Nr. | Nombre de la parte | Descripción | Fabricante |
1 | 1N5829 | Switchmode diodo Schottky rectificador de potencia. Ideal para su uso como rectificadores en baja tensión. Inversores de alta frecuencia. Diodos de rueda libre y diodos de protección de polaridad. Vrrm = 20V. Vrsm = 24V. | USHA India LTD |
2 | 1N5830 | Switchmode diodo Schottky rectificador de potencia. Ideal para su uso como rectificadores en baja tensión. Inversores de alta frecuencia. Diodos de rueda libre y diodos de protección de polaridad. Vrrm = 30V. Vrsm = 36V. | USHA India LTD |
3 | 1N5831 | Switchmode diodo Schottky rectificador de potencia. Ideal para su uso como rectificadores en baja tensión. Inversores de alta frecuencia. Diodos de rueda libre y diodos de protección de polaridad. Vrrm = 40V. Vrsm = 48V. | USHA India LTD |
4 | 1N5832 | Switchmode diodo Schottky rectificador de potencia. Ideal para su uso como rectificadores en baja tensión. Inversores de alta frecuencia. Diodos de rueda libre y diodos de protección de polaridad. Vrrm = 20V. Vrsm = 24V. | USHA India LTD |
5 | 1N5833 | Switchmode diodo Schottky rectificador de potencia. Ideal para su uso como rectificadores en baja tensión. Inversores de alta frecuencia. Diodos de rueda libre y diodos de protección de polaridad. Vrrm = 30V. Vrsm = 36V. | USHA India LTD |
6 | 1N5834 | Switchmode diodo Schottky rectificador de potencia. Ideal para su uso como rectificadores en baja tensión. Inversores de alta frecuencia. Diodos de rueda libre y diodos de protección de polaridad. Vrrm = 40V. Vrsm = 48V. | USHA India LTD |
7 | 2N3055 | Alta potencia transistor NPN. Conmutación de uso general y aplicación amplificador. VCEO = 60 Vdc, Vcer = 70 Vcc, Vcb = 100Vdc, Veb = 15Vdc, Ic = 7Adc, Ib = 7Adc, PD = 115W. | USHA India LTD |
8 | 2N3055H | NPN transistor de potencia de silicio. 15Amp, 100V, 115Watt. Estos dispositivos están diseñados para aplicaciones generales de conmutación propósito y amplificador. | USHA India LTD |
9 | 2N3773 | Alta potencia transistor NPN. Audio de alta potencia y aplicaciones lineales. VCEO = 140Vdc, Vcer = 150Vdc, Vcb = 160 Vdc, Veb = 7Vdc, Ic = 16Adc, Ib = 4Adc, PD = 150W. | USHA India LTD |
10 | 2N3773AR | NPN transistor de potencia de silicio. 16Amp, 140V, 150 vatios. Audio de alta potencia, posicionadores de cabeza de disco y otras aplicaciones lineales. Circuitos de conmutación de alimentación, tales como relé o los conductores de sole | USHA India LTD |
11 | 2N3903 | Transistor de propósito general. Tensión de colector-emisor: 40V = VCEO. Tensión colector-base: 60V = VCBO. Disipación del colector: Pc (máx) = 625MW. | USHA India LTD |
12 | 2N3904 | Transistor de propósito general. Tensión de colector-emisor: 40V = VCEO. Tensión colector-base: 60V = VCBO. Disipación del colector: Pc (máx) = 625MW. | USHA India LTD |
13 | 2N3905 | Transistor de propósito general. Tensión de colector-emisor: VCEO = -40V. Tensión colector-base: VCBO = -40V. Disipación del colector: Pc (máx) = -625mW. | USHA India LTD |
14 | 2N3906 | Transistor de propósito general. Tensión de colector-emisor: VCEO = -40V. Tensión colector-base: VCBO = -40V. Disipación del colector: Pc (máx) = -625mW. | USHA India LTD |
