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Nr.Nombre de la parteDescripciónFabricante
3001HN3C13FURf 2-in-1 Híbrido TransistorTOSHIBA
3002HN3C14TIPO PLANAR EPITAXIAL DE NPN (USOS BAJOS DEL AMPLIFICADOR DEL RUIDO DE LA VENDA DE VHF~UHF)TOSHIBA
3003HN3C14FRf 2-in-1 Híbrido TransistorTOSHIBA
3004HN3C14FTUSOS BAJOS DEL AMPLIFICADOR DEL RUIDO DE LA VENDA PLANAR EPITAXIAL DEL TIPO VHF~UHF DEL SILICIO NPN DEL TRANSISTORTOSHIBA
3005HN3C14FURf 2-in-1 Híbrido TransistorTOSHIBA
3006HN3C15FRf 2-in-1 Híbrido TransistorTOSHIBA
3007HN3C15FURf 2-in-1 Híbrido TransistorTOSHIBA
3008HN3C16FRf 2-in-1 Híbrido TransistorTOSHIBA
3009HN3C16FTProductos Nuevos del RfTOSHIBA
3010HN3C16FURf 2-in-1 Híbrido TransistorTOSHIBA
3011HN3C17FRf 2-in-1 Híbrido TransistorTOSHIBA
3012HN3C17FURf 2-in-1 Híbrido TransistorTOSHIBA
3013HN3C18FRf 2-in-1 Híbrido TransistorTOSHIBA
3014HN3C18FTProductos Nuevos del RfTOSHIBA
3015HN3C18FURf 2-in-1 Híbrido TransistorTOSHIBA
3016HN3C51FTransistor de amplificación de baja frecuencia de pequeña señal 2 en 1TOSHIBA
3017HN3C56FUTransistor de amplificación de baja frecuencia de pequeña señal 2 en 1TOSHIBA
3018HN3C67FETransistor de amplificación de baja frecuencia de pequeña señal 2 en 1TOSHIBA
3019HN3G01TRANSISTOR EPITAXIAL Del TIPO Del SILICIO NPN Del Fet Del TIPO De la ENSAMBLADURA Del CANAL De NTOSHIBA
3020HN3G01JTRANSISTOR EPITAXIAL Del TIPO Del SILICIO NPN Del Fet Del TIPO De la ENSAMBLADURA Del CANAL De NTOSHIBA
3021HN4A06JTransistor de amplificación de baja frecuencia de pequeña señal 2 en 1TOSHIBA
3022HN4A08JTransistor de amplificación de baja frecuencia de pequeña señal 2 en 1TOSHIBA
3023HN4A51JTransistor de amplificación de baja frecuencia de pequeña señal 2 en 1TOSHIBA
3024HN4A56JUTransistor de amplificación de baja frecuencia de pequeña señal 2 en 1TOSHIBA
3025HN4B01JETransistor de amplificación de baja frecuencia de pequeña señal 2 en 1TOSHIBA
3026HN4B04JTransistor de amplificación de baja frecuencia de pequeña señal 2 en 1TOSHIBA
3027HN4B06JTransistor de amplificación de baja frecuencia de pequeña señal 2 en 1TOSHIBA
3028HN4B101JTransistor de potencia para aplicaciones de conmutación de alta velocidadTOSHIBA
3029HN4B102JTransistor de potencia para aplicaciones de conmutación de alta velocidadTOSHIBA
3030HN4C05JUMulti usos de fines generales discretos del amplificador de la frecuencia audio del dispositivo de la viruta para los usos que apagan y que cambianTOSHIBA
3031HN4C06JTransistor de amplificación de baja frecuencia de pequeña señal 2 en 1TOSHIBA
3032HN4C51JTransistor de amplificación de baja frecuencia de pequeña señal 2 en 1TOSHIBA
3033HN4D01JUDiodo de conmutaciónTOSHIBA
3034HN4D02JUDiodo de conmutaciónTOSHIBA
3035HN4K03JUUsos Análogos Del Interruptor De los Usos De alta velocidad De la Conmutación Del Tipo del MOS Del Canal Del Silicio N Del Transistor De Efecto De CampoTOSHIBA
3036HN7G01FUMulti Uso De Circuito Discreto De Interfaz Del Uso De Circuito Del Conductor Del Uso Del Interruptor De la Gerencia De la Energía Del Dispositivo De la VirutaTOSHIBA
3037HN7G02FUMulti uso discreto del interruptor de la gerencia de la energía del dispositivo de la viruta, uso de circuito del inversor, uso de circuito del conductor y uso de circuito de interfaz.TOSHIBA
