| Nr. | Nombre de la parte | Descripción | Fabricante |
| 2901 | GT8J101 | USOS BIPOLARES AISLADOS Del CONTROL Del MOTOR De los USOS De la CONMUTACIÓN De la ALTA ENERGÍA Del CANAL IGBT Del SILICIO N Del TRANSISTOR De la PUERTA | TOSHIBA |
| 2902 | GT8J102(SM) | USOS BIPOLARES AISLADOS Del CONTROL Del MOTOR De los USOS De la CONMUTACIÓN De la ALTA ENERGÍA Del CANAL IGBT Del SILICIO N Del TRANSISTOR De la PUERTA | TOSHIBA |
| 2903 | GT8J102SM | N ACANALA USOS Del CONTROL De la CONMUTACIÓN/Del MOTOR De la ENERGÍA De IGBT(HIGH) | TOSHIBA |
| 2904 | GT8Q101 | USOS BIPOLARES AISLADOS Del CONTROL Del MOTOR De los USOS De la CONMUTACIÓN De la ALTA ENERGÍA Del CANAL IGBT Del SILICIO N Del TRANSISTOR De la PUERTA | TOSHIBA |
| 2905 | GT8Q102 | N ACANALA USOS Del CONTROL De la CONMUTACIÓN/Del MOTOR De la ENERGÍA De IGBT(HIGH) | TOSHIBA |
| 2906 | GT8Q102(SM) | USOS BIPOLARES AISLADOS Del CONTROL Del MOTOR De los USOS De la CONMUTACIÓN De la ALTA ENERGÍA Del CANAL IGBT Del SILICIO N Del TRANSISTOR De la PUERTA | TOSHIBA |
| 2907 | GT8Q102SM | N ACANALA USOS Del CONTROL De la CONMUTACIÓN/Del MOTOR De la ENERGÍA De IGBT(HIGH) | TOSHIBA |
| 2908 | HANDLING | Photocoupler - Información Suplementaria | TOSHIBA |
| 2909 | HC123 | MULTIVIBRADOR MONOSTABLE DUAL DE RETRIGGERABLE | TOSHIBA |
| 2910 | HC125 | ALMACENADOR INTERMEDIARIO DEL AUTOBÚS DEL CUADRÁNGULO | TOSHIBA |
| 2911 | HC257 | MULTIPLEXOR DEL CUADRÁNGULO 2-chanel (3-state) | TOSHIBA |
| 2912 | HC4052 | 8-channel MULTIPLEXER/DEMULITIPLEXER ANÁLOGO | TOSHIBA |
| 2913 | HN1A01F | Usos De fines generales Epitaxial Del Amplificador De la Frecuencia Audio Del Tipo Del Silicio PNP Del Transistor (Proceso del PCT) | TOSHIBA |
| 2914 | HN1A01FE | Transistor de amplificación de baja frecuencia de pequeña señal 2 en 1 | TOSHIBA |
| 2915 | HN1A01FU | Usos De fines generales Epitaxial Del Amplificador De la Frecuencia Audio Del Tipo Del Silicio PNP Del Transistor (Proceso del PCT) | TOSHIBA |
| 2916 | HN1A02F | Transistor de amplificación de baja frecuencia de pequeña señal 2 en 1 | TOSHIBA |
| 2917 | HN1A07F | Transistor de amplificación de baja frecuencia de pequeña señal 2 en 1 | TOSHIBA |
| 2918 | HN1A26FS | Transistor de amplificación de baja frecuencia de pequeña señal 2 en 1 | TOSHIBA |
| 2919 | HN1B01F | Usos De fines generales Epitaxial Epitaxial Del Amplificador De la Frecuencia Audio Del Tipo Del Silicio NPN Del Tipo Del Silicio PNP Del Transistor (Proceso del PCT) (Proceso del PCT) | TOSHIBA |
| 2920 | HN1B01FU | Usos De fines generales Epitaxial Epitaxial Del Amplificador De la Frecuencia Audio Del Tipo Del Silicio NPN Del Tipo Del Silicio PNP Del Transistor (Proceso del PCT) (Proceso del PCT) | TOSHIBA |
| 2921 | HN1B04F | Transistor de amplificación de baja frecuencia de pequeña señal 2 en 1 | TOSHIBA |
