAR DEL SILICIO DE PNP | Siemens |
| 1122 | BDX28-16 | TRANSISTORES PLANAR DEL SILICIO DE PNP | Siemens |
| 1123 | BDX28-6 | TRANSISTORES PLANAR DEL SILICIO DE PNP | Siemens |
| 1124 | BDX29 | TRANSISTORES PLANAR DEL SILICIO DE PNP | Siemens |
| 1125 | BDX29-10 | TRANSISTORES PLANAR DEL SILICIO DE PNP | Siemens |
| 1126 | BDX29-6 | TRANSISTORES PLANAR DEL SILICIO DE PNP | Siemens |
| 1127 | BDX30 | TRANSISTORES PLANAR DEL SILICIO DE PNP | Siemens |
| 1128 | BDX30-10 | TRANSISTORES PLANAR DEL SILICIO DE PNP | Siemens |
| 1129 | BDX30-6 | TRANSISTORES PLANAR DEL SILICIO DE PNP | Siemens |
| 1130 | BDY12 | Silicio Trnasistors Planar de NPN | Siemens |
| 1131 | BDY12-10 | Silicio Trnasistors Planar de NPN | Siemens |
| 1132 | BDY12-16 | Silicio Trnasistors Planar de NPN | Siemens |
| 1133 | BDY12-6 | Silicio Trnasistors Planar de NPN | Siemens |
| 1134 | BDY13 | Silicio Trnasistors Planar de NPN | Siemens |
| 1135 | BDY13-10 | Silicio Trnasistors Planar de NPN | Siemens |
| 1136 | BDY13-16 | Silicio Trnasistors Planar de NPN | Siemens |
| 1137 | BDY13-6 | Silicio Trnasistors Planar de NPN | Siemens |
| 1138 | BF1005 | Tetrodo del MOSFET del N-Canal del silicio (para el ruido bajo, la entrada controlada del alto aumento efectúa hasta red diagonal estabilizada integrada 5V del voltaje de funcionamiento del 1GHz) | Siemens |
| 1139 | BF1005S | Tetrodo del MOSFET del N-Canal del silicio (para el ruido bajo, la entrada controlada del alto aumento efectúa hasta red diagonal estabilizada integrada 5V del voltaje de funcionamiento del 1GHz) | Siemens |
| 1140 | BF1009 | Tetrodo del MOSFET del N-Canal del silicio (para el ruido bajo, el alto aumento controló etapas de la entrada hasta red diagonal estabilizada integrada V del voltaje de funcionamiento del 1GHz 9 | Siemens |
| 1141 | BF1009S | Tetrodo del MOSFET del N-Canal del silicio (para el ruido bajo, la entrada controlada del alto aumento efectúa hasta red diagonal integrada 9V del voltaje de funcionamiento del 1GHz) | Siemens |
| 1142 | BF1012 | Tetrodo del MOSFET del N-Canal del silicio (para el ruido bajo, el alto aumento controló etapas de la entrada hasta red diagonal estabilizada integrada 12V del voltaje de funcionamiento del 1GHz | Siemens |
| 1143 | BF1012S | Tetrodo del MOSFET del N-Canal del silicio (para el ruido bajo, la entrada controlada del alto aumento efectúa hasta red diagonal estabilizada integrada 5V del voltaje de funcionamiento del 1GHz) | Siemens |
| 1144 | BF1012W | TETRODO del MOSFET del N-canal del SILICIO (para la entrada de poco ruido, ganar-controlada efectúa hasta 1 gigahertz) | Siemens |
| 1145 | BF198 | Transistor del Rf Del Silicio de NPN | Siemens |
| 1146 | BF2000 | Tetrodo del Mosfet Del Canal Del Silicio N | Siemens |
| 1147 | BF2000W | Tetrodo del MOSFET del canal del silicio N (el transistor del Corto-canal con el alto factor de calidad de S/C para la entrada de poco ruido, ganar-controlada efectúa hasta 1 gigahertz) | Siemens |
| 1148 | BF2030 | Tetrodo del MOSFET del N-Canal del silicio (para el ruido bajo, la entrada controlada del alto aumento efectúa hasta el voltaje de funcionamiento del 1GHz 5V) | Siemens |