3038HN9C01FEUSOS BAJOS DEL AMPLIFICADOR DEL RUIDO DE LA VENDA PLANAR EPITAXIAL DEL TIPO VHF~UHF DEL SILICIO NPN DEL TRANSISTORTOSHIBA
3039HN9C01FTUSOS BAJOS DEL AMPLIFICADOR DEL RUIDO DE LA VENDA PLANAR EPITAXIAL DEL TIPO VHF~UHF DEL SILICIO NPN DEL TRANSISTORTOSHIBA
3040HN9C09FTUSOS BAJOS DEL AMPLIFICADOR DEL RUIDO DE LA VENDA PLANAR EPITAXIAL DEL TIPO VHF~UHF DEL SILICIO NPN DEL TRANSISTORTOSHIBA
3041HN9C14FTUSOS BAJOS DEL AMPLIFICADOR DEL RUIDO DE LA VENDA PLANAR EPITAXIAL DEL TIPO VHF~UHF DEL SILICIO NPN DEL TRANSISTORTOSHIBA
3042HN9C15FTUSOS BAJOS DEL AMPLIFICADOR DEL RUIDO DE LA VENDA PLANAR EPITAXIAL DEL TIPO VHF~UHF DEL SILICIO NPN DEL TRANSISTORTOSHIBA
3043HN9C22FTUSOS BAJOS DEL AMPLIFICADOR DEL RUIDO DE LA VENDA PLANAR EPITAXIAL DEL TIPO VHF~UHF DEL SILICIO NPN DEL TRANSISTORTOSHIBA
3044IK-540ACámara fotográfica De Toshiba Ik-540aTOSHIBA
3045JBT6K47-ASConductor de la fuente para los paneles de TFT LCDTOSHIBA
3046JBT6K48-ASConductor de la puerta para el panel de TFT LCDTOSHIBA
3047JBT6K49-ASIC de la fuente de alimentación para los paneles de TFT LCDTOSHIBA
3048JBT6L77-ASConductor de la fuente para los paneles de TFT LCDTOSHIBA
3049JBT6L78-ASConductor de la puerta para el panel de TFT LCDTOSHIBA
3050JBT6N81SSistema single-Chip LSI para la tarjeta de RFIDTOSHIBA
3051JBTC94B12-ASMicrófono para ECM DigitalTOSHIBA
3052JDH2S01FSAlta frecuencia de diodo de barrera SchottkyTOSHIBA
3053JDH2S01TMezclador DE FRECUENCIA ULTRAELEVADA De la Venda De Schottky Del Silicio Del Diodo Del Tipo Epitaxial De la BarreraTOSHIBA
3054JDH2S02FSAlta frecuencia de diodo de barrera SchottkyTOSHIBA
3055JDH2S02SCAlta frecuencia de diodo de barrera SchottkyTOSHIBA
3056JDH3D01FVAlta frecuencia de diodo de barrera SchottkyTOSHIBA
3057JDH3D01SAlta frecuencia de diodo de barrera SchottkyTOSHIBA
3058JDP2S01AFSUsos Epitaxial Del Interruptor del Rf De la Venda Del Tipo UHF~VHF del PERNO Del Silicio del DIODOTOSHIBA
3059JDP2S01EUsos Epitaxial Del Atenuador del Rf De la Venda Del Tipo UHF~VHF Del Perno Del Silicio Del DiodoTOSHIBA
3060JDP2S01SUsos Epitaxial Del Atenuador del Rf De la Venda Del Tipo UHF~VHF Del Perno Del Silicio Del DiodoTOSHIBA
3061JDP2S01TUsos Epitaxial Del Atenuador del Rf De la Venda Del Tipo UHF~VHF Del Perno Del Silicio Del DiodoTOSHIBA



3062JDP2S01UUsos Epitaxial Del Atenuador del Rf De la Venda Del Tipo UHF~VHF Del Perno Del Silicio Del DiodoTOSHIBA
3063JDP2S02ACTDiodo de conmutación de radio-frecuenciaTOSHIBA
3064JDP2S02AFSUsos Epitaxial Del Atenuador del Rf De la Venda Del Tipo UHF~VHF Del Perno Del Silicio Del DiodoTOSHIBA
3065JDP2S02SUsos Epitaxial Del Atenuador del Rf De la Venda Del Tipo UHF~VHF Del Perno Del Silicio Del DiodoTOSHIBA
3066JDP2S02TUsos Epitaxial Del Atenuador del Rf De la Venda Del Tipo UHF~VHF Del Perno Del Silicio Del DiodoTOSHIBA
3067JDP2S04EUsos Epitaxial Del Atenuador del Rf De la Venda Del Tipo UHF~VHF Del Perno Del Silicio Del DiodoTOSHIBA
3068JDP2S05SCDiodo de conmutación de radio-frecuenciaTOSHIBA
3069JDP2S08SCDiodo de conmutación de radio-frecuenciaTOSHIBA
