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Nr.Nombre de la parteDescripciónFabricante
3801RN1962FEConmutación del tipo del silicio NPN del transistor (proceso) del PCT (transistor incorporado del resistor diagonal), usos epitaxial del circuito del inversor, del circuito de interfaz y de circuito del conductor.TOSHIBA
3802RN1962FSResistencia de polarización integrado transistor (BRT), 2-en-1TOSHIBA
3803RN1963Conmutación Del Tipo Del Silicio NPN Del Transistor (Proceso del PCT), Usos Epitaxial Del Circuito Del Inversor, Del Circuito De Interfaz Y De Circuito Del ConductorTOSHIBA
3804RN1963FEConmutación del tipo del silicio NPN del transistor (proceso) del PCT (transistor incorporado del resistor diagonal), usos epitaxial del circuito del inversor, del circuito de interfaz y de circuito del conductor.TOSHIBA
3805RN1963FSResistencia de polarización integrado transistor (BRT), 2-en-1TOSHIBA
3806RN1964Conmutación Del Tipo Del Silicio NPN Del Transistor (Proceso del PCT), Usos Epitaxial Del Circuito Del Inversor, Del Circuito De Interfaz Y De Circuito Del ConductorTOSHIBA
3807RN1964FEConmutación del tipo del silicio NPN del transistor (proceso) del PCT (transistor incorporado del resistor diagonal), usos epitaxial del circuito del inversor, del circuito de interfaz y de circuito del conductor.TOSHIBA
3808RN1964FSResistencia de polarización integrado transistor (BRT), 2-en-1TOSHIBA
3809RN1965Conmutación Del Tipo Del Silicio NPN Del Transistor (Proceso del PCT), Usos Epitaxial Del Circuito Del Inversor, Del Circuito De Interfaz Y De Circuito Del ConductorTOSHIBA
3810RN1965FEConmutación del tipo del silicio NPN del transistor (proceso) del PCT (transistor incorporado del resistor diagonal), usos epitaxial del circuito del inversor, del circuito de interfaz y de circuito del conductor.TOSHIBA
3811RN1965FSResistencia de polarización integrado transistor (BRT), 2-en-1TOSHIBA
3812RN1966Conmutación Del Tipo Del Silicio NPN Del Transistor (Proceso del PCT), Usos Epitaxial Del Circuito Del Inversor, Del Circuito De Interfaz Y De Circuito Del ConductorTOSHIBA
3813RN1966FEConmutación del tipo del silicio NPN del transistor (proceso) del PCT (transistor incorporado del resistor diagonal), usos epitaxial del circuito del inversor, del circuito de interfaz y de circuito del conductor.TOSHIBA
3814RN1966FSResistencia de polarización integrado transistor (BRT), 2-en-1TOSHIBA
3815RN1967Usos Epitaxial De la Conmutación Del Tipo Del Silicio NPN Del Transistor (Proceso del PCT), Del Circuito Del Inversor, Del Circuito De Interfaz Y De Circuito Del ConductorTOSHIBA
3816RN1967FEConmutación del tipo del silicio NPN del transistor (proceso) del PCT (transistor incorporado del resistor diagonal), usos epitaxial del circuito del inversor, del circuito de interfaz y de circuito del conductor.TOSHIBA
3817RN1967FSResistencia de polarización integrado transistor (BRT), 2-en-1TOSHIBA
3818RN1968Usos Epitaxial De la Conmutación Del Tipo Del Silicio NPN Del Transistor (Proceso del PCT), Del Circuito Del Inversor, Del Circuito De Interfaz Y De Circuito Del ConductorTOSHIBA
3819RN1968FEConmutación del tipo del silicio NPN del transistor (proceso) del PCT (transistor incorporado del resistor diagonal), usos epitaxial del circuito del inversor, del circuito de interfaz y de circuito del conductor.TOSHIBA
3820RN1968FSResistencia de polarización integrado transistor (BRT), 2-en-1TOSHIBA
