|   Première page   |   Tous les fabricants   |   Par fonction   |  

Le numéro de la pièce, la description ou le fabricant des:
Saut rapide à:   1N  2N  2SA  2SC  74  AD  BA  BC  BD  BF  BU  CXA  HCF  IRF  KA  KIA  LA  LM  MC  NE  ST  STK  TDA  TL  UA  



Les fiches techniques ont trouvé :: 1013 English Version for this page Deutsche Version für diese Seite Versión española para esta página Versione italiana per questa pagina Versão portuguese para esta página Russian Version Romanian Version
Nr.Nom de partieDescriptionFabricant
2512N6345AUn triac 12 de silicium. 800 V.General Electric Solid State
2522N6346AUn triac 12 de silicium. 200 V.General Electric Solid State
2532N6347AUn triac 12 de silicium. 400 V.General Electric Solid State
2542N6348AUn triac 12 de silicium. 600 V.General Electric Solid State
2552N6349AUn triac 12 de silicium. 800 V.General Electric Solid State
2562N6354120V, 10A, 140W silicium NPN transistor planaire.General Electric Solid State
2572N6371Haute puissance silicium de transistor NPN. 50V, 117W.General Electric Solid State
2582N638310 Un NPN Darlington transistor de puissance. 40 V. 100 W. gain de 1000 à 5 A.General Electric Solid State
2592N638410 Un NPN Darlington transistor de puissance. 60 V. 100 W. gain de 1000 à 5 A.General Electric Solid State
2602N638510 Un NPN Darlington transistor de puissance. 80 V. 100 W. gain de 1000 à 5 A.General Electric Solid State
2612N638610 Un NPN Darlington transistor de puissance. 40 V. 65 W. gain de 1000 à 3 A.General Electric Solid State
2622N638710 Un NPN Darlington transistor de puissance. 60 V. 65 W. gain de 1000 à 5 A.General Electric Solid State
2632N638810 Un NPN Darlington transistor de puissance. 80 V. 65 W. gain de 1000 à 5 A.General Electric Solid State
2642N639412A redresseur commandé au silicium. Vrsom 75V.General Electric Solid State
2652N639512A redresseur commandé au silicium. Vrsom 125V.General Electric Solid State
2662N639612A redresseur commandé au silicium. Vrsom 250V.General Electric Solid State
2672N639712A redresseur commandé au silicium. Vrsom 450V.General Electric Solid State
2682N639812A redresseur commandé au silicium. Vrsom 650V.General Electric Solid State
2692N640016A redresseur commandé au silicium. Vrsom 75V.General Electric Solid State
2702N640116A redresseur commandé au silicium. Vrsom 125V.General Electric Solid State
2712N640216A redresseur commandé au silicium. Vrsom 250V.General Electric Solid State
2722N640316A redresseur commandé au silicium. Vrsom 450V.General Electric Solid State
2732N640416A redresseur commandé au silicium. Vrsom 650V.General Electric Solid State
2742N6420Haute tension, moyenne puissance transistor PNP de silicium.General Electric Solid State
2752N6421Haute tension, moyenne puissance transistor PNP de silicium.General Electric Solid State
2762N6422Haute tension, moyenne puissance transistor PNP de silicium.General Electric Solid State
2772N6423Haute tension, moyenne puissance transistor PNP de silicium.General Electric Solid State



2782N6467Silicon PNP de transistor de moyenne puissance. -110V, 40W.General Electric Solid State
2792N6468Silicon PNP de transistor de moyenne puissance. -130V, 40W.General Electric Solid State
2802N6469Épitaxiale base, PNP transistor de silicium de haute puissance. -50 V, 125W.General Electric Solid State
2812N6473Épitaxiale base, le silicium transistor NPN VERSAWATT. 110V.General Electric Solid State
2822N6474Épitaxiale base, le silicium transistor NPN VERSAWATT. 130V.General Electric Solid State
2832N6475Épitaxiale base, le silicium transistor PNP VERSAWATT. -110V.General Electric Solid State
2842N6476Épitaxiale base, le silicium transistor PNP VERSAWATT. -130V.General Electric Solid State
2852N6477TRANSISTORS MOYENS DU SILICIUM NPN DE PUISSANCEGeneral Electric Solid State
2862N6477TRANSISTORS MOYENS DU SILICIUM NPN DE PUISSANCEGeneral Electric Solid State
2872N6478TRANSISTORS MOYENS DU SILICIUM NPN DE PUISSANCEGeneral Electric Solid State
2882N6478TRANSISTORS MOYENS DU SILICIUM NPN DE PUISSANCEGeneral Electric Solid State
2892N648615A, 75W, silicium transistor NPN épitaxiale base VERSAWATT. 50V.General Electric Solid State
2902N648715A, 75W, silicium transistor NPN épitaxiale base VERSAWATT. 70V.General Electric Solid State
2912N648815A, 75W, silicium transistor NPN épitaxiale base VERSAWATT. 90V.General Electric Solid State
2922N648915A, 75W, PNP épitaxiale de silicium à base de transistor VERSAWATT. -50V.General Electric Solid State
2932N649015A, 75W, PNP épitaxiale de silicium à base de transistor VERSAWATT. -70V.General Electric Solid State
2942N649115A, 75W, PNP épitaxiale de silicium à base de transistor VERSAWATT. -90V.General Electric Solid State
2952N6496Courant élevé, haute puissance, transistor NPN silicium plane à grande vitesse.General Electric Solid State
2962N6500TRANSISTORS PLANAIRES ÉPITAXIAUX À GRANDE VITESSE DU SILICIUM NPN DECOLLECTEURGeneral Electric Solid State
2972N6500TRANSISTORS PLANAIRES ÉPITAXIAUX À GRANDE VITESSE DU SILICIUM NPN DECOLLECTEURGeneral Electric Solid State
2982N65308 transistor de puissance NPN Darlington. 80 V. 60 W. gain de 1000 à 5 A.General Electric Solid State
2992N65318 transistor de puissance NPN Darlington. 100 V. 60 W. Gain de 500 à 3 A.General Electric Solid State
3002N65328 transistor de puissance NPN Darlington. 100 V. 60 W. gain de 1000 à 5 A.General Electric Solid State

Page: | 1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | 7 | 8 | 9 | 10 | 11 | 12 | 13 | 14 | 15 | 16 | 17 | 18 | 19 | 20 | 21 |


© 2023    www.datasheetcatalog.net/generalelectricsolidstate/1/