3070JDP2S12CRDiodo de conmutación de radio-frecuenciaTOSHIBA
3071JDP3C02AUDiodo de conmutación de radio-frecuenciaTOSHIBA
3072JDP3C04TUDiodo de conmutación de radio-frecuenciaTOSHIBA
3073JDP4P02ATDiodo de conmutación de radio-frecuenciaTOSHIBA
3074JDP4P02UUsos Epitaxial Del Atenuador del Rf De la Venda Del Tipo UHF~VHF Del Perno Del Silicio Del DiodoTOSHIBA
3075JDS2S03SUsos Planar Epitaxial Del Interruptor De la Venda Del Sintonizador del Vhf Del Tipo Del Silicio Del DiodoTOSHIBA
3076JDV2S01ETipo planar epitaxial VCO del silicio del diodo para la venda DE FRECUENCIA ULTRAELEVADATOSHIBA
3077JDV2S01STipo planar epitaxial VCO del silicio del diodo para la venda DE FRECUENCIA ULTRAELEVADATOSHIBA
3078JDV2S02ETipo planar epitaxial del silicio del diodo, VCO para la venda DE FRECUENCIA ULTRAELEVADATOSHIBA
3079JDV2S02STipo planar epitaxial VCO del silicio del diodo para la venda DE FRECUENCIA ULTRAELEVADATOSHIBA
3080JDV2S05ETipo planar epitaxial VCO del silicio del diodo para la venda DE FRECUENCIA ULTRAELEVADATOSHIBA
3081JDV2S05STipo planar epitaxial VCO del silicio del diodo para la venda DE FRECUENCIA ULTRAELEVADATOSHIBA
3082JDV2S06STipo planar epitaxial del silicio del diodo, VCO para la radio DE FRECUENCIA ULTRAELEVADA de la vendaTOSHIBA
3083JDV2S07FSDiodo de capacidad variable para aplicaciones de afinación electrónicosTOSHIBA
3084JDV2S07STipo planar epitaxial VCO del silicio del diodo para la radio DE FRECUENCIA ULTRAELEVADA de la vendaTOSHIBA
3085JDV2S08STipo planar epitaxial VCO del silicio del diodo para la radio DE FRECUENCIA ULTRAELEVADA de la vendaTOSHIBA
3086JDV2S09FSDiodo de capacidad variable para aplicaciones de afinación electrónicosTOSHIBA
3087JDV2S09STipo planar epitaxial VCO del silicio del diodo para la radio DE FRECUENCIA ULTRAELEVADA de la vendaTOSHIBA
3088JDV2S10FSDiodo de capacidad variable para aplicaciones de afinación electrónicosTOSHIBA
3089JDV2S10STipo planar epitaxial VCO del silicio del diodo para la radio DE FRECUENCIA ULTRAELEVADA de la vendaTOSHIBA
3090JDV2S10TTipo planar epitaxial VCO del silicio del diodo para la radio DE FRECUENCIA ULTRAELEVADA de la vendaTOSHIBA
3091JDV2S13STipo planar epitaxial VCO del silicio del diodo para la radio DE FRECUENCIA ULTRAELEVADA de la vendaTOSHIBA
3092JDV2S14ETipo planar epitaxial del silicio del diodo útil para VCO/TCXOTOSHIBA
3093JDV2S36EDiodo de capacidad variable para aplicaciones de afinación electrónicosTOSHIBA
3094JDV2S41FSDiodo de capacidad variable para aplicaciones de afinación electrónicosTOSHIBA
3095JDV3C11Usos que templan electrónicos del tipo planar epitaxial del silicio del diodo de los receptores de FMTOSHIBA
3096JDV4P08UTipo planar epitaxial VCO del silicio del diodo para la radio DE FRECUENCIA ULTRAELEVADA de la vendaTOSHIBA
3097JT6A11AX-ASLSI DE LA VIRUTA DEL CMOS 1 PARA LCD SLECTRONIC CALCUTATORTOSHIBA
3098JT6A36X-ASTÃ36S, LSI single-Chip de Jtã36x-as Cmos para la calculadora del LCDTOSHIBA
3099JT6F18-AST6F18, LSI single-Chip de Jt6f18-as Cmos para la calculadora del LCDTOSHIBA
3100JT6F19-AST6F19, LSI single-Chip de Jt6f19-as Cmos para la calculadora del LCDTOSHIBA

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