3821RN1969Usos Epitaxial De la Conmutación Del Tipo Del Silicio NPN Del Transistor (Proceso del PCT), Del Circuito Del Inversor, Del Circuito De Interfaz Y De Circuito Del ConductorTOSHIBA
3822RN1969FEConmutación del tipo del silicio NPN del transistor (proceso) del PCT (transistor incorporado del resistor diagonal), usos epitaxial del circuito del inversor, del circuito de interfaz y de circuito del conductor.TOSHIBA
3823RN1969FSResistencia de polarización integrado transistor (BRT), 2-en-1TOSHIBA
3824RN1970Conmutación Del Tipo Del Silicio NPN Del Transistor (Proceso del PCT), Usos Epitaxial Del Circuito Del Inversor, Del Circuito De Interfaz Y De Circuito Del ConductorTOSHIBA
3825RN1970FEConmutación epitaxial del tipo del silicio NPN del transistor (proceso) del PCT (transistor incorporado del resistor diagonal), circuito del inversor, usos de circuito del andDriver del circuito de interfaz.TOSHIBA
3826RN1970FSResistencia de polarización integrado transistor (BRT), 2-en-1TOSHIBA
3827RN1971Conmutación Del Tipo Del Silicio NPN Del Transistor (Proceso del PCT), Usos Epitaxial Del Circuito Del Inversor, Del Circuito De Interfaz Y De Circuito Del ConductorTOSHIBA
3828RN1971FEConmutación epitaxial del tipo del silicio NPN del transistor (proceso) del PCT (transistor incorporado del resistor diagonal), circuito del inversor, usos de circuito del andDriver del circuito de interfaz.TOSHIBA
3829RN1971FSResistencia de polarización integrado transistor (BRT), 2-en-1TOSHIBA
3830RN1972FSResistencia de polarización integrado transistor (BRT), 2-en-1TOSHIBA
3831RN1973Conmutación epitaxial del tipo del silicio NPN del transistor (proceso) del PCT (transistor incorporado del resistor diagonal), circuito del inversor, usos de circuito del andDriver del circuito de interfaz.TOSHIBA
3832RN1973FSResistencia de polarización integrado transistor (BRT), 2-en-1TOSHIBA
3833RN2001Conmutación Del Tipo Del Silicio PNP Del Transistor (Proceso del PCT), Usos Epitaxial Del Circuito Del Inversor, Del Circuito De Interfaz Y De Circuito Del ConductorTOSHIBA
3834RN2002Conmutación Del Tipo Del Silicio PNP Del Transistor (Proceso del PCT), Usos Epitaxial Del Circuito Del Inversor, Del Circuito De Interfaz Y De Circuito Del ConductorTOSHIBA
3835RN2003Conmutación Del Tipo Del Silicio PNP Del Transistor (Proceso del PCT), Usos Epitaxial Del Circuito Del Inversor, Del Circuito De Interfaz Y De Circuito Del ConductorTOSHIBA
3836RN2004Conmutación Del Tipo Del Silicio PNP Del Transistor (Proceso del PCT), Usos Epitaxial Del Circuito Del Inversor, Del Circuito De Interfaz Y De Circuito Del ConductorTOSHIBA
3837RN2005Conmutación Del Tipo Del Silicio PNP Del Transistor (Proceso del PCT), Usos Epitaxial Del Circuito Del Inversor, Del Circuito De Interfaz Y De Circuito Del ConductorTOSHIBA
3838RN2006Conmutación Del Tipo Del Silicio PNP Del Transistor (Proceso del PCT), Usos Epitaxial Del Circuito Del Inversor, Del Circuito De Interfaz Y De Circuito Del ConductorTOSHIBA
3839RN2007Conmutación Del Tipo Del Silicio PNP Del Transistor (Proceso del PCT), Usos Epitaxial Del Circuito Del Inversor, Del Circuito De Interfaz Y De Circuito Del ConductorTOSHIBA
3840RN2008Conmutación Del Tipo Del Silicio PNP Del Transistor (Proceso del PCT), Usos Epitaxial Del Circuito Del Inversor, Del Circuito De Interfaz Y De Circuito Del ConductorTOSHIBA
3841RN2009Conmutación Del Tipo Del Silicio PNP Del Transistor (Proceso del PCT), Usos Epitaxial Del Circuito Del Inversor, Del Circuito De Interfaz Y De Circuito Del ConductorTOSHIBA
