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Les fiches techniques ont trouvé :: 1013

Nr.	Nom de partie	Description	Fabricant
701	IRFD112	MOSFET de puissance à transistor de puissance à effet de champ.	General Electric Solid State
702	IRFD113	MOSFET de puissance à transistor de puissance à effet de champ.	General Electric Solid State
703	IRFF110	N-canal du transistor à effet de champ de puissance à mode d'enrichissement. Drain-sourge tension 100V. Vidange continue de 3.5A courant.	General Electric Solid State
704	IRFF111	N-canal du transistor à effet de champ de puissance à mode d'enrichissement. Égoutter-sourge tension 60V. Vidange continue de 3.5A courant.	General Electric Solid State
705	IRFF112	N-canal du transistor à effet de champ de puissance à mode d'enrichissement. Drain-sourge tension 100V. Vidange continue de 3.0A courant.	General Electric Solid State
706	IRFF113	N-canal du transistor à effet de champ de puissance à mode d'enrichissement. Égoutter-sourge tension 60V. Vidange continue de 3.0A courant.	General Electric Solid State
707	IRFF120	N-canal du transistor à effet de champ de puissance à mode d'enrichissement. Drain-sourge tension 100V. Vidange continue de 6.0A courant.	General Electric Solid State
708	IRFF121	N-canal du transistor à effet de champ de puissance à mode d'enrichissement. Égoutter-sourge tension 50V. Vidange continue de 6.0A courant.	General Electric Solid State
709	IRFF122	N-canal du transistor à effet de champ de puissance à mode d'enrichissement. Drain-sourge tension 100V. Vidange continue de 5.0A courant.	General Electric Solid State
710	IRFF123	N-canal du transistor à effet de champ de puissance à mode d'enrichissement. Égoutter-sourge tension 60V. Vidange continue de 5.0A courant.	General Electric Solid State
711	IRFF130	N-canal du transistor à effet de champ de puissance à mode d'enrichissement. Drain-sourge tension 100V. Vidange continue de 8.0A courant.	General Electric Solid State
712	IRFF131	N-canal du transistor à effet de champ de puissance à mode d'enrichissement. Égoutter-sourge tension 60V. Vidange continue de 8.0A courant.	General Electric Solid State
713	IRFF132	N-canal du transistor à effet de champ de puissance à mode d'enrichissement. Drain-sourge tension 100V. Vidange continue de 7.0A courant.	General Electric Solid State
714	IRFF133	N-canal du transistor à effet de champ de puissance à mode d'enrichissement. Égoutter-sourge tension 60V. Vidange continue de 7.0A courant.	General Electric Solid State
715	IRFF310	MOSFET de puissance à transistor de puissance à effet de champ. Tension drain-source de 400 V.	General Electric Solid State
716	IRFF311	MOSFET de puissance à transistor de puissance à effet de champ. Tension drain-source de 350 V.	General Electric Solid State
717	IRFF312	MOSFET de puissance à transistor de puissance à effet de champ. Tension drain-source de 400 V.	General Electric Solid State
718	IRFF313	MOSFET de puissance à transistor de puissance à effet de champ. Tension drain-source de 350 V.	General Electric Solid State
719	MCA230	Photon couplé isolateur. GaAs diode émettrice infrarouge et NPN Darlington de silicium reliés photo-transistor.	General Electric Solid State
720	MCA231	Photon couplé isolateur. GaAs diode émettrice infrarouge et NPN Darlington de silicium reliés photo-transistor.	General Electric Solid State
721	MCA235	Photon couplé isolateur. GaAs diode émettrice infrarouge et NPN Darlington de silicium reliés photo-transistor.	General Electric Solid State
722	MCS21	LE PHOTON A COUPLÉ L'CIsolant	General Electric Solid State
723	MCS21	LE PHOTON A COUPLÉ L'CIsolant	General Electric Solid State
724	MCS2400	Photon couplé isolateur. GaAs diode infrarouge et lumière activés RCS.	General Electric Solid State
725	MCS2401	LE PHOTON A COUPLÉ L'CIsolant	General Electric Solid State
726	MCS2401	LE PHOTON A COUPLÉ L'CIsolant	General Electric Solid State

727	MCT210	Photon couplé isolateur. GaAs diode électroluminescente infrarouge et le silicium NPN photo-transistor.	General Electric Solid State
728	MJ15001	Silicium NPN de transistor de puissance. 140V, 200W.	General Electric Solid State
729	MJ15002	Silicium PNP de transistor de puissance. -140V, 200W.	General Electric Solid State
730	MJ15003	Silicon NPN épitaxiale-base du transistor de puissance élevée. 140V, 250W.	General Electric Solid State
731	MJ15004	Silicon PNP épitaxiale-base du transistor de puissance élevée. -140V, 250W.	General Electric Solid State
732	MJ15022	Silicon NPN épitaxiale-base du transistor de puissance élevée.	General Electric Solid State
733	MJ15024	Silicon NPN épitaxiale-base du transistor de puissance élevée.	General Electric Solid State
734	MJ16010	5 transistor de puissance Une SwitchMax II. Haute tension type NPN.	General Electric Solid State
735	MJ16012	5 transistor de puissance Une SwitchMax II. Haute tension type NPN.	General Electric Solid State
736	MJ2955	Silicon PNP épitaxiale-base du transistor de puissance élevée. -100V, 150W.	General Electric Solid State
737	MJE16002	5 transistor de puissance Une SwitchMax II. Haute tension type NPN.	General Electric Solid State
738	MJE16004	5 transistor de puissance Une SwitchMax II. Haute tension type NPN.	General Electric Solid State
739	MJH6010	5 transistor de puissance Une SwitchMax II. Haute tension type NPN.	General Electric Solid State
740	MJH6012	5 transistor de puissance Une SwitchMax II. Haute tension type NPN.	General Electric Solid State
741	MM551H	Commutateur Analogue À haute tension De Fiabilité Élevée	General Electric Solid State
742	MOC3009	Photon couplé isolateur. Ga Comme infrarouge diode électroluminescente et activé par la lumière d'excitation de triac.	General Electric Solid State
743	MOC3010	Photon couplé isolateur. Ga Comme infrarouge diode électroluminescente et activé par la lumière d'excitation de triac.	General Electric Solid State
744	MOC3011	Photon couplé isolateur. Ga Comme infrarouge diode électroluminescente et activé par la lumière d'excitation de triac.	General Electric Solid State
745	MOC3012	Photon couplé isolateur. Ga Comme infrarouge diode électroluminescente et activé par la lumière d'excitation de triac.	General Electric Solid State
746	MOC3020	Photon couplé isolateur. Ga Comme infrarouge diode électroluminescente et activé par la lumière d'excitation de triac.	General Electric Solid State
747	MOC3021	Photon couplé isolateur. Ga Comme infrarouge diode électroluminescente et activé par la lumière d'excitation de triac.	General Electric Solid State
748	MOC3022	Photon couplé isolateur. Ga Comme infrarouge diode électroluminescente et activé par la lumière d'excitation de triac.	General Electric Solid State
749	MOC3023	Photon couplé isolateur. Ga Comme infrarouge diode électroluminescente et activé par la lumière d'excitation de triac.	General Electric Solid State
750	MPS-A12	TRANSISTORS DU SILICIUM DARLINGTON	General Electric Solid State

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