15 | 2N4123 | Transistor de propósito general. Tensión de colector-emisor: 30V = VCEO. Tensión colector-base: 40V = VCBO. Disipación del colector: Pc (máx) = 625MW. | USHA India LTD |
16 | 2N4124 | Transistor de propósito general. Tensión de colector-emisor: 25V = VCEO. Tensión colector-base: 30V = VCBO. Disipación del colector: Pc (máx) = 625MW. | USHA India LTD |
17 | 2N4125 | Transistores amplificador. Tensión de colector-emisor: VCEO = -30V. Tensión colector-base: VCBO = -30V. Disipación del colector: Pc (máx) = 625MW. | USHA India LTD |
18 | 2N4126 | Transistores amplificador. Tensión de colector-emisor: VCEO = -25V. Tensión colector-base: VCBO = -25V. Disipación del colector: Pc (máx) = 625MW. | USHA India LTD |
19 | 2N4400 | Transistor de propósito general. Tensión de colector-emisor: 40V = VCEO. Tensión colector-base: 60V = VCBO. Disipación del colector: Pc (máx) = 625MW. | USHA India LTD |
20 | 2N4401 | Transistor de propósito general. Tensión de colector-emisor: 40V = VCEO. Tensión colector-base: 60V = VCBO. Disipación del colector: Pc (máx) = 625MW. | USHA India LTD |
21 | 2N4402 | Transistor de propósito general. Tensión de colector-emisor: VCEO = -40V. Tensión colector-base: VCBO = -40V. Disipación del colector: Pc (máx) = 625MW. | USHA India LTD |
22 | 2N4403 | Transistor de propósito general. Tensión de colector-emisor: VCEO = -40V. Tensión colector-base: VCBO = -40V. Disipación del colector: Pc (máx) = 625MW. | USHA India LTD |
23 | 2N5086 | Transistores amplificador. Tensión de colector-emisor: 50V = VCEO. Tensión colector-base: 50V = VCBO. Disipación del colector: Pc (máx) = -625mW. | USHA India LTD |
24 | 2N5087 | Transistores amplificador. Tensión de colector-emisor: 50V = VCEO. Tensión colector-base: 50V = VCBO. Disipación del colector: Pc (máx) = -625mW. | USHA India LTD |
25 | 2N5088 | Transistores amplificador. Tensión de colector-emisor: 30V = VCEO. Tensión colector-base: 35V = VCBO. Disipación del colector: Pc (máx) = 625MW. | USHA India LTD |
26 | 2N5089 | Transistores amplificador. Tensión de colector-emisor: 25V = VCEO. Tensión colector-base: 30V = VCBO. Disipación del colector: Pc (máx) = 625MW. | USHA India LTD |
27 | 2N5210 | Transistores amplificador. Tensión de colector-emisor: 50V = VCEO. Tensión colector-base: 50V = VCBO. Disipación del colector: Pc (máx) = 625MW. | USHA India LTD |
28 | 2N5294 | Plástico de silicio del transistor NPN de potencia. Conmutación y amplificadores aplicaciones de propósito general. VCEO = 70 Vcc, Vcer = 75 Vdc, VCBO = 80VDC, Veb = 7Vdc, Ic = 4Adc, Ib = 2Adc, PD = 36W. | USHA India LTD |
29 | 2N5296 | Plástico de silicio del transistor NPN de potencia. Conmutación y amplificadores aplicaciones de propósito general. VCEO = 40VDC, Vcer = 50Vdc, VCBO = 60 Vdc, Veb = 5 Vdc, Ic = 4Adc, Ib = 2Adc, PD = 36W. | USHA India LTD |
30 | 2N5400 | Transistores amplificador. Tensión de colector-emisor: VCEO = -120V. Tensión colector-base: VCBO = -130V. Disipación del colector: Pc (máx) = 625MW. | USHA India LTD |
31 | 2N5401 | Transistores amplificador. Tensión de colector-emisor: VCEO = -150V. Tensión colector-base: VCBO = -160V. Disipación del colector: Pc (máx) = 625MW. | USHA India LTD |
32 | 2N5550 | Transistores amplificador. Tensión de colector-emisor: 140V = VCEO. Tensión colector-base: 160V = VCBO. Disipación del colector: Pc (máx) = 625MW. | USHA India LTD |