3842RN2010Conmutación Del Tipo Del Silicio PNP Del Transistor (Proceso del PCT), Usos Epitaxial Del Circuito Del Inversor, Del Circuito De Interfaz Y De Circuito Del ConductorTOSHIBA
3843RN2011Conmutación Del Tipo Del Silicio PNP Del Transistor (Proceso del PCT), Usos Epitaxial Del Circuito Del Inversor, Del Circuito De Interfaz Y De Circuito Del ConductorTOSHIBA
3844RN2101Conmutación Del Tipo Del Silicio PNP Del Transistor (Proceso del PCT), Usos Epitaxial Del Circuito Del Inversor, Del Circuito De Interfaz Y De Circuito Del ConductorTOSHIBA
3845RN2101ACTResistencia de polarización integrado transistor (BRT)TOSHIBA
3846RN2101CTResistencia de polarización integrado transistor (BRT)TOSHIBA
3847RN2101FConmutación Del Tipo Del Silicio PNP Del Transistor (Proceso del PCT), Usos Epitaxial Del Circuito Del Inversor, Del Circuito De Interfaz Y De Circuito Del ConductorTOSHIBA
3848RN2101FTConmutación del tipo del silicio PNP del transistor (proceso) del PCT (transistor incorporado del resistor diagonal), usos epitaxial del circuito del inversor, del circuito de interfaz y de circuito del conductor.TOSHIBA
3849RN2101MFVResistencia de polarización integrado transistor (BRT)TOSHIBA
3850RN2102Conmutación Del Tipo Del Silicio PNP Del Transistor (Proceso del PCT), Usos Epitaxial Del Circuito Del Inversor, Del Circuito De Interfaz Y De Circuito Del ConductorTOSHIBA
3851RN2102ACTResistencia de polarización integrado transistor (BRT)TOSHIBA
3852RN2102CTResistencia de polarización integrado transistor (BRT)TOSHIBA
3853RN2102FConmutación Del Tipo Del Silicio PNP Del Transistor (Proceso del PCT), Usos Epitaxial Del Circuito Del Inversor, Del Circuito De Interfaz Y De Circuito Del ConductorTOSHIBA
3854RN2102FTConmutación del tipo del silicio PNP del transistor (proceso) del PCT (transistor incorporado del resistor diagonal), usos epitaxial del circuito del inversor, del circuito de interfaz y de circuito del conductor.TOSHIBA
3855RN2102MFVResistencia de polarización integrado transistor (BRT)TOSHIBA
3856RN2103Conmutación Del Tipo Del Silicio PNP Del Transistor (Proceso del PCT), Usos Epitaxial Del Circuito Del Inversor, Del Circuito De Interfaz Y De Circuito Del ConductorTOSHIBA
3857RN2103ACTResistencia de polarización integrado transistor (BRT)TOSHIBA
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3859RN2103FConmutación Del Tipo Del Silicio PNP Del Transistor (Proceso del PCT), Usos Epitaxial Del Circuito Del Inversor, Del Circuito De Interfaz Y De Circuito Del ConductorTOSHIBA



3860RN2103FTConmutación del tipo del silicio PNP del transistor (proceso) del PCT (transistor incorporado del resistor diagonal), usos epitaxial del circuito del inversor, del circuito de interfaz y de circuito del conductor.TOSHIBA
3861RN2103MFVResistencia de polarización integrado transistor (BRT)TOSHIBA
3862RN2104Conmutación Del Tipo Del Silicio PNP Del Transistor (Proceso del PCT), Usos Epitaxial Del Circuito Del Inversor, Del Circuito De Interfaz Y De Circuito Del ConductorTOSHIBA
3863RN2104ACTResistencia de polarización integrado transistor (BRT)TOSHIBA
3864RN2104CTResistencia de polarización integrado transistor (BRT)TOSHIBA
3865RN2104FConmutación Del Tipo Del Silicio PNP Del Transistor (Proceso del PCT), Usos Epitaxial Del Circuito Del Inversor, Del Circuito De Interfaz Y De Circuito Del ConductorTOSHIBA