| 2922 | HN1B04FE | Transistor de amplificación de baja frecuencia de pequeña señal 2 en 1 | TOSHIBA |
| 2923 | HN1B04FU | Usos De fines generales Epitaxial Epitaxial Del Amplificador De la Frecuencia Audio Del Tipo Del Silicio PNP Del Tipo Del Silicio NPN Del Transistor (Proceso del PCT) (Proceso del PCT) | TOSHIBA |
| 2924 | HN1B26FS | Transistor de amplificación de baja frecuencia de pequeña señal 2 en 1 | TOSHIBA |
| 2925 | HN1C01F | Usos De fines generales Epitaxial Del Amplificador De la Frecuencia Audio Del Tipo Del Silicio NPN Del Transistor (Proceso del PCT) | TOSHIBA |
| 2926 | HN1C01FE | Transistor de amplificación de baja frecuencia de pequeña señal 2 en 1 | TOSHIBA |
| 2927 | HN1C01FU | Usos De fines generales Epitaxial Del Amplificador De la Frecuencia Audio Del Tipo Del Silicio NPN Del Transistor (Proceso del PCT) | TOSHIBA |
| 2928 | HN1C03F | Tipo Epitaxial Del Silicio NPN Del Transistor (Proceso del PCT) Para Los Usos Que apagan Y Que cambian | TOSHIBA |
| 2929 | HN1C03FU | Tipo epitaxial de Npn del silicio del transistor (proceso del PCT) para los usos que apagan y que cambian | TOSHIBA |
| 2930 | HN1C05FE | Transistor de amplificación de baja frecuencia de pequeña señal 2 en 1 | TOSHIBA |
| 2931 | HN1C07F | Transistor de amplificación de baja frecuencia de pequeña señal 2 en 1 | TOSHIBA |
| 2932 | HN1C26FS | Transistor de amplificación de baja frecuencia de pequeña señal 2 en 1 | TOSHIBA |
| 2933 | HN1D01F | Uso Ultra De alta velocidad Planar Epitaxial De la Conmutación Del Tipo Del Silicio Del Diodo | TOSHIBA |
| 2934 | HN1D01FE | Diodo de conmutación | TOSHIBA |
| 2935 | HN1D01FU | Uso Ultra De alta velocidad Planar Epitaxial De la Conmutación Del Tipo Del Silicio Del Diodo | TOSHIBA |
| 2936 | HN1D02F | Uso Ultra De alta velocidad Planar Epitaxial De la Conmutación Del Tipo Del Silicio Del Diodo | TOSHIBA |
| 2937 | HN1D02FE | Diodo de conmutación | TOSHIBA |
| 2938 | HN1D02FU | Uso Ultra De alta velocidad Planar Epitaxial De la Conmutación Del Tipo Del Silicio Del Diodo | TOSHIBA |
| 2939 | HN1D03F | Uso Ultra De alta velocidad Planar Epitaxial De la Conmutación Del Tipo Del Silicio Del Diodo | TOSHIBA |
| 2940 | HN1D03FU | Uso Ultra De alta velocidad Planar Epitaxial De la Conmutación Del Tipo Del Silicio Del Diodo | TOSHIBA |
| 2941 | HN1D04FU | Diodo de conmutación | TOSHIBA |
| 2942 | HN1J02FU | Usos Análogos Del Interruptor De los Usos De alta velocidad De la Conmutación Del Tipo Del MOS Del Canal Del Silicio P Del Transistor De Efecto De Campo | TOSHIBA |
| 2943 | HN1K02FU | Usos Análogos Del Interruptor De los Usos De alta velocidad De la Conmutación Del Tipo del MOS Del Canal Del Silicio N Del Transistor De Efecto De Campo | TOSHIBA |
| 2944 | HN1K03FU | Usos Análogos Del Interruptor De los Usos De alta velocidad De la Conmutación Del Tipo del MOS Del Canal Del Silicio N Del Transistor De Efecto De Campo | TOSHIBA |
