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Nr.Nom de partieDescriptionFabricant
551GE3020LA PHOTO A COUPLÉ L'ISOLANTGeneral Electric Solid State
552GE3021LA PHOTO A COUPLÉ L'ISOLANTGeneral Electric Solid State
553GE3022LA PHOTO A COUPLÉ L'ISOLANTGeneral Electric Solid State
554GE3023LA PHOTO A COUPLÉ L'ISOLANTGeneral Electric Solid State
555GE5062Transistors De Darlington De Puissance de NPNGeneral Electric Solid State
556GEPS2001Photon couplé isolateur. GaAs diode électroluminescente infrarouge et le silicium NPN photo-transistor.General Electric Solid State
557GES2218Planar épitaxiale transistor NPN silicium. 30V, 800mA.General Electric Solid State
558GES2218APlanar épitaxiale transistor NPN silicium. 40V, 800mA.General Electric Solid State
559GES2219Planar épitaxiale transistor NPN silicium. 30V, 800mA.General Electric Solid State
560GES2219APlanar épitaxiale transistor NPN silicium. 40V, 800mA.General Electric Solid State
561GES2221Planar passive transistor NPN épitaxiale de silicium. 30V, 400mA.General Electric Solid State
562GES2221APlanar passive transistor NPN épitaxiale de silicium. 40V, 400mA.General Electric Solid State
563GES2222Planar passive transistor NPN épitaxiale de silicium. 30V, 400mA.General Electric Solid State
564GES2222APlanar passive transistor NPN épitaxiale de silicium. 40V, 400mA.General Electric Solid State
565GES2646transistor unijonction de silicium. 30V, 50mA.General Electric Solid State
566GES2647transistor unijonction de silicium. 30V, 50mA.General Electric Solid State
567GES2904Planaire épitaxiale du transistor PNP de silicium. 40V, 600mA.General Electric Solid State
568GES2904APlanaire épitaxiale du transistor PNP de silicium. 60V, 600mA.General Electric Solid State
569GES2905Planaire épitaxiale du transistor PNP de silicium. 40V, 600mA.General Electric Solid State
570GES2905APlanaire épitaxiale du transistor PNP de silicium. 60V, 600mA.General Electric Solid State
571GES2906Planar passive transistor de silicium PNP épitaxiale. -40V, -350mA.General Electric Solid State
572GES2906APlanar passive transistor de silicium PNP épitaxiale. -40V, -350mA.General Electric Solid State
573GES2907Planar passive transistor de silicium PNP épitaxiale. -40V, -350mA.General Electric Solid State
574GES2907APlanar passive transistor de silicium PNP épitaxiale. -40V, -350mA.General Electric Solid State
575GES3414transistor de silicium. 25V, 500mA.General Electric Solid State
576GES3415transistor de silicium. 25V, 500mA.General Electric Solid State
577GES3416transistor de silicium. 50V, 500mA.General Electric Solid State



578GES3417transistor de silicium. 50V, 500mA.General Electric Solid State
579GES5305TRANSISTORS DU SILICIUM DARLINGTONGeneral Electric Solid State
580GES5306TRANSISTORS DU SILICIUM DARLINGTONGeneral Electric Solid State
581GES5306ATRANSISTORS DU SILICIUM DARLINGTONGeneral Electric Solid State
582GES5307Planaire épitaxiale de silicium passivé transistor NPN Darlington. 40V, 300mA.General Electric Solid State
583GES5308Planaire épitaxiale de silicium passivé transistor NPN Darlington. 40V, 300mA.General Electric Solid State
584GES5308APlanaire épitaxiale de silicium passivé transistor NPN Darlington. 40V, 300mA.General Electric Solid State
585GES5401TRANSISTORS DE SILICIUMGeneral Electric Solid State
586GES5551TRANSISTORS DE SILICIUMGeneral Electric Solid State
587GES5810Planar passive transistor NPN épitaxiale de silicium. 25V, 750mA.General Electric Solid State
588GES5811Planar passive transistor de silicium PNP épitaxiale. -25V, -750mA.General Electric Solid State
589GES5812Planar passive transistor NPN épitaxiale de silicium. 25V, 750mA.General Electric Solid State
590GES5813Planar passive transistor de silicium PNP épitaxiale. -25V, -750mA.General Electric Solid State
591GES5814Planar passive transistor NPN épitaxiale de silicium. 40V, 750mA.General Electric Solid State
592GES5815Planar passive transistor de silicium PNP épitaxiale. -40V, -750mA.General Electric Solid State
593GES5816Planar passive transistor NPN épitaxiale de silicium. 40V, 750mA.General Electric Solid State
594GES5817Planar passive transistor de silicium PNP épitaxiale. -40V, -750mA.General Electric Solid State
595GES5818Planar passive transistor NPN épitaxiale de silicium. 40V, 750mA.General Electric Solid State
596GES5819Planar passive transistor de silicium PNP épitaxiale. -40V, -750mA.General Electric Solid State
597GES6027TRANSISTOR PROGRAMMABLE D'CUnijunctionGeneral Electric Solid State
598GES6028TRANSISTOR PROGRAMMABLE D'CUnijunctionGeneral Electric Solid State
599GET4870transistor unijonction de silicium. 30V, 50mA.General Electric Solid State
600GET4871transistor unijonction de silicium. 30V, 50mA.General Electric Solid State

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