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Les fiches techniques ont trouvé :: 1013

Nr.	Nom de partie	Description	Fabricant
601	H11A5100	H11A520 H11A550 H11A5100	General Electric Solid State
602	H11A520	H11A520 H11A550 H11A5100	General Electric Solid State
603	H11A550	H11A520 H11A550 H11A5100	General Electric Solid State
604	H11B255	Photon couplé isolateur. Ga Comme infrarouge diode électroluminescente et NPN silicium amplificateur photo-Darlington.	General Electric Solid State
605	H23A1	DÉTECTEUR ÉMIS ASSORTI	General Electric Solid State
606	H23A2	DÉTECTEUR ÉMIS ASSORTI	General Electric Solid State
607	H23B1	PAIRE ASSORTIE DE DÉTECTEUR D'ÉMETTEUR	General Electric Solid State
608	H23L1	Paire Assortie H23L1 De Émetteur-Détecteur	General Electric Solid State
609	H74A1	LE PHOTON A COUPLÉ L'CIsolant	General Electric Solid State
610	ICL7605	Amplificateur De Commutation D'Instrumentaion D'Automobile-Zéro De Fiabilité Élevée	General Electric Solid State
611	ICL8007	Haut Amplificateur Opérationnel Entré par JFET De Fiabilité	General Electric Solid State
612	ICL8022	(ICL8021/icl8023) Amplificateur Opérationnel Bipolaire De Basse Puissance	General Electric Solid State
613	IRF120	N-canal du transistor à effet de champ de puissance à mode d'enrichissement. Drain-sourge tension 100V. Vidange continue de 32A courant.	General Electric Solid State
614	IRF121	N-canal du transistor à effet de champ de puissance à mode d'enrichissement. Égoutter-sourge tension 60V. Vidange continue de 32A courant.	General Electric Solid State
615	IRF122	N-canal du transistor à effet de champ de puissance à mode d'enrichissement. Drain-sourge tension 100V. Vidange continue de 28A courant.	General Electric Solid State
616	IRF123	N-canal du transistor à effet de champ de puissance à mode d'enrichissement. Égoutter-sourge tension 60V. Vidange continue de 28A courant.	General Electric Solid State
617	IRF130	N-canal du transistor à effet de champ de puissance à mode d'enrichissement. Drain-sourge tension 100V. Vidange continue de 56A courant.	General Electric Solid State
618	IRF131	N-canal du transistor à effet de champ de puissance à mode d'enrichissement. Égoutter-sourge tension 60V. Vidange continue de 56A courant.	General Electric Solid State
619	IRF132	N-canal du transistor à effet de champ de puissance à mode d'enrichissement. Drain-sourge tension 100V. Vidange continue de 48A courant.	General Electric Solid State
620	IRF133	N-canal du transistor à effet de champ de puissance à mode d'enrichissement. Égoutter-sourge tension 60V. Vidange continue de 48A courant.	General Electric Solid State
621	IRF150	N-canal du transistor à effet de champ de puissance à mode d'enrichissement. Drain-sourge tension 100V. Courant de drain continue (Tc 25deg) 40A.	General Electric Solid State
622	IRF151	N-canal du transistor à effet de champ de puissance à mode d'enrichissement. Égoutter-sourge tension 60V. Courant de drain continue (Tc 25deg) 40A.	General Electric Solid State
623	IRF152	N-canal du transistor à effet de champ de puissance à mode d'enrichissement. Drain-sourge tension 100V. Courant de drain continue (Tc 25deg) 33A.	General Electric Solid State
624	IRF153	N-canal du transistor à effet de champ de puissance à mode d'enrichissement. Égoutter-sourge tension 60V. Courant de drain continue (Tc 25deg) 33A.	General Electric Solid State
625	IRF220	N-canal du transistor à effet de champ de puissance à mode d'enrichissement. Drain-sourge tension 200V. Courant de drain continue (Tc 25deg) 5.0A.	General Electric Solid State
626	IRF221	N-canal du transistor à effet de champ de puissance à mode d'enrichissement. Drain-sourge tension 150V. Courant de drain continue (Tc 25deg) 5.0A.	General Electric Solid State
627	IRF222	N-canal du transistor à effet de champ de puissance à mode d'enrichissement. Drain-sourge tension 200V. Courant de drain continue (Tc 25deg) 4.0A.	General Electric Solid State
628	IRF223	N-canal du transistor à effet de champ de puissance à mode d'enrichissement. Drain-sourge tension 150V. Courant de drain continue (Tc 25deg) 4.0A.	General Electric Solid State