3866RN2104FTConmutación del tipo del silicio PNP del transistor (proceso) del PCT (transistor incorporado del resistor diagonal), usos epitaxial del circuito del inversor, del circuito de interfaz y de circuito del conductor.TOSHIBA
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3868RN2105Conmutación Del Tipo Del Silicio PNP Del Transistor (Proceso del PCT), Usos Epitaxial Del Circuito Del Inversor, Del Circuito De Interfaz Y De Circuito Del ConductorTOSHIBA
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3879RN2106MFVResistencia de polarización integrado transistor (BRT)TOSHIBA
3880RN2107Conmutación del tipo del silicio PNP del transistor (proceso del PCT), usos epitaxial del circuito del inversor, del circuito de interfaz y de circuito del conductorTOSHIBA
3881RN2107ACTResistencia de polarización integrado transistor (BRT)TOSHIBA
3882RN2107CTResistencia de polarización integrado transistor (BRT)TOSHIBA
3883RN2107FConmutación del tipo del silicio PNP del transistor (proceso del PCT), usos epitaxial del circuito del inversor, del circuito de interfaz y de circuito del conductorTOSHIBA
3884RN2107FTConmutación del tipo del silicio PNP del transistor (proceso) del PCT (transistor incorporado del resistor diagonal), usos epitaxial del circuito del inversor, del circuito de interfaz y de circuito del conductor.TOSHIBA
3885RN2107MFVResistencia de polarización integrado transistor (BRT)TOSHIBA
3886RN2108Conmutación del tipo del silicio PNP del transistor (proceso del PCT), usos epitaxial del circuito del inversor, del circuito de interfaz y de circuito del conductorTOSHIBA
3887RN2108ACTResistencia de polarización integrado transistor (BRT)TOSHIBA
3888RN2108CTResistencia de polarización integrado transistor (BRT)TOSHIBA
3889RN2108FConmutación del tipo del silicio PNP del transistor (proceso del PCT), usos epitaxial del circuito del inversor, del circuito de interfaz y de circuito del conductorTOSHIBA
3890RN2108FTConmutación del tipo del silicio PNP del transistor (proceso) del PCT (transistor incorporado del resistor diagonal), usos epitaxial del circuito del inversor, del circuito de interfaz y de circuito del conductor.TOSHIBA
3891RN2108MFVResistencia de polarización integrado transistor (BRT)TOSHIBA
3892RN2109Conmutación del tipo del silicio PNP del transistor (proceso del PCT), usos epitaxial del circuito del inversor, del circuito de interfaz y de circuito del conductorTOSHIBA
3893RN2109ACTResistencia de polarización integrado transistor (BRT)TOSHIBA
3894RN2109CTResistencia de polarización integrado transistor (BRT)TOSHIBA
3895RN2109FConmutación del tipo del silicio PNP del transistor (proceso del PCT), usos epitaxial del circuito del inversor, del circuito de interfaz y de circuito del conductorTOSHIBA
3896RN2109FTConmutación del tipo del silicio PNP del transistor (proceso) del PCT (transistor incorporado del resistor diagonal), usos epitaxial del circuito del inversor, del circuito de interfaz y de circuito del conductor.TOSHIBA
3897RN2109MFVResistencia de polarización integrado transistor (BRT)TOSHIBA
3898RN2110Conmutación del tipo del silicio PNP del transistor (proceso del PCT), usos epitaxial del circuito del inversor, del circuito de interfaz y de circuito del conductorTOSHIBA
3899RN2110ACTResistencia de polarización integrado transistor (BRT)TOSHIBA
3900RN2110CTResistencia de polarización integrado transistor (BRT)TOSHIBA

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