| 2945 | HN1K04FU | Usos Análogos Del Interruptor De los Usos De alta velocidad De la Conmutación Del Tipo del MOS Del Canal Del Silicio N Del Transistor De Efecto De Campo | TOSHIBA |
| 2946 | HN1K05FU | Tipo del MOS Del Canal Del Silicio N Del Transistor De Efecto De Campo Para Los Usos De alta velocidad Del Interfaz De los Usos De la Conmutación De los Dispositivos Portables | TOSHIBA |
| 2947 | HN1K06FU | Usos Análogos Del Interruptor De los Usos De alta velocidad De la Conmutación Del Tipo del MOS Del Canal Del Silicio N Del Transistor De Efecto De Campo | TOSHIBA |
| 2948 | HN1L02FU | Usos Análogos Del Interruptor De los Usos De alta velocidad De la Conmutación Del Tipo del MOS Del Canal De N-p Del Silicio Del Transistor De Efecto De Campo | TOSHIBA |
| 2949 | HN1L03FU | Usos Análogos Del Interruptor De los Usos De alta velocidad De la Conmutación Del Tipo del MOS Del Canal De N-p Del Silicio Del Transistor De Efecto De Campo | TOSHIBA |
| 2950 | HN1V01H | Usos Que templan De la Capacitancia De la Venda De radio Variable Del Diodo | TOSHIBA |
| 2951 | HN1V02H | Usos Que templan De la Capacitancia De la Venda De radio Variable Del Diodo | TOSHIBA |
| 2952 | HN2A01FE | Transistor de amplificación de baja frecuencia de pequeña señal 2 en 1 | TOSHIBA |
| 2953 | HN2A01FU | Usos De fines generales Epitaxial Del Amplificador De la Frecuencia Audio Del Tipo Del Silicio PNP Del Transistor (Proceso del PCT) | TOSHIBA |
| 2954 | HN2A26FS | Transistor de amplificación de baja frecuencia de pequeña señal 2 en 1 | TOSHIBA |
| 2955 | HN2C01FE | Transistor de amplificación de baja frecuencia de pequeña señal 2 en 1 | TOSHIBA |
| 2956 | HN2C01FU | Usos De fines generales Epitaxial Del Amplificador De la Frecuencia Audio Del Tipo Del Silicio NPN Del Transistor (Proceso del PCT) | TOSHIBA |
| 2957 | HN2C10FT | USOS BAJOS DEL AMPLIFICADOR DEL RUIDO DE LA VENDA PLANAR EPITAXIAL DEL TIPO VHF~UHF DEL SILICIO NPN DEL TRANSISTOR | TOSHIBA |
| 2958 | HN2C10FU | Rf 2-in-1 Híbrido Transistor | TOSHIBA |
| 2959 | HN2C11FU | Rf 2-in-1 Híbrido Transistor | TOSHIBA |
| 2960 | HN2C12FT | USOS BAJOS DEL AMPLIFICADOR DEL RUIDO DE LA VENDA PLANAR EPITAXIAL DEL TIPO VHF~UHF DEL SILICIO NPN DEL TRANSISTOR | TOSHIBA |
| 2961 | HN2C12FU | Rf 2-in-1 Híbrido Transistor | TOSHIBA |
| 2962 | HN2C13FT | Productos Nuevos del Rf | TOSHIBA |
| 2963 | HN2C14FT | Productos Nuevos del Rf | TOSHIBA |
| 2964 | HN2C26FS | Transistor de amplificación de baja frecuencia de pequeña señal 2 en 1 | TOSHIBA |
| 2965 | HN2D01F | Uso Ultra De alta velocidad Planar Epitaxial De la Conmutación Del Tipo Del Silicio Del Diodo | TOSHIBA |
| 2966 | HN2D01FU | Uso Ultra De alta velocidad Planar Epitaxial De la Conmutación Del Tipo Del Silicio Del Diodo | TOSHIBA |
| 2967 | HN2D01JE | Diodo de conmutación | TOSHIBA |