33 | 2N5551 | Transistores amplificador. Tensión de colector-emisor: 160V = VCEO. Tensión colector-base: 180V = VCBO. Disipación del colector: Pc (máx) = 625MW. | USHA India LTD |
34 | 2N6107 | PNP transistor de potencia de plástico de silicio. Diseñado para su uso en aplicaciones de conmutación y del amplificador de uso general. VCEO = 70 Vcc, Vcb = 80VDC, Veb = 5Vdc Ic = 7Adc, PD = 40W. | USHA India LTD |
35 | 2N6292 | Plástico de silicio del transistor NPN de potencia. Conmutación y amplificadores aplicaciones de propósito general. VCEO = 70 Vcc, Vcb = 80VDC, Veb = 5 Vdc, Ic = 7Adc, Ib = 3Adc, PD = 40W. | USHA India LTD |
36 | 2N6428 | Transistores amplificador. Tensión de colector-emisor: 50V = VCEO. Tensión colector-base: 60V = VCBO. Disipación del colector: Pc (máx) = 625MW. | USHA India LTD |
37 | 2N6428A | Transistores amplificador. Tensión de colector-emisor: 50V = VCEO. Tensión colector-base: 60V = VCBO. Disipación del colector: Pc (máx) = 625MW. | USHA India LTD |
38 | 2N6515 | Transistores de alta tensión. Tensión de colector-emisor: 250V = VCEO. Tensión colector-base: 250V = VCBO. Disipación del colector: Pc (máx) = 625MW. | USHA India LTD |
39 | 2N6516 | Transistores de alta tensión. Tensión de colector-emisor: 250V = VCEO. Tensión colector-base: 250V = VCBO. Disipación del colector: Pc (máx) = 625MW. | USHA India LTD |
40 | 2N6517 | Transistores de alta tensión. Tensión de colector-emisor: 350V = VCEO. Tensión colector-base: 350V = VCBO. Disipación del colector: Pc (máx) = 625MW. | USHA India LTD |
41 | 2N6518 | Transistores de alta tensión. Tensión de colector-emisor: VCEO = -250V. Tensión colector-base: VCBO = -250V. Disipación del colector: Pc (máx) = 0.625W. | USHA India LTD |
42 | 2N6519 | Transistores de alta tensión. Tensión de colector-emisor: VCEO = -300V. Tensión colector-base: VCBO = -300V. Disipación del colector: Pc (máx) = 0.625W. | USHA India LTD |
43 | 2N6520 | Transistores de alta tensión. Tensión de colector-emisor: VCEO = -350V. Tensión colector-base: VCBO = -350V. Disipación del colector: Pc (máx) = 0.625W. | USHA India LTD |
44 | 2SA1015 | Amplificador de baja frecuencia. Tensión colector-base: 50V = VCBO. Tensión de colector-emisor: 50V = VCEO. Tensión emisor-base Vebo = -5V.Collector disipación: Pc (máx) = 400mW. | USHA India LTD |
45 | 2SA1625 | Interruptores de alta tensión. Tensión colector-base: VCBO = -400V. Tensión de colector-emisor: VCEO = -400V. Tensión emisor-base Vebo = 7V. Disipación del colector: Pc (máx) = o.75W. | USHA India LTD |
46 | 2SA539 | Amplificador de baja frecuencia. Tensión colector-base: VCBO = -60V. Tensión de colector-emisor: VCEO = -45V. Tensión emisor-base Vebo = 5V. Disipación del colector: Pc (máx) = 400mW. | USHA India LTD |
47 | 2SA542 | Amplificador de baja frecuencia. Tensión colector-base: VCBO = -30V. Tensión de colector-emisor: VCEO = -25V. Tensión emisor-base Vebo = 5V. Disipación del colector: Pc (max) = 250 mW. | USHA India LTD |
48 | 2SA642 | AMPLIFICADOR DE ENERGÍA DE LA FRECUENCIA BAJA | USHA India LTD |
49 | 2SA642 | AMPLIFICADOR DE ENERGÍA DE LA FRECUENCIA BAJA | USHA India LTD |
50 | 2SA643 | AMPLIFICADOR de ENERGÍA de la FRECUENCIA BAJA De los Transistores | USHA India LTD |
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