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Nr.Nom de partieDescriptionFabricant
751MPS-L01Transistors De SiliciumGeneral Electric Solid State
752MPS2222Planar passive transistor NPN épitaxiale de silicium. 30V, 400mA.General Electric Solid State
753MPS2222APlanar passive transistor NPN épitaxiale de silicium. 40V, 400mA.General Electric Solid State
754MPS2906Planar passive transistor de silicium PNP épitaxiale. -40V, -350mA.General Electric Solid State
755MPS2906APlanar passive transistor de silicium PNP épitaxiale. -40V, -350mA.General Electric Solid State
756MPS2907Planar passive transistor de silicium PNP épitaxiale. -40V, -350mA.General Electric Solid State
757MPS2907APlanar passive transistor de silicium PNP épitaxiale. -40V, -350mA.General Electric Solid State
758MPS3638Planar passive transistor de silicium PNP épitaxiale. -25V, -350mA.General Electric Solid State
759MPS3638APlanar passive transistor de silicium PNP épitaxiale. -25V, -350mA.General Electric Solid State
760MPS5172Transistor NPN de silicium. 25V, 100mA.General Electric Solid State
761MPS6531Planar passive transistor NPN épitaxiale de silicium. 40V, 600mA.General Electric Solid State
762MPS6532Planar passive transistor NPN épitaxiale de silicium. 30V, 600mA.General Electric Solid State
763MPS6534Planar passive transistor de silicium PNP épitaxiale. -40V, -600mA.General Electric Solid State
764OP-07Amplificateur Opérationnel Ultra Bas Excentré De TensionGeneral Electric Solid State
765PCF35N08Morceau De Transister D'Effet De Champ De Puissance De Mode De Perfectionnement De la Manche De NGeneral Electric Solid State
766PN2222Planar passive transistor NPN épitaxiale de silicium. 30V, 400mA.General Electric Solid State
767PN2222APlanar passive transistor NPN épitaxiale de silicium. 40V, 400mA.General Electric Solid State
768PN5172Transistor NPN de silicium. 25V, 100mA.General Electric Solid State
769RCA10008A silicium NPN Darlington transistor de puissance.General Electric Solid State
770RCA10018A silicium NPN Darlington transistor de puissance.General Electric Solid State
771RCA1804transistor de silicium pour les applications audio-amplificateur. 225V, 150W.General Electric Solid State
772RCA1805transistor de silicium pour les applications audio-amplificateur. 275V, 150W.General Electric Solid State
773RCA3054Transistor NPN silicium VERSAWATT. 90V, 36W.General Electric Solid State
774RCA3055Transistor NPN silicium VERSAWATT. 100V, 75W.General Electric Solid State
775RCA3773Silicon NPN épitaxiale-base du transistor de puissance élevée. 160V 150W.General Electric Solid State
776RCA634025A silicium des transistors de puissance NPN.General Electric Solid State
777RCA634125A silicium des transistors de puissance NPN.General Electric Solid State



778RCA8638CSilicon NPN épitaxiale-base du transistor de puissance élevée. 140V, 200W.General Electric Solid State
779RCA8638DSilicon NPN épitaxiale-base du transistor de puissance élevée. 120V, 200W.General Electric Solid State
780RCA8638ESilicon NPN épitaxiale-base du transistor de puissance élevée. 100V, 200W.General Electric Solid State
781RCA876610A NPN du transistor de puissance Darlington monolithique. 350V, 150W.General Electric Solid State
782RCA8766A10A NPN du transistor de puissance Darlington monolithique. 350V, 150W.General Electric Solid State
783RCA8766B10A NPN du transistor de puissance Darlington monolithique. 400V, 150W.General Electric Solid State
784RCA8766C10A NPN du transistor de puissance Darlington monolithique. 400V, 150W.General Electric Solid State
785RCA8766D10A NPN du transistor de puissance Darlington monolithique. 450V, 150W.General Electric Solid State
786RCA8766E10A NPN du transistor de puissance Darlington monolithique. 450V, 150W.General Electric Solid State
787RCA9116CSilicon PNP épitaxiale-base du transistor de puissance élevée. -140V, 200W.General Electric Solid State
788RCA9116DSilicon PNP épitaxiale-base du transistor de puissance élevée. -120V, 200W.General Electric Solid State
789RCA9116ESilicon PNP épitaxiale-base du transistor de puissance élevée. -100V, 200W.General Electric Solid State
790RCA9166ASilicon NPN épitaxiale-base du transistor de puissance élevée.General Electric Solid State
791RCA9166BSilicon NPN épitaxiale-base du transistor de puissance élevée.General Electric Solid State
792RCA9202A4A NPN Darlington transistor de puissance. 300V, 65W.General Electric Solid State
793RCA9202B4A NPN Darlington transistor de puissance. 350V, 65W.General Electric Solid State
794RCA9202C4A NPN Darlington transistor de puissance. 400V, 65W.General Electric Solid State
795RCA9203A4A NPN Darlington transistor de puissance. 250V, 50W.General Electric Solid State
796RCA9203B4A NPN Darlington transistor de puissance. 300V, 50W.General Electric Solid State
797RCA9228A50A transistor courant haute tension moyen NPN de silicium de puissance de Darlington. 60V 300W.General Electric Solid State
798RCA9228B50A transistor courant haute tension moyen NPN de silicium de puissance de Darlington. 80V, 300W.General Electric Solid State
799RCA9228C50A transistor courant haute tension moyen NPN de silicium de puissance de Darlington. 100V, 300W.General Electric Solid State
800RCA9228D50A transistor courant haute tension moyen NPN de silicium de puissance de Darlington. 120V, 300W.General Electric Solid State

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