| 2968 | HN2D02FU | Uso Ultra De alta velocidad Planar Epitaxial De la Conmutación Del Tipo Del Silicio Del Diodo | TOSHIBA |
| 2969 | HN2D03F | Diodo de conmutación | TOSHIBA |
| 2970 | HN2E04F | Multi-chip dispositivo discreto (PNP + diodo SW) | TOSHIBA |
| 2971 | HN2S01F | Uso De alta velocidad Epitaxial De la Conmutación De la Baja Tensión Del Tipo De la Barrera De Schottky Del Silicio Del Diodo | TOSHIBA |
| 2972 | HN2S01FU | Uso De alta velocidad Epitaxial De la Conmutación De la Baja Tensión Del Tipo De la Barrera De Schottky Del Silicio Del Diodo | TOSHIBA |
| 2973 | HN2S02FU | Señal Pequeño diodo de barrera Schottky | TOSHIBA |
| 2974 | HN2S02JE | Señal Pequeño diodo de barrera Schottky | TOSHIBA |
| 2975 | HN2S03FE | Señal Pequeño diodo de barrera Schottky | TOSHIBA |
| 2976 | HN2S03FU | Señal Pequeño diodo de barrera Schottky | TOSHIBA |
| 2977 | HN2S03T | Señal Pequeño diodo de barrera Schottky | TOSHIBA |
| 2978 | HN2S04FU | Señal Pequeño diodo de barrera Schottky | TOSHIBA |
| 2979 | HN2V02H | Usos Que templan De la Capacitancia De la Venda De radio Variable Del Diodo | TOSHIBA |
| 2980 | HN3A51F | Transistor de amplificación de baja frecuencia de pequeña señal 2 en 1 | TOSHIBA |
| 2981 | HN3B01F | TIPO EPITAXIAL DE PNP (USOS DE FINES GENERALES DEL AMPLIFICADOR DE LA FRECUENCIA AUDIO) | TOSHIBA |
| 2982 | HN3B02FU | Silicio PNP Del Transistor·Usos De fines generales Epitaxial Del Amplificador De la Frecuencia Audio Del Tipo de NPN (Proceso del PCT) | TOSHIBA |
| 2983 | HN3C01F | Rf 2-in-1 Híbrido Transistor | TOSHIBA |
| 2984 | HN3C01FU | Rf 2-in-1 Híbrido Transistor | TOSHIBA |
| 2985 | HN3C02F | Rf 2-in-1 Híbrido Transistor | TOSHIBA |
| 2986 | HN3C02FU | Rf 2-in-1 Híbrido Transistor | TOSHIBA |
| 2987 | HN3C03F | Rf 2-in-1 Híbrido Transistor | TOSHIBA |
| 2988 | HN3C03FU | Rf 2-in-1 Híbrido Transistor | TOSHIBA |
| 2989 | HN3C09F | Rf 2-in-1 Híbrido Transistor | TOSHIBA |
| 2990 | HN3C09FU | Rf 2-in-1 Híbrido Transistor | TOSHIBA |
| 2991 | HN3C10F | Rf 2-in-1 Híbrido Transistor | TOSHIBA |
| 2992 | HN3C10FE | USOS BAJOS DEL AMPLIFICADOR DEL RUIDO DE LA VENDA PLANAR EPITAXIAL DEL TIPO VHF~UHF DEL SILICIO NPN DEL TRANSISTOR | TOSHIBA |
| 2993 | HN3C10FT | USOS BAJOS DEL AMPLIFICADOR DEL RUIDO DE LA VENDA PLANAR EPITAXIAL DEL TIPO VHF~UHF DEL SILICIO NPN DEL TRANSISTOR | TOSHIBA |
| 2994 | HN3C10FU | Rf 2-in-1 Híbrido Transistor | TOSHIBA |
| 2995 | HN3C11F | Rf 2-in-1 Híbrido Transistor | TOSHIBA |
| 2996 | HN3C11FU | Rf 2-in-1 Híbrido Transistor | TOSHIBA |
| 2997 | HN3C12 | TIPO PLANAR EPITAXIAL DE NPN (USOS BAJOS DEL AMPLIFICADOR DEL RUIDO DE LA VENDA DE VHF~UHF) | TOSHIBA |
| 2998 | HN3C12F | Rf 2-in-1 Híbrido Transistor | TOSHIBA |
| 2999 | HN3C12FU | Rf 2-in-1 Híbrido Transistor | TOSHIBA |
| 3000 | HN3C13F | Rf 2-in-1 Híbrido Transistor | TOSHIBA |
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