629	IRF230	N-canal du transistor à effet de champ de puissance à mode d'enrichissement. Drain-sourge tension 200V. Courant de drain continue (Tc 25deg) 9,0 A.	General Electric Solid State
630	IRF231	N-canal du transistor à effet de champ de puissance à mode d'enrichissement. Drain-sourge tension 150V. Courant de drain continue (Tc 25deg) 9,0 A.	General Electric Solid State
631	IRF232	N-canal du transistor à effet de champ de puissance à mode d'enrichissement. Drain-sourge tension 200V. Courant de drain continue (Tc 25deg) 8.0A.	General Electric Solid State
632	IRF233	N-canal du transistor à effet de champ de puissance à mode d'enrichissement. Drain-sourge tension 150V. Courant de drain continue (Tc 25deg) 8.0A.	General Electric Solid State
633	IRF241	N-canal du transistor à effet de champ de puissance à mode d'enrichissement. Drain-sourge tension 150V. Courant de drain continue (Tc 25deg) 18A.	General Electric Solid State
634	IRF243	N-canal du transistor à effet de champ de puissance à mode d'enrichissement. Drain-sourge tension 150V. Courant de drain continue (Tc 25deg) 16A.	General Electric Solid State
635	IRF250	N-canal du transistor à effet de champ de puissance à mode d'enrichissement. Drain-sourge tension 200V. Courant de drain continue (Tc 25deg) 30A.	General Electric Solid State
636	IRF251	N-canal du transistor à effet de champ de puissance à mode d'enrichissement. Drain-sourge tension 150V. Courant de drain continue (Tc 25deg) 30A.	General Electric Solid State
637	IRF252	N-canal du transistor à effet de champ de puissance à mode d'enrichissement. Drain-sourge tension 200V. Courant de drain continue (Tc 25deg) 25A.	General Electric Solid State
638	IRF253	N-canal du transistor à effet de champ de puissance à mode d'enrichissement. Drain-sourge tension 150V. Courant de drain continue (Tc 25deg) 25A.	General Electric Solid State
639	IRF320	N-canal du transistor à effet de champ de puissance à mode d'enrichissement. Drain-sourge tension 400V. Courant de drain continue (Tc 25deg) 3.0A.	General Electric Solid State
640	IRF321	N-canal du transistor à effet de champ de puissance à mode d'enrichissement. Drain-sourge tension 350V. Courant de drain continue (Tc 25deg) 3.0A.	General Electric Solid State
641	IRF322	N-canal du transistor à effet de champ de puissance à mode d'enrichissement. Drain-sourge tension 400V. Courant de drain continue (Tc 25deg) 2.5A.	General Electric Solid State
642	IRF323	N-canal du transistor à effet de champ de puissance à mode d'enrichissement. Drain-sourge tension 350V. Courant de drain continue (Tc 25deg) 2.5A.	General Electric Solid State
643	IRF330	N-canal du transistor à effet de champ de puissance à mode d'enrichissement. Drain-sourge tension 400V. Courant de drain continue (Tc 25deg) 5.5A.	General Electric Solid State
644	IRF331	N-canal du transistor à effet de champ de puissance à mode d'enrichissement. Drain-sourge tension 350V. Courant de drain continue (Tc 25deg) 5.5A.	General Electric Solid State
645	IRF332	N-canal du transistor à effet de champ de puissance à mode d'enrichissement. Drain-sourge tension 400V. Courant de drain continue (Tc 25deg) 4.5A.	General Electric Solid State
646	IRF333	N-canal du transistor à effet de champ de puissance à mode d'enrichissement. Drain-sourge tension 350V. Courant de drain continue (Tc 25deg) 4.5A.	General Electric Solid State
647	IRF350	N-canal du transistor à effet de champ de puissance à mode d'enrichissement. Drain-sourge tension 400V. Courant de drain continue (Tc 25deg) 15A.	General Electric Solid State
648	IRF351	N-canal du transistor à effet de champ de puissance à mode d'enrichissement. Drain-sourge tension 350V. Courant de drain continue (Tc 25deg) 15A.	General Electric Solid State
649	IRF352	N-canal du transistor à effet de champ de puissance à mode d'enrichissement. Drain-sourge tension 400V. Courant de drain continue (Tc 25deg) 13A.	General Electric Solid State
650	IRF353	N-canal du transistor à effet de champ de puissance à mode d'enrichissement. Drain-sourge tension 350V. Courant de drain continue (Tc 25deg) 13A.	General Electric Solid State

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