| 1149 | BF2030W | Tetrodo del MOSFET del N-Canal del silicio (para el ruido bajo, la entrada controlada del alto aumento efectúa hasta el voltaje de funcionamiento del 1GHz 5V) | Siemens |
| 1150 | BF2040 | Tetrodo del MOSFET del N-Canal del silicio (para el ruido bajo, la entrada controlada del alto aumento efectúa hasta el voltaje de funcionamiento del 1GHz 5V) | Siemens |
| 1151 | BF2040W | Tetrodo del MOSFET del N-Canal del silicio (para el ruido bajo, la entrada controlada del alto aumento efectúa hasta el voltaje de funcionamiento del 1GHz 5V) | Siemens |
| 1152 | BF245 | Transistores del efecto de campo de la ensambladura del N-Canal | Siemens |
| 1153 | BF245A | Transistores del efecto de campo de la ensambladura del N-Canal | Siemens |
| 1154 | BF245B | Transistores del efecto de campo de la ensambladura del N-Canal | Siemens |
| 1155 | BF245C | Transistores del efecto de campo de la ensambladura del N-Canal | Siemens |
| 1156 | BF246 | TRANSISTORES Del Efecto de campo de la ENSAMBLADURA Del N-canal | Siemens |
| 1157 | BF246A | TRANSISTORES Del Efecto de campo de la ENSAMBLADURA Del N-canal | Siemens |
| 1158 | BF246B | TRANSISTORES Del Efecto de campo de la ENSAMBLADURA Del N-canal | Siemens |
| 1159 | BF246C | TRANSISTORES Del Efecto de campo de la ENSAMBLADURA Del N-canal | Siemens |
| 1160 | BF254 | Transistores del Rf Del Silicio de NPN | Siemens |
| 1161 | BF324 | TRANSISTOR DEL RF DEL SILICIO DE PNP | Siemens |
| 1162 | BF362 | TRANSISTORES DEL RF DEL SILICIO DE NPN | Siemens |
| 1163 | BF363 | TRANSISTORES DEL RF DEL SILICIO DE NPN | Siemens |
| 1164 | BF410 | TRANSISTOR De poco ruido Del Efecto de campo de la ENSAMBLADURA Del N-canal PARA LOS USOS del Rf | Siemens |
| 1165 | BF410A | TRANSISTOR De poco ruido Del Efecto de campo de la ENSAMBLADURA Del N-canal PARA LOS USOS del Rf | Siemens |
| 1166 | BF410B | TRANSISTOR De poco ruido Del Efecto de campo de la ENSAMBLADURA Del N-canal PARA LOS USOS del Rf | Siemens |
| 1167 | BF410C | TRANSISTOR De poco ruido Del Efecto de campo de la ENSAMBLADURA Del N-canal PARA LOS USOS del Rf | Siemens |
| 1168 | BF410D | TRANSISTOR De poco ruido Del Efecto de campo de la ENSAMBLADURA Del N-canal PARA LOS USOS del Rf | Siemens |
| 1169 | BF414 | Transistor del RF del silicio de NPN (para las etapas del VHF de la base de poco ruido, común y de FM) | Siemens |
| 1170 | BF420 | Transistores Del Silicio de NPN Con El Alto Voltaje Reverso (Transistores Del Silicio de NPN Con Alto Voltaje Reverso) | Siemens |
| 1171 | BF421 | Transistores del silicio de PNP (alto voltaje bajo de la saturación del collector-emitter del voltaje de interrupción) | Siemens |
| 1172 | BF422 | Transistores Del Silicio de NPN Con El Alto Voltaje Reverso (Transistores Del Silicio de NPN Con Alto Voltaje Reverso) | Siemens |
| 1173 | BF423 | Transistores del silicio de PNP (alto voltaje bajo de la saturación del collector-emitter del voltaje de interrupción) | Siemens |
| 1174 | BF457 | TRANSISTORES DEL RF DEL SILICIO DE NPN | Siemens |
| 1175 | BF458 | TRANSISTORES DEL RF DEL SILICIO DE NPN | Siemens |
| 1176 | BF459 | TRANSISTORES DEL RF DEL SILICIO DE NPN | Siemens |
| 1177 | BF469 | TRANSISTORES PLANAR DEL SILICIO DE NPN | Siemens |
