Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
251 | 2N6345A | Un triac 12 de silicium. 800 V. | General Electric Solid State |
252 | 2N6346A | Un triac 12 de silicium. 200 V. | General Electric Solid State |
253 | 2N6347A | Un triac 12 de silicium. 400 V. | General Electric Solid State |
254 | 2N6348A | Un triac 12 de silicium. 600 V. | General Electric Solid State |
255 | 2N6349A | Un triac 12 de silicium. 800 V. | General Electric Solid State |
256 | 2N6354 | 120V, 10A, 140W silicium NPN transistor planaire. | General Electric Solid State |
257 | 2N6371 | Haute puissance silicium de transistor NPN. 50V, 117W. | General Electric Solid State |
258 | 2N6383 | 10 Un NPN Darlington transistor de puissance. 40 V. 100 W. gain de 1000 à 5 A. | General Electric Solid State |
259 | 2N6384 | 10 Un NPN Darlington transistor de puissance. 60 V. 100 W. gain de 1000 à 5 A. | General Electric Solid State |
260 | 2N6385 | 10 Un NPN Darlington transistor de puissance. 80 V. 100 W. gain de 1000 à 5 A. | General Electric Solid State |
261 | 2N6386 | 10 Un NPN Darlington transistor de puissance. 40 V. 65 W. gain de 1000 à 3 A. | General Electric Solid State |
262 | 2N6387 | 10 Un NPN Darlington transistor de puissance. 60 V. 65 W. gain de 1000 à 5 A. | General Electric Solid State |
263 | 2N6388 | 10 Un NPN Darlington transistor de puissance. 80 V. 65 W. gain de 1000 à 5 A. | General Electric Solid State |
264 | 2N6394 | 12A redresseur commandé au silicium. Vrsom 75V. | General Electric Solid State |
265 | 2N6395 | 12A redresseur commandé au silicium. Vrsom 125V. | General Electric Solid State |
266 | 2N6396 | 12A redresseur commandé au silicium. Vrsom 250V. | General Electric Solid State |
267 | 2N6397 | 12A redresseur commandé au silicium. Vrsom 450V. | General Electric Solid State |
268 | 2N6398 | 12A redresseur commandé au silicium. Vrsom 650V. | General Electric Solid State |
269 | 2N6400 | 16A redresseur commandé au silicium. Vrsom 75V. | General Electric Solid State |
270 | 2N6401 | 16A redresseur commandé au silicium. Vrsom 125V. | General Electric Solid State |
271 | 2N6402 | 16A redresseur commandé au silicium. Vrsom 250V. | General Electric Solid State |
272 | 2N6403 | 16A redresseur commandé au silicium. Vrsom 450V. | General Electric Solid State |
273 | 2N6404 | 16A redresseur commandé au silicium. Vrsom 650V. | General Electric Solid State |
274 | 2N6420 | Haute tension, moyenne puissance transistor PNP de silicium. | General Electric Solid State |
275 | 2N6421 | Haute tension, moyenne puissance transistor PNP de silicium. | General Electric Solid State |
276 | 2N6422 | Haute tension, moyenne puissance transistor PNP de silicium. | General Electric Solid State |
277 | 2N6423 | Haute tension, moyenne puissance transistor PNP de silicium. | General Electric Solid State |
278 | 2N6467 | Silicon PNP de transistor de moyenne puissance. -110V, 40W. | General Electric Solid State |
279 | 2N6468 | Silicon PNP de transistor de moyenne puissance. -130V, 40W. | General Electric Solid State |
280 | 2N6469 | Épitaxiale base, PNP transistor de silicium de haute puissance. -50 V, 125W. | General Electric Solid State |
281 | 2N6473 | Épitaxiale base, le silicium transistor NPN VERSAWATT. 110V. | General Electric Solid State |
282 | 2N6474 | Épitaxiale base, le silicium transistor NPN VERSAWATT. 130V. | General Electric Solid State |
283 | 2N6475 | Épitaxiale base, le silicium transistor PNP VERSAWATT. -110V. | General Electric Solid State |
284 | 2N6476 | Épitaxiale base, le silicium transistor PNP VERSAWATT. -130V. | General Electric Solid State |
285 | 2N6477 | TRANSISTORS MOYENS DU SILICIUM NPN DE PUISSANCE | General Electric Solid State |
286 | 2N6477 | TRANSISTORS MOYENS DU SILICIUM NPN DE PUISSANCE | General Electric Solid State |
287 | 2N6478 | TRANSISTORS MOYENS DU SILICIUM NPN DE PUISSANCE | General Electric Solid State |
288 | 2N6478 | TRANSISTORS MOYENS DU SILICIUM NPN DE PUISSANCE | General Electric Solid State |
289 | 2N6486 | 15A, 75W, silicium transistor NPN épitaxiale base VERSAWATT. 50V. | General Electric Solid State |
290 | 2N6487 | 15A, 75W, silicium transistor NPN épitaxiale base VERSAWATT. 70V. | General Electric Solid State |
291 | 2N6488 | 15A, 75W, silicium transistor NPN épitaxiale base VERSAWATT. 90V. | General Electric Solid State |
292 | 2N6489 | 15A, 75W, PNP épitaxiale de silicium à base de transistor VERSAWATT. -50V. | General Electric Solid State |
293 | 2N6490 | 15A, 75W, PNP épitaxiale de silicium à base de transistor VERSAWATT. -70V. | General Electric Solid State |
294 | 2N6491 | 15A, 75W, PNP épitaxiale de silicium à base de transistor VERSAWATT. -90V. | General Electric Solid State |
295 | 2N6496 | Courant élevé, haute puissance, transistor NPN silicium plane à grande vitesse. | General Electric Solid State |
296 | 2N6500 | TRANSISTORS PLANAIRES ÉPITAXIAUX À GRANDE VITESSE DU SILICIUM NPN DECOLLECTEUR | General Electric Solid State |
297 | 2N6500 | TRANSISTORS PLANAIRES ÉPITAXIAUX À GRANDE VITESSE DU SILICIUM NPN DECOLLECTEUR | General Electric Solid State |
298 | 2N6530 | 8 transistor de puissance NPN Darlington. 80 V. 60 W. gain de 1000 à 5 A. | General Electric Solid State |
299 | 2N6531 | 8 transistor de puissance NPN Darlington. 100 V. 60 W. Gain de 500 à 3 A. | General Electric Solid State |
300 | 2N6532 | 8 transistor de puissance NPN Darlington. 100 V. 60 W. gain de 1000 à 5 A. | General Electric Solid State |
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