| 1178 | BF470 | TRANSISTORES PLANAR DEL SILICIO DE PNP | Siemens |
| 1179 | BF471 | TRANSISTORES PLANAR DEL SILICIO DE NPN | Siemens |
| 1180 | BF472 | TRANSISTORES PLANAR DEL SILICIO DE PNP | Siemens |
| 1181 | BF502 | TRANSISTOR DEL RF DEL SILICIO DE NPN | Siemens |
| 1182 | BF503 | TRANSISTOR DEL RF DEL SILICIO DE NPN | Siemens |
| 1183 | BF505 | TRANSISTOR DEL RF DEL SILICIO DE NPN | Siemens |
| 1184 | BF506 | Transistor del RF del silicio de PNP (para las etapas del mezclador y del oscilador del VHF) | Siemens |
| 1185 | BF507 | TRANSISTOR DEL RF DEL SILICIO DE NPN | Siemens |
| 1186 | BF517 | Transistor del RF del silicio de NPN (para los usos del amplificador y del oscilador en TV-sintonizadores) | Siemens |
| 1187 | BF543 | Triodo del FET del MOS del canal del silicio N (para el RF efectúa hasta 300 megaciclos preferiblemente en usos de FM) | Siemens |
| 1188 | BF550 | Transistor del RF del silicio de PNP (para las etapas comunes del amplificador del emisor hasta 300 megaciclos para los usos del mezclador en radios de AM/FM y sintonizadores del VHF TV) | Siemens |
| 1189 | BF554 | Transistor del RF del silicio de NPN (para los usos small-signal generales del RF hasta 300 megaciclos en circuitos del amplificador, del mezclador y del oscilador) | Siemens |
| 1190 | BF562 | transistor del rf del silicio del npn | Siemens |
| 1191 | BF568 | TRANSISTOR PLANAR DEL SILICIO DE PNP | Siemens |
| 1192 | BF569 | Transistor del RF del silicio de PNP (para los OSCILADORES, los MEZCLADORES Y LAS ETAPAS Uno mismo-oscilantes del MEZCLADOR EN LOS SINTONIZADORES de frecuencia ultraelevada de la TV) | Siemens |
| 1193 | BF569W | Transistor del RF del silicio de PNP (para los osciladores, el mezclador y las etapas uno mismo-oscilantes del mezclador en el TV-sintonizador DE FRECUENCIA ULTRAELEVADA) | Siemens |
| 1194 | BF599 | Transistor del RF del silicio de NPN (capacitancia de regeneración baja del amplificador común del emisor IF/RF debido a la difusión del protector) | Siemens |
| 1195 | BF622 | Transistor de alto voltaje del silicio de NPN (conveniente para las etapas video de la salida en voltaje bajo de la saturación del collector-emitter del voltaje de interrupción de los aparatos de TV Alto) | Siemens |
| 1196 | BF623 | Transistor de alto voltaje del silicio de PNP (conveniente para las etapas video de la salida en voltaje bajo de la saturación del collector-emitter del voltaje de interrupción de los aparatos de TV Alto) | Siemens |
| 1197 | BF660 | Transistor del RF del silicio de PNP (para los usos del oscilador del VHF) | Siemens |
| 1198 | BF660W | Transistor del RF del silicio de PNP (para los usos del oscilador del VHF) | Siemens |
| 1199 | BF720 | Transistores de alto voltaje del silicio de NPN (convenientes para las etapas video de la salida en voltaje de interrupción de los aparatos de TV Alto y de las fuentes de alimentación de la conmutación) | Siemens |
| 1200 | BF721 | Transistores de alto voltaje del silicio de PNP (convenientes para las etapas video de la salida en voltaje de interrupción de los aparatos de TV Alto y de las fuentes de alimentación de la conmutación) | Siemens |
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